2026年8月30日，IEDM 2026公布录用结果，全球共收录约280篇学术论文，聚焦新兴器件与计算技术、系统与器件可靠性、功率/微波/毫米波及模拟器件系统等核心方向，器件创新、可靠性、AI算力供电、三维集成与系统级协同优化成为会议主线。深圳平湖实验室2篇高水平论文成功入选，在中国大陆单位贡献中并列第17位，彰显实验室在宽禁带与超宽禁带功率半导体领域的研发实力与国际影响力。 本次入选的两项成果分别聚焦新一代半导体氧化镓与大尺寸氮化镓功率器件，均为行业前沿方向： 1. Chenghao Liu et al.,Mg-Engineered β-Ga203 Photoconductive Switches with >11 kV Breakdown, ~1012 0ff/On Ratio and Sub-ns Response under Sub-Bandgap Excitation 深圳平湖实验室（第一单位）与山东大学联合发表。 简介：面向高功率微波与超宽带脉冲功率系统对高速、高压及高可靠开关的迫切需求，本研究基于Mg掺杂β-Ga2O3超宽禁带半导体平台，通过缺陷工程实现高阻态隔离与快速载流子恢复，成功研制出兼具高击穿电压、超高开关比和亚纳秒瞬态响应...

近日，2026 PCIM Asia（Power Conversion and Intelligent Motion Asia）会议在深圳举行。会上，深圳平湖实验室氮化镓研究团队的论文Low-Voltage p-GaN Gate HEMTs on 200-mm GaN-on-Si Platform with Record-Low RON,SP and RON×QG for Advanced AI Power Delivery荣获大会“最佳论文奖”（Best Paper Award）。深圳平湖实验室为论文第一单位，联合单位为香港科技大学，深圳平湖实验室王宇豪、石瑜和港科大成妍为论文共同第一作者。 这篇论文介绍了面向算力中心板级XPU供电的低压增强型功率氮化镓器件技术。本次获评最佳论文奖，无疑是对实验室在先进功率氮化镓技术领域的高度认可。 本届PCIM Asia的“最佳论文奖”由三菱电机赞助，并在大会新锐论坛上为获奖者颁奖。 PCIM Asia是亚洲地区作为专注功率半导与电力电子领域极具影响力的年度盛会，汇聚全球产业链优质资源，共探技术创新与产业升级之路。此次获奖，进一步印证了深圳平湖实验室在先进功率器件赛道扎实的科研积淀与影响...

近日，国家自然科学基金委员会正式公布2026年度国家自然科学基金集中接收申请项目评审结果。深圳平湖实验室作为牵头单位，第四代材料器件课题组丁森川博士申报的青年科学基金项目（C 类）《量子级CVD金刚石氮‑空位诱导机制及扩散动力学机理探索》成功获得立项资助。 国家自然科学基金是我国资助基础研究的核心渠道，本次项目获批，是实验室研究方向原创性、科研团队综合实力的高度认可。项目紧扣下一代半导体与量子材料领域前沿科学命题，基于等离子化学气相沉积制备的高质量原位氮掺杂单晶金刚石，以氢离子注入为主、辐照为辅实现空位诱导，结合分段高温退火工艺开展原位氮掺杂单晶金刚石NV色心的扩散调控研究；剖析替位氮、空位等杂质缺陷的存在机制，探索面向量子传感器应用的量子级单晶金刚石制备路径，并完成相关器件特性验证。项目研究成果将为NV色心的可控制备提供具备实际应用价值的技术储备，对推动NV色心的技术落地、拓展其应用场景，具备重要的科学价值与工程意义。 本次青年科学基金项目成功立项，标志着实验室在下一代半导体、量子金刚石材料基...

8月26日，2026 PCIM在深圳国际会展中心（宝安新馆）盛大启幕。作为功率半导体与电力电子领域极具影响力的年度盛会，本次展会汇聚全球产业链优质资源，共探技术创新与产业升级之路。深圳平湖实验室受邀参与展会，并与PCIM Asia Shenzhen联合主办超宽禁带半导体前沿技术论坛，紧扣国家 “十五五” 规划战略方向，聚焦金刚石、氧化镓等第四代半导体前沿材料革新与技术突破，以高端交流平台赋能产学研用深度协同，助力我国超宽禁带半导体产业高质量、跨越式发展。 超宽禁带半导体前沿技术论坛 当前，以SiC、GaN为代表的宽禁带半导体已构建成熟产业生态，成为功率半导体领域的主流支撑。顺应国家战略部署，金刚石、氧化镓等超宽禁带半导体作为第四代半导体核心方向，凭借更优的材料特性与代际优势，迈入关键研发与技术攻坚新阶段，是未来半导体产业竞争的核心赛道。 本次超宽禁带半导体前沿技术论坛精准锚定产业前沿趋势，汇聚深圳平湖实验室第四代半导体首席科学家、新加坡工程院院士张道华，西安电子科技大学教授张金风，杭州镓仁半导体有限公司董...

