近期，半导体行业迎来密集交流期，深圳平湖实验室携多项技术成果与过硬的科研能力，接连亮相多个行业盛会，在功率半导体科研创新、衬底外延加工平台与技术、全流程一站式分析检测等领域深度发声，以多维对话搭建协作桥梁，彰显科研机构的行业引领能力。   一、第十一届全国新型半导体功率器件及应用技术研讨会暨第三代半导体产业融合创新发展(昆山)论坛 11月21日，第十一届全国新型半导体功率器件及应用技术研讨会暨第三代半导体产业融合创新发展(昆山)论坛开幕，行业专家学者与企业代表齐聚一堂，共探产业发展新路径。深圳平湖实验室主任万玉喜受邀出席开幕式，并在当日专场会议中发表特邀报告《功率半导体发展历程及宽禁带和超宽禁带功率半导体技术挑战》。报告系统梳理功率半导体技术演进脉络，聚焦宽禁带和超宽禁带半导体材料在功率器件应用中的核心技术，结合实验室研发实践及产业需求提出新思路、应对新挑战，为产业发展与技术提升提供了有益的参考。   二、2025集成电路发展论坛（成渝）暨第三十一届集成电路设计业展览会 11月20-21日，2025集成电路发...

第二十七届中国国际高新技术成果交易会(简称“高交会”)由深圳市人民政府主办，11月14-16日在深圳国际会展中心（宝安）盛大开幕。全球前沿科技集结深圳，“粤科技”馆由广东省领衔打造，整合深圳11个行政区及多地优势资源，构建起跨区域联动的科创展示矩阵。馆内集中呈现深圳“20+8”产业方阵核心成果，全面覆盖人工智能、新材料、低空经济、半导体、海洋科技等热门赛道，多元科创生态成绩斐然。 半导体作为热门赛道之一，其技术突破与产业应用备受关注，深圳平湖实验室受邀携多项科技成果登录深圳科创官方展厅。  展会期间，深圳平湖实验室质量与流程IT部部长赵鲁江做客深圳科创官方直播间，与线上观众展开深度互动。直播中，赵鲁江部长系统介绍了实验室的平台能力、技术突破与产业价值，科普了宽禁带功率半导体在绿色低碳和AI应用领域的重要意义，并向怀揣梦想的青年半导体人送上寄语，鼓励青年一代深耕科研、勇于探索，为我国半导体产业自主创新注入青春力量。 未来，深圳平湖实验室将持续聚焦先进功率半导体领域的核心技术...

近日，中国科学院院士、武汉大学工业科学研究院执行院长、微电子学院副院长、集成电路学院院长刘胜教授一行到访深圳平湖实验室，实验室主任万玉喜接待并陪同参观。 刘胜院士一行先后走进实验室展厅与洁净间参观通道，万玉喜主任系统介绍了实验室的建设进展、研发方向、现有成果及未来发展布局等。双方围绕宽禁带半导体技术创新、产学研协同发展等话题进行了深入交流。 ...

2025年11月12日，年度国际第三代半导体行业盛会——第十一届国际第三代半导体论坛&第二十二届中国国际半导体照明论坛（IFWS&SSLCHINA 2025）在厦门成功召开。在开幕式上第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长、国家新材料产业发展专家咨询委员会委员吴玲现场发布了2025年度中国第三代半导体技术十大进展，其中，深圳平湖实验室“8英寸SiC Trench MOSFET功率器件设计与工艺开发”成功入选。 组委会现场为十大进展颁发了入选证书，深圳平湖实验室伙伴发展部部长左正博士登台领奖。 在此次评选中，深圳平湖实验室还有三项成果强势跻身“2025年度中国第三代半导体技术进展TOP30”榜单，成为本届大会入选技术成果数量最多的科研机构。这一亮眼成绩充分体现了实验室在第三代半导体材料与器件等多个领域的全面布局与积累，以及推动产业技术创新的雄厚实力。  ...

