10月22-24日，2025半导体材料产业发展 (郑州) 大会暨中国电子材料行业协会半导体材料分会年会圆满召开。本届大会以“协同发展、合作共享”为核心议题，聚焦第一至四代半导体材料的研制突破与器件应用实践，与会者深入探讨：如何深化产业链融通，让上下游环节无缝衔接；如何强化供应链协同，筑牢产业发展安全屏障；如何筑牢新材料企业硬核实力，为产业升级注入持久动能等核心问题，都直指提升我国半导体材料产业核心竞争力的关键。 深圳平湖实验室第四代半导体首席科学家张道华教授受邀出席大会并作为嘉宾上台参与大会启动仪式。 开幕式当日的主论坛环节，张道华教授还作了题为《超宽禁带半导体的进展和挑战》的主题报告。报告系统剖析了超宽禁带半导体的性能优势、应用场景与产业化难题，以及业界对于超宽禁带半导体材料与器件的前沿研究，重点分享了氧化镓、氮化铝、金刚石等材料的近期研究进展，同时也介绍了深圳平湖实验室对于第四代半导体的研究布局和平台能力，并结合产业需求进行了展望与总结。 张道华教授的专业解读与前沿分享，既厘清了技术攻关的重...

10月15日，2025湾区半导体产业生态博览会（湾芯展）在深圳会展中心（福田）开幕，依托于深圳平湖实验室的国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台（简称“深圳综合平台”）在化合物半导体产业发展高峰论坛上携多项核心技术成果及未来前沿探索技术亮相展会，在这场集结600余家全球半导体领军企业的行业盛会上，以“开放共享”姿态释放技术创新活力，为破解产业痛点注入核心动能。 一、平台技术成果发布：亮点纷呈聚力创新 在电子设备和装置中，功率半导体与集成电路同等重要。宽禁带功率半导体是现代电力电子器件、射频器件的高潜力器件，其核心竞争力不是在极小特征尺寸，而是在基于新材料、新装备、新工艺和器件结构创新的有机结合，尤其适合应用在高压、高频、大功率领域。以SiC、GaN为代表的第三代半导体，以及以氧化镓、氮化铝、金刚石等为代表的第四代半导体，未来应用前景十分广泛。 深圳综合平台是全球首个集科研和中试于一体的8吋先进功率半导体开放共享平台，具备全链条的研发到产业化能力。平台现有研究中心、中试中心、分析检测中...

2025年第22届国际碳化硅及相关先进材料会议（The 22nd International Conference on Silicon Carbide and Related Materials-ICSCRM 2025）在韩国釜山举办。ICSCRM是全球碳化硅与宽禁带半导体领域最具影响力的国际会议之一，本次会议聚焦功率器件、材料科学及新兴应用等前沿议题。会议包含主题演讲、技术展示和产业交流环节，吸引全球专家学者及产业链上下游企业参与。 深圳平湖实验室近期两项关键研究成果亮相ICSCRM，研究内容基于已授权的专利，充分体现了实验室的前沿探索能力和产业应用能力。其中， 深圳平湖实验室第三代跃升课题组展示了1项成果（1篇墙报），报告作者为支海朝博士。研究内容基于已授权中国专利（CN118352396B）以及已公开的中国专利申请（CN119767744A），报告讨论基于碳化硅外延回填工艺，全flow无需离子注入即可实现具有侧壁寄生p-MOS 的碳化硅沟槽栅MOSFET器件。通过单粒子辐照TCAD仿真，证实该MOSFET结构具有高抗单粒子辐照特性。报告获得较多与会专家关注，支海朝博士与AIST、SUN...

由广东省委、省政府联合教育部主办的“百万英才汇南粤”2025年N城联动秋季招聘于9月23日在上海启动。本次活动深圳集结了大量优质企业与事业单位，搭建青年人才“求职不用跑，机遇找上门”的逐梦快车道。 深圳平湖实验室作为优质科研单位代表参加了“百万英才汇南粤”的招聘活动，实验室主任万玉喜受邀出席活动启动式。 招聘活动现场，累计吸引超2万名高校学生以及390名留学生。广东省副省长李运一行来到深圳平湖实验室的招聘展位，和实验室主任万玉喜进行了深入交流，李运副省长对深圳平湖实验室积极参与此次招聘活动并为应届生提供优质岗位、促进高质量人才就业等方面给予了高度评价。 此外，深圳平湖实验室的招聘展位也吸引了包括光明日报、新华社、广东电视台、深圳卫视、南方都市报、证券时报、21世纪经济报道等多家媒体的关注。深圳平湖实验室主任万玉喜接受媒体记者采访，介绍了实验室的使命、研究方向、引才计划、中试中心能力及定位等。他强调平台是围绕碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）及下一代先进功率半导体材料、器件、核...

