2026年5月22日，西安理工大学教授、国际合作与交流处处长杨媛率专家团队一行莅临深圳平湖实验室，围绕宽禁带半导体材料与器件研发攻关开展调研交流，并与实验室正式签署合作框架协议。西安理工大学杨媛处长、深圳平湖实验室赵鲁江部长分别代表双方进行了签约。 西安理工大学一行先后参观实验室展厅及中试线，详细了解科研布局、技术攻关与成果转化情况，双方就核心技术研发、产业应用前景深入交流。 签约仪式上，双方秉持 “开放合作、优势互补、互利共赢、共同发展” 原则，立足国家战略部署，以新发展理念为引领，聚焦高质量发展与新质生产力培育，达成全方位合作共识。未来将充分发挥教育、科技、人才、产业协同优势，面向国家重大战略和未来产业，联合破解行业关键难题、承担国家重大任务、推动科研成果市场化应用、培育产业急需紧缺人才，全面提升人才自主培养能力与服务国家战略水平。 此次合作是产教融合发展的重要举措，双方将以协议签署为契机，深度整合资源、凝聚创新合力，全力推动宽禁带半导体等领域技术突破，为服务国家重大战略、培育发展新质...

5月14-16日，2026杭州半导体与集成电路全产业链人才生态建设协同创新大会在杭州大会展中心举办。深圳平湖实验室受邀参会，深度参与产业人才培育与产教融合，为我国半导体人才生态建设贡献平湖方案。 会上，实验室正式加入半导体与集成电路产业链企业大学计划并参与发布仪式，该计划将从推进在校学生使用国产TCAD/EDA工具为切入点，携手行业同仁共建产学研协同、供需精准对接的人才培育体系，助力破解产业人才痛点。 深圳平湖实验室主任万玉喜在大会作主题分享，围绕实验室在产教融合领域的探索与实践，从人才培养模式创新、产学研协同机制搭建、实践育人平台建设等方面展开交流，为集成电路产业人才生态建设提供实践参考。 同时，实验室参与编写的《芯跳不止：中国半导体产业的奋进之路与未来图景》思政教材重磅发布，该教材立足国家战略，系统梳理产业奋进历程，传递半导体人攻坚克难的精神力量，为产业人才思政教育提供权威、鲜活素材。 其中，教材第七章《国产功率半导体的崛起之路》由深圳平湖实验室重点编撰，全景展现国产功率半导体从早期探索到技术突围、...

2026年4月23日，深圳平湖实验室分析检测中心李齐治博士受邀出席第三代半导体检测技术创新与应用论坛（2026第19届中国科学仪器发展年会），并发表题为《宽禁带半导体材料分析技术的应用与实践》的特邀报告。报告聚焦半导体器件研发与工艺流程优化中的实际痛点，系统阐述了XRD、AFM、SEM、TEM、SIMS及拉曼光谱等多种材料分析技术在碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等宽禁带半导体领域的应用案例与解决方案，通过材料分析实战案例在产业中的应用展示分析检测核心价值，用科学表征手段和高精度的技术方案夯实产业高质量发展的底座。 作为新能源汽车、5G通信、航空航天等战略性新兴产业的关键基础材料，第三代半导体对材料质量与工艺精度提出了极高要求。材料分析技术贯穿其研发、工艺优化到量产的全生命周期，是推动技术突破、质量跃升和产业链自主可控的核心支撑。 在衬底制备环节，SiC、GaN晶体对完整性、杂质及缺陷控制要求严苛，微管、位错等缺陷将直接制约器件性能。通过XRD、AFM、SEM等表征手段，可精准解析晶体结构、表面形貌及缺陷...

4月23日-25日，2026九峰山论坛在武汉光谷科技会展中心圆满举办。本届论坛以 “新赛道、新技术、新产品、新市场” 为核心主题，汇聚行业院士专家、头部企业代表及科研精英，打造中国化合物半导体领域规格最高、规模最大的行业盛会。深圳平湖实验室作为行业重要科研力量之一，深度参与论坛各项活动，联合发布权威报告，领衔分论坛承办，分享前沿科研成果等，全方位展现实验室在第三代、第四代半导体领域的科研实力与产业担当。 2026九峰山论坛开幕式   一、出席开幕式，联合发布权威报告 论坛开幕式现场大咖云集，中国科学院院士、武汉大学教授刘胜致辞并聚焦产业机遇与发展路径分享核心观点。开幕式上，由第三代半导体产业技术创新战略联盟编写的《第三代半导体产业发展报告（2025）》正式发布，第三代半导体技术产业创新战略联盟理事长吴玲作为主发布人，介绍了《报告》编制情况及产业趋势现状。深圳平湖实验室深度参与了本《报告》的编写，实验室主任万玉喜受邀上台，参与报告联合发布仪式。 《第三代半导体产业发展报告（2025）》正式发布  二、...