10月22-24日，2025半导体材料产业发展 (郑州) 大会暨中国电子材料行业协会半导体材料分会年会圆满召开。本届大会以“协同发展、合作共享”为核心议题，聚焦第一至四代半导体材料的研制突破与器件应用实践，与会者深入探讨：如何深化产业链融通，让上下游环节无缝衔接；如何强化供应链协同，筑牢产业发展安全屏障；如何筑牢新材料企业硬核实力，为产业升级注入持久动能等核心问题，都直指提升我国半导体材料产业核心竞争力的关键。 深圳平湖实验室第四代半导体首席科学家张道华教授受邀出席大会并作为嘉宾上台参与大会启动仪式。 开幕式当日的主论坛环节，张道华教授还作了题为《超宽禁带半导体的进展和挑战》的主题报告。报告系统剖析了超宽禁带半导体的性能优势、应用场景与产业化难题，以及业界对于超宽禁带半导体材料与器件的前沿研究，重点分享了氧化镓、氮化铝、金刚石等材料的近期研究进展，同时也介绍了深圳平湖实验室对于第四代半导体的研究布局和平台能力，并结合产业需求进行了展望与总结。 张道华教授的专业解读与前沿分享，既厘清了技术攻关的重...

10月15日，2025湾区半导体产业生态博览会（湾芯展）在深圳会展中心（福田）开幕，依托于深圳平湖实验室的国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台（简称“深圳综合平台”）在化合物半导体产业发展高峰论坛上携多项核心技术成果及未来前沿探索技术亮相展会，在这场集结600余家全球半导体领军企业的行业盛会上，以“开放共享”姿态释放技术创新活力，为破解产业痛点注入核心动能。 一、平台技术成果发布：亮点纷呈聚力创新 在电子设备和装置中，功率半导体与集成电路同等重要。宽禁带功率半导体是现代电力电子器件、射频器件的高潜力器件，其核心竞争力不是在极小特征尺寸，而是在基于新材料、新装备、新工艺和器件结构创新的有机结合，尤其适合应用在高压、高频、大功率领域。以SiC、GaN为代表的第三代半导体，以及以氧化镓、氮化铝、金刚石等为代表的第四代半导体，未来应用前景十分广泛。 深圳综合平台是全球首个集科研和中试于一体的8吋先进功率半导体开放共享平台，具备全链条的研发到产业化能力。平台现有研究中心、中试中心、分析检测中...

2025年第22届国际碳化硅及相关先进材料会议（The 22nd International Conference on Silicon Carbide and Related Materials-ICSCRM 2025）在韩国釜山举办。ICSCRM是全球碳化硅与宽禁带半导体领域最具影响力的国际会议之一，本次会议聚焦功率器件、材料科学及新兴应用等前沿议题。会议包含主题演讲、技术展示和产业交流环节，吸引全球专家学者及产业链上下游企业参与。 深圳平湖实验室近期两项关键研究成果亮相ICSCRM，研究内容基于已授权的专利，充分体现了实验室的前沿探索能力和产业应用能力。其中， 深圳平湖实验室第三代跃升课题组展示了1项成果（1篇墙报），报告作者为支海朝博士。研究内容基于已授权中国专利（CN118352396B）以及已公开的中国专利申请（CN119767744A），报告讨论基于碳化硅外延回填工艺，全flow无需离子注入即可实现具有侧壁寄生p-MOS 的碳化硅沟槽栅MOSFET器件。通过单粒子辐照TCAD仿真，证实该MOSFET结构具有高抗单粒子辐照特性。报告获得较多与会专家关注，支海朝博士与AIST、SUN...

由广东省委、省政府联合教育部主办的“百万英才汇南粤”2025年N城联动秋季招聘于9月23日在上海启动。本次活动深圳集结了大量优质企业与事业单位，搭建青年人才“求职不用跑，机遇找上门”的逐梦快车道。 深圳平湖实验室作为优质科研单位代表参加了“百万英才汇南粤”的招聘活动，实验室主任万玉喜受邀出席活动启动式。 招聘活动现场，累计吸引超2万名高校学生以及390名留学生。广东省副省长李运一行来到深圳平湖实验室的招聘展位，和实验室主任万玉喜进行了深入交流，李运副省长对深圳平湖实验室积极参与此次招聘活动并为应届生提供优质岗位、促进高质量人才就业等方面给予了高度评价。 此外，深圳平湖实验室的招聘展位也吸引了包括光明日报、新华社、广东电视台、深圳卫视、南方都市报、证券时报、21世纪经济报道等多家媒体的关注。深圳平湖实验室主任万玉喜接受媒体记者采访，介绍了实验室的使命、研究方向、引才计划、中试中心能力及定位等。他强调平台是围绕碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）及下一代先进功率半导体材料、器件、核...