第四代半导体研究团队 博士后
团队简介：
第四代半导体研究团队拥有来自国内外的院士，专家，学者，博士后，博士形成的中青年结构合理、善于攻关的20余人研究队伍，建有包括超宽和超窄带隙半导体理论研究，外延生长，器件模拟，器件制备，产品开发在内的研发平台。该团队拥有MOCVD，MBE，MPCVD, ALD，磁控溅射等先进设备进行材料生长，高性能超算平台进行量子计算，标准超净间和所需设施进行功率器件的制备，SIMS，TEM，FIB， EBL 和自主设计的可测量超宽半导体材料的禁带宽度，少子寿命和基于超宽带隙半导体的高耐温（550oC）高耐压（>11000V）以及大功率器件的表征系统。
合作导师介绍：
张道华，新加坡工程院院士，英国工程技术和物理两学会 Fellow，曾任新加坡南洋理工大学教授，微电子系副主任，新加坡半导体光电学会主席，具有30多年半导体材料和器件研究经历。
招聘条件：
1、具有半导体材料或半导体器件相关博士学位；
2、身心健康，年龄一般不超过35周岁；
3、对研究有浓厚兴趣；
4、具有创新和团队合作精神；
5、具有一定英语能力。
课题简介：
1、氧化镓外延生长和p-型掺杂研究，氧化镓基万伏功率器件研究。
招聘人数：2名
2、金刚石理论研究，金刚石基高耐温大功率器件研究。
招聘人数：2-3名
3、氮化铝/富铝镓氮器件研究，基于第一性原理的氮化铝欧姆接触研究。
招聘人数：2-3名
4、超窄带隙半导体材料生长和表征，超低功耗器件研究，超宽超窄禁带异质结功率器件开发。
招聘人数：2名
岗位职责：
1、独立承担或协助完成合作导师交给的研究课题；
2、独立/协助申报有关科研项目；
3、撰写SCI（英语）和国内（中文）期刊论文和专利；
4、协助指导研究生。
分享
