2025年4月26-27日，由中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会（简称专委会）主办，深圳平湖实验室、中山大学承办的“面向人工智能时代的GaN基功率半导体”专题研讨会在深圳成功举行。北京大学沈波教授、香港科技大学陈敬教授、西安电子科技大学张进成教授、广东省科学院半导体研究所陈志涛教授级高工、中山大学刘扬教授、深圳平湖实验室万玉喜主任、中国科学院苏州纳米技术与仿生研究所孙钱研究员、吉林大学张源涛教授、中科院微电子研究所黄森研究员、大连理工大学梁红伟教授等来自19家高校科研院所和20家主要企业的专家受邀参会研讨。 研讨会开幕式由万玉喜主任主持，刘扬教授介绍了会议筹备背景及组织情况，沈波教授代表专委会致辞指出，实践证明举办聚焦细分领域的专题研讨会是促进产、学、研深度交流与协同创新的一种有效方式，本次研讨会旨在通过围绕人工智能等领域对低压GaN功率器件的应用需求及亟需解决的技术难题进行研讨，以期进一步促进GaN基功率半导体技术进步和产业发展，更好满足我国AI智能计算、人形机器人、智能驾驶、无人机、激光...

4月23日2025九峰山论坛(JFSC)暨化合物半导体产业博览会(CSE)在光谷科技会展中心盛大开幕，两院院士、行业领袖、企业代表、专业观众聚首江城共赴年度之约。超两万平方展览面积近300家参展商亮相的沸腾现场证明化合物半导体的未来正在中国写下最炽热的注脚。 实力亮相科研机构展区，全景展示平台综合能力 本届展会六大主题展区覆盖从材料到设计、设备、制造及应用终端的化合物半导体全产业链，彰显化合物半导体产业热度与集群效应。除了行业头部FAB与化合物半导体设备厂商联袂亮相，展会首设科研机构展区，全景式展示尖端科研力量。 其中，国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台正式通线以来，第一次搭建特展展台并对外亮相，平台作为全国首个集科研和中试于一体的8吋功率半导体开放共享平台，本次博览会展台上全面展示科研平台、设计仿真平台、中试平台、分析检测中心能力，同时带来了8吋 SiC激光剥离衬底及复合衬底、1200V SiC外延及厚膜外延、650V GaN HEMT器件、1200V 80mΩ SiC MOSFET器件及1200V 20A SiC SBD器件...

为进一步加强一流大学科技园区建设，以高水平市校合作推动在深院校研究院高质量发展，2025年3月13日，深圳虚拟大学园春茗会在国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台成功举办。科创战略中心有关负责人、深圳虚拟大学园成员院校深圳研究院代表、国创中心深圳综合平台有关负责人共60余人参会。 会前，国创中心深圳综合平台邀请与会人员参观了全国首个集科研和中试于一体的8吋功率半导体工艺线及业内领先的产学研融合创新性析检测中心，平台相关负责人向大家详细介绍了平台的发展历程、核心业务、科研创新以及设备工艺等多方面的情况，让大家对平台的技术实力和合作潜力有了全面深入的认识。 会上，科创战略中心主要负责同志分享2024年深圳虚拟大学园的工作成效，并提出下一步工作计划。她提出，希望各成员院校深圳研究院充分发挥自身学科优势，深度融合深圳产业资源，共同推进国家大学科技园建设。 国创中心深圳综合平台主任万玉喜回顾了平台建设的各个重要节点，并表示将大力推动第三代半导体关键技术攻关及成果产业化，持续提升创新能力。万玉喜主任还诚邀各成员院校...

中共中央办公厅、国务院办公厅印发了《关于进一步加强科研诚信建设的若干意见》，并发出通知，要求各地区各部门结合实际认真贯彻落实。 《关于进一步加强科研诚信建设的若干意见》全文如下。 科研诚信是科技创新的基石。近年来，我国科研诚信建设在工作机制、制度规范、教育引导、监督惩戒等方面取得了显著成效，但整体上仍存在短板和薄弱环节，违背科研诚信要求的行为时有发生。为全面贯彻党的十九大精神，培育和践行社会主义核心价值观，弘扬科学精神，倡导创新文化，加快建设创新型国家，现就进一步加强科研诚信建设、营造诚实守信的良好科研环境提出以下意见。 一、总体要求 （一）指导思想。全面贯彻党的十九大和十九届二中、三中全会精神，以习近平新时代中国特色社会主义思想为指导，落实党中央、国务院关于社会信用体系建设的总体要求，以优化科技创新环境为目标，以推进科研诚信建设制度化为重点，以健全完善科研诚信工作机制为保障，坚持预防与惩治并举，坚持自律与监督并重，坚持无禁区、全覆盖、零容忍，严肃查处违背科研诚信要求的行为，着力打造共建共享...

