2026年4月23日，深圳平湖实验室分析检测中心李齐治博士受邀出席第三代半导体检测技术创新与应用论坛（2026第19届中国科学仪器发展年会），并发表题为《宽禁带半导体材料分析技术的应用与实践》的特邀报告。报告聚焦半导体器件研发与工艺流程优化中的实际痛点，系统阐述了XRD、AFM、SEM、TEM、SIMS及拉曼光谱等多种材料分析技术在碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等宽禁带半导体领域的应用案例与解决方案，通过材料分析实战案例在产业中的应用展示分析检测核心价值，用科学表征手段和高精度的技术方案夯实产业高质量发展的底座。 作为新能源汽车、5G通信、航空航天等战略性新兴产业的关键基础材料，第三代半导体对材料质量与工艺精度提出了极高要求。材料分析技术贯穿其研发、工艺优化到量产的全生命周期，是推动技术突破、质量跃升和产业链自主可控的核心支撑。 在衬底制备环节，SiC、GaN晶体对完整性、杂质及缺陷控制要求严苛，微管、位错等缺陷将直接制约器件性能。通过XRD、AFM、SEM等表征手段，可精准解析晶体结构、表面形貌及缺陷...

4月23日-25日，2026九峰山论坛在武汉光谷科技会展中心圆满举办。本届论坛以 “新赛道、新技术、新产品、新市场” 为核心主题，汇聚行业院士专家、头部企业代表及科研精英，打造中国化合物半导体领域规格最高、规模最大的行业盛会。深圳平湖实验室作为行业重要科研力量之一，深度参与论坛各项活动，联合发布权威报告，领衔分论坛承办，分享前沿科研成果等，全方位展现实验室在第三代、第四代半导体领域的科研实力与产业担当。 2026九峰山论坛开幕式   一、出席开幕式，联合发布权威报告 论坛开幕式现场大咖云集，中国科学院院士、武汉大学教授刘胜致辞并聚焦产业机遇与发展路径分享核心观点。开幕式上，由第三代半导体产业技术创新战略联盟编写的《第三代半导体产业发展报告（2025）》正式发布，第三代半导体技术产业创新战略联盟理事长吴玲作为主发布人，介绍了《报告》编制情况及产业趋势现状。深圳平湖实验室深度参与了本《报告》的编写，实验室主任万玉喜受邀上台，参与报告联合发布仪式。 《第三代半导体产业发展报告（2025）》正式发布  二、...

近日，由全国半导体器件标准化技术委员会半导体分立器件分技术委员会主办，第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）与深圳平湖实验室共同承办SiC和GaN的11项国家标准征求意见会，在深圳平湖实验室顺利召开。来自国内科研院所、高校、龙头企业及行业机构的近100位权威专家、工程师齐聚一堂，围绕11项重要国家标准征求意见稿展开深度研讨，共绘第三代半导体标准化发展蓝图。 本次会议聚焦的11项国家标准，核心任务是对三代半联盟标准采信为国家标准征求意见，覆盖SiC MOSFET功率循环、动态栅偏、动态反偏、动态高温高湿反偏、高温栅偏、高温反偏、高压高温高湿反偏及GaN HEMT动态导通电组测试等，直接关系到碳化硅、氮化镓器件的性能验证、质量管控与产业规模化应用，是新能源汽车、轨道交通、智能电网、工业变频等战略领域高质量发展的重要技术基石。“启动会议上，标委会陈海蓉秘书长、三代半联盟副理事长兼秘书长杨富华致辞，标委会张丽静老师讲解总体工作安排。启动会议由三代半联盟副秘书长高伟博士主持。后续的分组会议期间，专家们逐...

随着人工智能、人形机器人、低空无人机与数据中心等新兴领域快速发展，对高效率、小体积、高可靠性的功率器件需求持续攀升，100V电压等级已成为多场景应用的关键节点。为更好支撑产业研发与高校人才培养，深圳平湖实验室正式推出100V GaN MPW 共享服务平台与配套 PDK 设计工具包，面向行业与高校开放全流程流片服务。 一、100V GaN典型应用场景 100V GaN 器件应用覆盖广泛，在数据中心低压中间母线转换器（LV IBC，54V 转 12/6V）、人形机器人关节电机驱动、DC-DC电源、激光雷达及低空无人机等方向均具备突出优势。凭借更小体积、更低损耗与更高控制精度，可有效提升系统效率与续航能力，也为本次100V MPW与PDK平台提供了清晰的应用落地方向。 二、深圳平湖实验室 100V GaN MPW 共享服务平台 依托“研发+中试 一体化平台能力，深圳平湖实验室已构建覆盖15~1200V的全电压等级GaN MPW服务体系，本次重点推出 100V GaN MPW共享服务。 （1）MPW服务模式 将单颗晶圆划分为多个Shot单元，每个Shot再分割为约2...

