本月，第15届国际氮化物半导体会议（International Conference on Nitride Semiconductors，ICNS）在瑞典马尔默召开。ICNS-15是氮化物半导体领域国际学术会议，展示了基于III类氮化物半导体的材料和器件的具有高度影响力的科学和技术进展。ICNS-15 汇集了来自 37 个国家/地区的研究人员，分享他们的最新突破，交流思想，并推动氮化物半导体领域的发展。 本次会议，深圳平湖实验室GaN器件及工艺课题组展示了5项成果（1篇口头报告，4篇墙报），就GaN器件的p-GaN栅极可靠性、100 V高性能器件、650 V先进集成平台进行了报道。这五篇报告的第一作者为吴妍霖、刘轩、冯超、姜作衡、吴克平和陈嘉伟（共同一作），通讯作者为David Zhou和万玉喜。GaN首席科学家David Zhou和吴妍霖博士出席本次会议，进行学术分享、展示和交流。此外，吴妍霖博士担任了Power Electronic 2 (Reliability)的单元主席。 1.吴妍霖博士发表了主题为《A 650 V GaN Monolithic Integration Platform Featuring Low Capacitance and High-Performance P...

摘要： 深圳平湖实验室第四代材料与器件课题组首席科学家、新加坡工程院院士张道华教授受邀参加在新加坡举办的第12届国际先进技术材料大会（ICMAT2025），并在宽禁带半导体分会发表题为《超宽禁带β-氧化镓和氮化铝的某些特性研究》的邀请报告。 作为全球材料科学盛会之一，本届ICMAT2025吸引了近2500名行业代表参与。该会议自创办以来已成功举办12届，累计参会者超27000人，其中包括 28 位诺贝尔奖获得者、数百位杰出的全体会议和主题演讲嘉宾以及数千位受邀演讲嘉宾。 其中，张道华教授的报告《超宽禁带β-氧化镓和氮化铝的某些特性研究》介绍了深圳平湖实验室最近在β-氧化镓和氮化铝方面所取得的重要进展。主要包括： 1）通过改进刻蚀和清洗工艺，找到了减小氧化镓表面粗糙度的新方法，所获得的0.12nm目前最好，通过减小表面粗糙度，所制备的肖特基势垒二极管（SBD）理想因子达到1.05，同时器件的电流-电压（I-V）特性得到显著提高（图1）。 2）运用第一性原理，通过引入金属原子减小空穴有效质量，提高空穴迁移率，从而提高...

2025年6月23日，经深圳市人力资源和社会保障局严格评审与批准，深圳平湖实验室正式获批设立“博士后创新实践基地”。 此次获批设立“博士后创新实践基地”，是深圳平湖实验室在高层次科研平台建设、科技创新能力提升和高端人才培养引进方面的重大突破，获得了省市级权威部门的高度认可。标志着实验室在整合高等院校、科研院所资源，产学研协同创新方面迈上了全新台阶。 获批设立的“博士后创新实践基地”未来将依托实验室的科研资源、中试能力和平台优势，吸引国内外优秀博士后人才加入，共同开展前沿科学研究和技术创新，加速科研成果转化应用，推动相关产业的发展。同时，实验室也将以基地的设立为契机，进一步提升自身的科研水平和综合实力，面向功率半导体领域产出世界级成果，培养世界级人才。...

2025中国（深圳）集成电路峰会（简称ICS2025峰会）以“芯聚湾区，破局共生”为主题，1200余位业界精英齐聚峰会现场，共商集成电路产业在复杂国际形势与技术变革浪潮中的破局之道，共谋产业发展新篇。深圳平湖实验室作为深圳市半导体行业协会的会员单位应邀出席会议并设置展台展示。 ICS2025峰会高峰论坛上，深圳市半导体行业协会会长在致辞中表示，本届峰会的宗旨在于汇聚各方智慧，从全产业链的宏观视角出发，深挖我国在半导体领域的独特优势，群策群力，补链强链。 在峰会的颁奖环节，主办方为深圳半导体行业做出贡献的多家企事业单位颁奖，其中，深圳平湖实验室作为国际首个集科研和中试于一体的8吋功率半导体开放共享平台，致力于以市场需求为牵引，突破第三代半导体产业链环节的共性难题和关键技术，推动第三代半导体材料、设备、器件国产化，协同本地高校、企业不断驱动创新，荣获突出贡献奖。 本次峰会现场设有展示区，集中展示了半导体与集成电路产业最新的技术成果。国家第三代半导体技术创新中心（深圳）及其实体运营单位“深圳平湖实验...