      2024年中央经济工作会议提出，以科技创新引领新质生产力发展，建设现代化产业体系。深圳认真学习贯彻习近平总书记关于科技创新和新质生产力的重要论述，加快构建具有深圳特点和深圳优势的现代化产业体系，在过去一年里涌现出一大批科技创新成果。       其中，以深圳平湖实验室作为主体运营单位的国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台取得阶段性成果，其打造的“全国首个集科研和中试于一体的8吋先进功率半导体开放共享平台建成启用”入选2024年深圳科技创新十件大事及《深圳特区报》2024深圳产业科技创新大事。两次入选市级科创年度大事件，既是深圳综合平台迈出里程碑一步的重要标志，也是平台全体同仁齐心协力、共同努力的成果见证。 图一：入选深圳市科技创新局2024年深圳科技创新十件大事      图二：入选《深圳特区报》2024深圳产业科技创新大事     内容来源 | 深圳市科技创新局、深圳特区报整理编辑 | 翟雪婷、宋子杰...

01 通线仪式——创芯启航，通线未来 在政府各部门的关心支持和相关企事业单位的全力推进下，国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台于2024年11月29日正式举办通线仪式。 通线仪式当天汇聚了包括政府领导、高校领导和教授以及来自行业协会、领军企业的近百名重量级嘉宾到场，一同见证了这一历史性的时刻。这不仅是对深圳综合平台能力的肯定和鼓励，也展现了各界对平台未来发展的期待和信心。 活动在深圳综合平台中试线总经理Peter CHIA的主持下拉开帷幕，开场介绍到场嘉宾后，与会人员通过观看平台建设过程回顾视频，全面了解了平台从筹备、建设到通线的每一步重要节点和成长历程。 中国工程院院士、中国工程院原副院长、国家新材料产业发展专家咨询委员会主任干勇院士登台致辞，他从国家战略层面阐述了深圳综合平台的重要性，并对该平台的发展前景充满信心。同时表达了对超宽禁带化合物半导体技术创新的重视与支持，强调了深圳在产业链集群方面的优势以及对深圳综合平台未来的期许。 中国电子科技集团有限公司总监左雷紧接着登台致辞，高度肯定了深圳...

2024年11月19日，第十届国际第三代半导体论坛&第二十一届中国国际半导体照明论坛（IFWS&SSLCHINA2024）在苏州开幕这是第三代半导体领域重要的论坛之一，行业专家云集，深圳平湖实验室多位专家学者受邀出席大会，并在多场分论坛带来精彩分享，深度参与其中。   9项 SiC MOSFET测试与可靠性标准发布仪式 为促进产业链协同创新发展，第三代半导体产业技术创新战略联盟在产业各界的关注和支持下，布局并持续启动了SiC MOSFET功率器件的系列标准制定工作，本次开幕式上，举行了9项SiC MOSFET功率器件测试与可靠性标准的发布仪式。深圳平湖实验室主任万玉喜作为参与多个标准制定的单位代表上台共同发布。 这一系列标准的发布，旨在为SiC MOSFET功率器件提供一套科学、合理的测试与评估方法，支撑产品性能提升，推动产业高质量发展。   第三代半导体标准与检测研讨会 “第三代半导体标准与检测研讨会”同步举办，本次研讨会亮点纷呈，多位行业权威专家围绕第三代半导体的技术前沿和标准体系进行了深...

        2024年11月18日-21日，在苏州举办的第六届先进半导体技术应用创新展（CASTAS2024）上，深圳平湖实验室首次以展台形式对外亮相，吸引了现场专业观众、众多学者、高校学生前往驻足，展台交流气氛热烈，充分体现了实验室建设面向全国的公共、开放、共享平台的使命担当。 本次参展对实验室的研发方向、平台能力、人才梯队进行了全面的介绍。   实验室专家与参展观众展开深入交流，了解客户需求，针对各类技术问题进行专业解答。同时向现场观众展示了最新激光剥离的衬底、外延研究成果。 通过本次参展，让众多行业专家、潜在客户及合作伙伴知晓深圳平湖实验室，为全面开展对外合作打下基础。     撰稿 | 翟雪婷 编辑 | 李晓...