深圳平湖实验室成果入选“2025年度中国第三代半导体技术十大进展”榜单

2025年11月12日，年度国际第三代半导体行业盛会——第十一届国际第三代半导体论坛&第二十二届中国国际半导体照明论坛（IFWS&SSLCHINA 2025）在厦门成功召开。在开幕式上第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长、国家新材料产业发展专家咨询委员会委员吴玲现场发布了2025年度中国第三代半导体技术十大进展，其中，深圳平湖实验室“8英寸SiC Trench MOSFET功率器件设计与工艺开发”成功入选。

组委会现场为十大进展颁发了入选证书，深圳平湖实验室伙伴发展部部长左正博士登台领奖。

在此次评选中，深圳平湖实验室还有三项成果强势跻身“2025年度中国第三代半导体技术进展TOP30”榜单，成为本届大会入选技术成果数量最多的科研机构。这一亮眼成绩充分体现了实验室在第三代半导体材料与器件等多个领域的全面布局与积累，以及推动产业技术创新的雄厚实力。