近日，由全国半导体器件标准化技术委员会半导体分立器件分技术委员会主办，第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）与深圳平湖实验室共同承办SiC和GaN的11项国家标准征求意见会，在深圳平湖实验室顺利召开。来自国内科研院所、高校、龙头企业及行业机构的近100位权威专家、工程师齐聚一堂，围绕11项重要国家标准征求意见稿展开深度研讨，共绘第三代半导体标准化发展蓝图。 本次会议聚焦的11项国家标准，核心任务是对三代半联盟标准采信为国家标准征求意见，覆盖SiC MOSFET功率循环、动态栅偏、动态反偏、动态高温高湿反偏、高温栅偏、高温反偏、高压高温高湿反偏及GaN HEMT动态导通电组测试等，直接关系到碳化硅、氮化镓器件的性能验证、质量管控与产业规模化应用，是新能源汽车、轨道交通、智能电网、工业变频等战略领域高质量发展的重要技术基石。“启动会议上，标委会陈海蓉秘书长、三代半联盟副理事长兼秘书长杨富华致辞，标委会张丽静老师讲解总体工作安排。启动会议由三代半联盟副秘书长高伟博士主持。后续的分组会议期间，专家们逐...

随着人工智能、人形机器人、低空无人机与数据中心等新兴领域快速发展，对高效率、小体积、高可靠性的功率器件需求持续攀升，100V电压等级已成为多场景应用的关键节点。为更好支撑产业研发与高校人才培养，深圳平湖实验室正式推出100V GaN MPW 共享服务平台与配套 PDK 设计工具包，面向行业与高校开放全流程流片服务。 一、100V GaN典型应用场景 100V GaN 器件应用覆盖广泛，在数据中心低压中间母线转换器（LV IBC，54V 转 12/6V）、人形机器人关节电机驱动、DC-DC电源、激光雷达及低空无人机等方向均具备突出优势。凭借更小体积、更低损耗与更高控制精度，可有效提升系统效率与续航能力，也为本次100V MPW与PDK平台提供了清晰的应用落地方向。 二、深圳平湖实验室 100V GaN MPW 共享服务平台 依托“研发+中试 一体化平台能力，深圳平湖实验室已构建覆盖15~1200V的全电压等级GaN MPW服务体系，本次重点推出 100V GaN MPW共享服务。 （1）MPW服务模式 将单颗晶圆划分为多个Shot单元，每个Shot再分割为约2...

近日，深圳平湖实验室第四代半导体首席科学家、新加坡工程院院士张道华教授先后受邀参加两场重要会议并做邀请报告，为行业带来前沿研究成果与创新思路。 01 第十届电子器件和制备会议 3月1日至5日，张道华教授出席在马来西亚槟城举行的第十届电子器件和制备会议。作为国际半导体领域的权威专家，张教授在会议期间围绕超宽禁带半导体方面的研究进展和所面临的挑战，分享了其团队在超宽禁带半导体材料研究中的突破性成果，为参会学者提供了宝贵的学术参考。   02 第二届第四代半导体技术研讨会 3月17日至19日，张道华教授出席于浙江杭州举办的第二届第四代半导体技术研讨会并主持了首日下午第一阶段会议。此次会议由浙江大学杭州国际科创中心等机构联合主办，汇聚了国内外半导体领域的顶尖专家。张教授以“氮化铝氧化镓研究进展”为主题作大会报告，深入探讨了氮化铝、氧化镓等超宽禁带半导体材料在极端环境应用中的优势及当前面临的材料性能提升、掺杂缺陷调控等挑战。他还介绍了深圳平湖实验室在宽带隙和超宽带隙半导体研究方面的战略布局与配套设施建设...

2026 年 3 月 20 日，全国集成电路标准化技术委员会宽禁带半导体工作组成立大会暨技术研讨会在北京顺利召开。工业和信息化部、国家市场监督管理总局标准技术管理司、中国电子技术标准化研究院等相关单位领导出席会议并讲话。 会上正式宣布宽禁带半导体工作组成立，明确工作组将以完善宽禁带半导体标准体系、加快重点标准研制、推动产业协同为核心方向，助力我国宽禁带半导体产业规范化、体系化和高质量发展。 深圳平湖实验室主任万玉喜作为工作组成员受邀参会，并深度参与标准体系研讨与产业协同交流。未来，深圳平湖实验室将依托自身技术积累与平台优势，积极投身宽禁带半导体标准研究与制订工作，紧密协同产业链上下游伙伴，共建质量标准体系，以标准引领技术突破，以协同推动产业升级，为实现我国宽禁带半导体产业自主可控、持续健康发展贡献力量。