近日，深圳平湖实验室第四代半导体首席科学家、新加坡工程院院士张道华教授先后受邀参加两场重要会议并做邀请报告，为行业带来前沿研究成果与创新思路。 01 第十届电子器件和制备会议 3月1日至5日，张道华教授出席在马来西亚槟城举行的第十届电子器件和制备会议。作为国际半导体领域的权威专家，张教授在会议期间围绕超宽禁带半导体方面的研究进展和所面临的挑战，分享了其团队在超宽禁带半导体材料研究中的突破性成果，为参会学者提供了宝贵的学术参考。   02 第二届第四代半导体技术研讨会 3月17日至19日，张道华教授出席于浙江杭州举办的第二届第四代半导体技术研讨会并主持了首日下午第一阶段会议。此次会议由浙江大学杭州国际科创中心等机构联合主办，汇聚了国内外半导体领域的顶尖专家。张教授以“氮化铝氧化镓研究进展”为主题作大会报告，深入探讨了氮化铝、氧化镓等超宽禁带半导体材料在极端环境应用中的优势及当前面临的材料性能提升、掺杂缺陷调控等挑战。他还介绍了深圳平湖实验室在宽带隙和超宽带隙半导体研究方面的战略布局与配套设施建设...

2026 年 3 月 20 日，全国集成电路标准化技术委员会宽禁带半导体工作组成立大会暨技术研讨会在北京顺利召开。工业和信息化部、国家市场监督管理总局标准技术管理司、中国电子技术标准化研究院等相关单位领导出席会议并讲话。 会上正式宣布宽禁带半导体工作组成立，明确工作组将以完善宽禁带半导体标准体系、加快重点标准研制、推动产业协同为核心方向，助力我国宽禁带半导体产业规范化、体系化和高质量发展。 深圳平湖实验室主任万玉喜作为工作组成员受邀参会，并深度参与标准体系研讨与产业协同交流。未来，深圳平湖实验室将依托自身技术积累与平台优势，积极投身宽禁带半导体标准研究与制订工作，紧密协同产业链上下游伙伴，共建质量标准体系，以标准引领技术突破，以协同推动产业升级，为实现我国宽禁带半导体产业自主可控、持续健康发展贡献力量。    ...

国际功率半导体器件与集成电路会议(ISPSD)被视为功率半导体领域的“奥林匹克盛会”，是本领域最具国际影响力的顶级会议，学术论文录用标准极为严苛。在刚刚结束的 ISPSD 2026 征稿评比中，深圳平湖实验室同时有6篇论文获组委会录用接收（两篇口头报告，四篇墙报），内容覆盖 GaN、SiC 及第三代跃升多个方向。本次录用成果中，实验室为第一单位的有5篇，其中3篇为唯一单位，另3篇GaN方向接收文章分别是与香港科技大学，南方科技大学、电子科技大学、深圳职业技术大学合著。 6篇论文联袂登陆顶会，是深圳平湖实验室坚持前沿探索与产业攻坚并重的有力印证。未来，实验室仍将持续锚定第三代、第四代功率半导体核心技术，打造全球功率半导体科研探索与创新高地！     关于ISPSD ISPSD会议 (International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs) 是功率半导体器件和功率集成电路领域在国际上最重要、最具影响力的学术会议，历史上电力电子器件领域的重大发明和技术进展大多在这个会议上首次发表，历届大会...

2026年2月9日，深圳平湖实验室万玉喜主任携实验室技术委员会专家代表，碳化硅领域首席专家和战略规划部、伙伴发展部主管等一行八人前往南方电网公司总部，就新型电力电子器件在输变电和配电领域的应用开展调研交流。南方电网公司副总经理李锐、南方电网科学研究院董事长、党委书记郑外生等领导及南网新兴产业部、南网科研院电力电子所的领导、专家们参加座谈。 双方就现有输变电、配电的技术发展趋势，应用痛点，技术要求等充分交流了看法。南方电网与会领导对于深圳平湖实验室研发中的高压碳化硅功率器件技术表示了浓厚的兴趣。双方在会上达成一致，会后建立联合工作组，针对碳化硅高压器件技术展开场景匹配和应用验证，并以产业化为目标尽快开展研发合作。双方会择机促成建设多方联合实验室，推动新型功率半导体器件在高压电力电子场景中的应用落地。 撰稿 |  左正  ...