近日，奥趋光电创始人、CEO吴亮博士受邀做客深圳平湖实验室专家讲座，围绕“第四代半导体AlN单晶生长及其应用前景展望”这一主题，为实验室科研人员带来了专业且深入的分享，展示了AlN单晶生长领域的前沿技术与发展潜力。 讲座聚焦于AlN，深入剖析其特征和多元应用场景，作为第四代超宽禁带半导体，AlN在光电器件、激光、雷达、功率器件等领域均展现出巨大价值。从技术层面来看，AlN具有高禁带宽度（6.2 eV）、高击穿场强（15.4 MV/cm）、高热导率（340 W/ m·K）及良好的紫外透光率、化学和热稳定性等优异性能，是高温、高频、高功率电子器件以及高Al组分深紫外光电器件的理想衬底材料，在紫外探测/预警、保密通讯、量子计算、5G/6G射频、高功率相控阵雷达、新一代柔性智能电网等领域具有广泛应用前景。 讲座中，吴亮博士梳理了过去50年来AlN晶体生长取得的重要进展，并系统介绍了PVT法生长AlN晶体的一般策略，深入分析了不同生长策略的技术优势、局限性以及未来面临的挑战。同时，对AlN单晶衬底的外延生长、各种掺杂及...

2025年4月26-27日，由中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会（简称专委会）主办，深圳平湖实验室、中山大学承办的“面向人工智能时代的GaN基功率半导体”专题研讨会在深圳成功举行。北京大学沈波教授、香港科技大学陈敬教授、西安电子科技大学张进成教授、广东省科学院半导体研究所陈志涛教授级高工、中山大学刘扬教授、深圳平湖实验室万玉喜主任、中国科学院苏州纳米技术与仿生研究所孙钱研究员、吉林大学张源涛教授、中科院微电子研究所黄森研究员、大连理工大学梁红伟教授等来自19家高校科研院所和20家主要企业的专家受邀参会研讨。 研讨会开幕式由万玉喜主任主持，刘扬教授介绍了会议筹备背景及组织情况，沈波教授代表专委会致辞指出，实践证明举办聚焦细分领域的专题研讨会是促进产、学、研深度交流与协同创新的一种有效方式，本次研讨会旨在通过围绕人工智能等领域对低压GaN功率器件的应用需求及亟需解决的技术难题进行研讨，以期进一步促进GaN基功率半导体技术进步和产业发展，更好满足我国AI智能计算、人形机器人、智能驾驶、无人机、激光...

4月23日2025九峰山论坛(JFSC)暨化合物半导体产业博览会(CSE)在光谷科技会展中心盛大开幕，两院院士、行业领袖、企业代表、专业观众聚首江城共赴年度之约。超两万平方展览面积近300家参展商亮相的沸腾现场证明化合物半导体的未来正在中国写下最炽热的注脚。 实力亮相科研机构展区，全景展示平台综合能力 本届展会六大主题展区覆盖从材料到设计、设备、制造及应用终端的化合物半导体全产业链，彰显化合物半导体产业热度与集群效应。除了行业头部FAB与化合物半导体设备厂商联袂亮相，展会首设科研机构展区，全景式展示尖端科研力量。 其中，国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台正式通线以来，第一次搭建特展展台并对外亮相，平台作为全国首个集科研和中试于一体的8吋功率半导体开放共享平台，本次博览会展台上全面展示科研平台、设计仿真平台、中试平台、分析检测中心能力，同时带来了8吋 SiC激光剥离衬底及复合衬底、1200V SiC外延及厚膜外延、650V GaN HEMT器件、1200V 80mΩ SiC MOSFET器件及1200V 20A SiC SBD器件...

为进一步加强一流大学科技园区建设，以高水平市校合作推动在深院校研究院高质量发展，2025年3月13日，深圳虚拟大学园春茗会在国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台成功举办。科创战略中心有关负责人、深圳虚拟大学园成员院校深圳研究院代表、国创中心深圳综合平台有关负责人共60余人参会。 会前，国创中心深圳综合平台邀请与会人员参观了全国首个集科研和中试于一体的8吋功率半导体工艺线及业内领先的产学研融合创新性析检测中心，平台相关负责人向大家详细介绍了平台的发展历程、核心业务、科研创新以及设备工艺等多方面的情况，让大家对平台的技术实力和合作潜力有了全面深入的认识。 会上，科创战略中心主要负责同志分享2024年深圳虚拟大学园的工作成效，并提出下一步工作计划。她提出，希望各成员院校深圳研究院充分发挥自身学科优势，深度融合深圳产业资源，共同推进国家大学科技园建设。 国创中心深圳综合平台主任万玉喜回顾了平台建设的各个重要节点，并表示将大力推动第三代半导体关键技术攻关及成果产业化，持续提升创新能力。万玉喜主任还诚邀各成员院校...