近日，深圳平湖实验室与龙腾半导体股份有限公司正式签署战略合作协议，双方将围绕固态变压器（SST）、逆变器等碳化硅高端应用领域展开深度合作，携手推动宽禁带半导体技术创新突破与产业化落地，共筑半导体产业高质量发展新生态。 碳化硅作为宽禁带半导体核心材料，具备高耐压、高效率、高导热等优异性能，是固态变压器、高端逆变器等电力电子装备的关键核心器件，在新能源、智能电网、先进装备等高端领域应用前景广阔，是我国半导体产业实现自主可控的重要战略方向。 此次战略合作，是科研创新平台与行业实力企业的精准对接、优势互补。龙腾半导体选择与深圳平湖实验室携手，正是看中实验室在碳化硅领域完备的科研平台、扎实的技术积累以及成熟的中试转化能力。深圳平湖实验室集聚优质科研力量，打通从基础研究、技术攻关到工程化生产、产品验证的全链条环节，能够高效匹配企业产品迭代与产业化落地需求，为碳化硅器件面向高端场景规模化应用提供坚实技术支撑。 以本次合作为契机，双方将充分发挥各自优势，把科研创新、中试工艺与市场资源高效协同、深度互补，瞄准...

在电力传输、电网装备、高压电源等关键领域，更高电压、更低损耗、更小体积的功率器件，一直是全球科研与产业界追求的核心目标。传统硅基器件经过数十年发展，已逼近材料物理性能天花板，难以满足特高压输电、新型电力系统、大功率新能源装备对更高耐压、更高效率的迫切需求。超高压SiC功率器件凭借其宽禁带、高临界击穿电场、优异热导率等特性，在耐压能力上远超商用硅基器件，被公认为固态变压器、高压直流输电、电网基础设施、脉冲功率等中高压应用场景的理想解决方案。 近日，深圳平湖实验室在超高压碳化硅功率器件领域取得重大突破，成功研制出额定电压20kV、导通电阻约1Ω的SiC MOSFET器件。相关研究成果已在2026年5月于美国拉斯维加斯举行的国际电力电子领域顶级会议ISPSD 2026上正式发布(doi: 10.1109/ISPSD64561.2026.11553694)。该器件比导通电阻关键性能指标上接近4H-SiC材料的理论极限，标志着我国在超高压功率半导体领域迈入了国际前列。 国际首创，关键性能指标接近理论极限 基于深圳平湖实验室自主搭建、面向产业验证的8...

近日，国产首套8英寸SiC炉管套件搭载国产首台高温栅氧炉验证发布暨合作框架签署仪式在深圳平湖实验室举行。此次验证成果标志着我国在第三代半导体核心装备领域取得重大突破，深圳平湖实验室作为关键验证平台，有力推动国产半导体设备自主可控进程加速，这也是国产半导体材料与装备自主创新、协同突破的重要里程碑。     深圳平湖实验室主任万玉喜、深圳市志橙半导体材料股份有限公司董事长朱佰喜、中国电子科技集团公司第四十八研究所副所长舒勇东分别致辞，此次三方强强联合，通力合作，成功实现了从材料、设备到工艺验证的闭环，为我国SiC功率器件向大尺寸、高性能迈进奠定了坚实基础。     仪式上，志橙半导体孙应一作《志橙SiC陶瓷产品介绍》、中国电科四十八所半导体装备研究部杨金作《8吋SiC高温氧化炉设备介绍》，深圳平湖实验室工程部扩散模组经理周俊发布《国产首套8英寸SiC炉管套件搭载国产首台高温栅氧炉中试验证专项汇报》。报告确认，国产材料和设备在深圳平湖实验室完成了严苛的中试验证，各项核心指标达到国际先进水平，...

当前，电力电子系统对功率半导体器件的开关速度、散热能力、长期稳定性要求越来越严苛。碳化硅基氮化镓材料（GaN-on-SiC）既具有氮化镓高频高效的优势，又具有碳化硅衬底导热快、晶格匹配度高的特性，大幅提升散热性能与运行可靠性，是面向算力中心、航空航天、太空算力、人形机器人等高端应用领域的理想核心材料。   近日，深圳平湖实验室在氮化镓领域迎来重大进展，推出全球首个8吋GaN-on-SiC增强型HEMT工艺平台，直击当前氮化镓行业瓶颈，为算力中心、航空航天、太空算力、人形机器人等高端领域高效供电，筑牢核心材料自主化根基。 图1.  8吋GaN-on-SiC全流程晶圆 依托实验室科研+中试平台，团队已完成多项关键技术攻关，全方位验证了8吋GaN-on-SiC技术的产业化可行性： 8吋GaN-on-SiC外延生长：攻克了SiC衬底表面处理技术、SiC衬底上GaN外延生长技术，外延片翘曲＜20 μm； 8吋GaN-on-SiC无金工艺：攻克了GaN-on-SiC上p-GaN刻蚀、外延层表面钝化、欧姆接触等关键工艺。  图2.  8吋GaN-on-SiC 横...