摘要：中国大连，第六届全国宽禁带半导体会议上深圳平湖实验室两项研究成果以口头报告形式亮相：查显弧博士的《金属固溶对b相氧化镓能带结构调控及固溶体p型导电研究》，张荣军博士的《氮化铝功率器件研究进展》，两项报告展现了深圳平湖实验室在超宽禁带半导体领域深耕前沿理论研究的积极探索，为行业发展注入了新思考和新活力。   8月10日至13日，第六届全国宽禁带半导体会议在中国大连召开。本次会议围绕宽禁带半导体材料生长技术、材料结构与物性、光电子和电子器件研发以及相关设备研发等领域展开了广泛交流。会上，深圳平湖实验室两项研究成果以口头报告形式亮相，分别聚焦b相氧化镓p型导电的理论研究和氮化铝功率器件研究的相关进展。其中，氧化镓p型导电理论研究报告由查显弧博士主讲，氮化铝功率器件研究进展报告由张荣军博士主讲。 8月11日晚，深圳平湖实验室万玉喜主任参加了第二届中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会届中工作会议。   查显弧博士报告 查显弧博士的报告《金属固溶对b相氧化镓能带结构调控及固溶体p型导电研究》，介绍了单一固...

本月，第15届国际氮化物半导体会议（International Conference on Nitride Semiconductors，ICNS）在瑞典马尔默召开。ICNS-15是氮化物半导体领域国际学术会议，展示了基于III类氮化物半导体的材料和器件的具有高度影响力的科学和技术进展。ICNS-15 汇集了来自 37 个国家/地区的研究人员，分享他们的最新突破，交流思想，并推动氮化物半导体领域的发展。 本次会议，深圳平湖实验室GaN器件及工艺课题组展示了5项成果（1篇口头报告，4篇墙报），就GaN器件的p-GaN栅极可靠性、100 V高性能器件、650 V先进集成平台进行了报道。这五篇报告的第一作者为吴妍霖、刘轩、冯超、姜作衡、吴克平和陈嘉伟（共同一作），通讯作者为David Zhou和万玉喜。GaN首席科学家David Zhou和吴妍霖博士出席本次会议，进行学术分享、展示和交流。此外，吴妍霖博士担任了Power Electronic 2 (Reliability)的单元主席。 1.吴妍霖博士发表了主题为《A 650 V GaN Monolithic Integration Platform Featuring Low Capacitance and High-Performance P...

摘要： 深圳平湖实验室第四代材料与器件课题组首席科学家、新加坡工程院院士张道华教授受邀参加在新加坡举办的第12届国际先进技术材料大会（ICMAT2025），并在宽禁带半导体分会发表题为《超宽禁带β-氧化镓和氮化铝的某些特性研究》的邀请报告。 作为全球材料科学盛会之一，本届ICMAT2025吸引了近2500名行业代表参与。该会议自创办以来已成功举办12届，累计参会者超27000人，其中包括 28 位诺贝尔奖获得者、数百位杰出的全体会议和主题演讲嘉宾以及数千位受邀演讲嘉宾。 其中，张道华教授的报告《超宽禁带β-氧化镓和氮化铝的某些特性研究》介绍了深圳平湖实验室最近在β-氧化镓和氮化铝方面所取得的重要进展。主要包括： 1）通过改进刻蚀和清洗工艺，找到了减小氧化镓表面粗糙度的新方法，所获得的0.12nm目前最好，通过减小表面粗糙度，所制备的肖特基势垒二极管（SBD）理想因子达到1.05，同时器件的电流-电压（I-V）特性得到显著提高（图1）。 2）运用第一性原理，通过引入金属原子减小空穴有效质量，提高空穴迁移率，从而提高...

2025年6月23日，经深圳市人力资源和社会保障局严格评审与批准，深圳平湖实验室正式获批设立“博士后创新实践基地”。 此次获批设立“博士后创新实践基地”，是深圳平湖实验室在高层次科研平台建设、科技创新能力提升和高端人才培养引进方面的重大突破，获得了省市级权威部门的高度认可。标志着实验室在整合高等院校、科研院所资源，产学研协同创新方面迈上了全新台阶。 获批设立的“博士后创新实践基地”未来将依托实验室的科研资源、中试能力和平台优势，吸引国内外优秀博士后人才加入，共同开展前沿科学研究和技术创新，加速科研成果转化应用，推动相关产业的发展。同时，实验室也将以基地的设立为契机，进一步提升自身的科研水平和综合实力，面向功率半导体领域产出世界级成果，培养世界级人才。...