摘要：在龙岗的国家第三代半导体技术创新中心（深圳）试验转化平台，120多台专注于功率芯片研发、生产、检测等关键环节的国产设备，已通过平台生产线的实际验证。这个开放共享的试验转化平台填补了以往产业从实验室研发到产品量产之间的服务空白，能够帮助企业降低转化风险。 来源：央视新闻联播    

摘要：8月13日晚，央视《新闻联播》播出《深圳：科技创新驱动产业升级！新质生产力激活高质量发展》专题报道，由深圳市科技创新局指导、深重投集团投资建设的国家第三代半导体技术创新中心（深圳）（以下简称“国创中心”）发展成效获点赞关注。 来源：深重投集团    

摘要：广东深圳立足自身科研优势与产业基础，以科技创新驱动产业升级，加速培育新质生产力，为经济高质量发展注入澎湃活力。 在位于龙岗的国家第三代半导体技术创新中心（深圳）试验转化平台，120多台专注于功率芯片研发、生产、检测等关键环节的国产设备，已通过平台生产线的实际验证，这个开放共享的试验转化平台，填补了以往产业从实验室研发到产品量产之间的服务空白，能够帮助企业降低转化风险。 来源：湖北日报网    ...

摘要：近日，国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台（以下简称“国创中心”）在氮化镓/碳化硅集成领域取得突破性进展，在国际上首次研制了商用8英寸4°倾角4H-SiC衬底上的高质量氮化铝镓/氮化镓异质结构外延。这一成果打破了大尺寸氮化镓与碳化硅材料单片集成的技术瓶颈，可批量应用于大尺寸、高质量氮化镓外延材料制备，为现有硅基氮化镓技术路线提供了一种极具竞争力的替代方案，为氮化镓/碳化硅混合晶体管的发展和产业化进程奠定基础。 来源：深圳特区报    ...

摘要：深圳集成电路产业上半年增长16.9% 创历史同期新高 在深圳国家第三代半导体技术创新中心，今年以来，科研项目进度条持续刷新，8吋碳化硅1200V沟槽栅MOSFET流片成功、碳化硅衬底激光剥离技术等方面创新成果不断产出。6月底，张道华教授团队前瞻研发，成功制备国内首个氮化铝/富铝镓氮高电子迁移率晶体管功率器件。氮化铝、氧化镓等作为第四代半导体材料能够在高温、高压等极端环境下，实现更小体积的高效功率传输，未来将应用在智能电网、航空航天等领域。 来源：深视新闻    ...

摘要：深圳平湖实验室使用国产的全自动化激光剥离系统，对激光剥离的机理进行深入研究、系统优化激光剥离工艺参数，2025年6月实现SiC激光剥离的单片总损耗≤75μm，单片成本降低约26%，达到国际先进水平，已完成三批次的小批量验证，良率100%。 这是一项令人振奋的技术突破！核心性能指标达到国际先进水平，在关键技术及设备上实现了自主可控，保障了供应链安全，降低了对外依赖风险，工艺成熟可靠，可快速实现产业化。   来源：凤凰新闻    ...

摘要：深圳平湖实验室与深圳市鹏进高科技有限公司合作，在国产宽禁带半导体功率器件研发领域取得重大进展，成功攻克1200V沟槽栅SiC MOSFET芯片的核心技术难题。 该团队成功构建了8英寸工艺平台，并基于此平台实现了具有自主知识产权的高性能1200V沟槽栅SiC MOSFET芯片的流片。其核心发明专利（公开号：CN118610269A）已获得授权。 来源：南方+    ...

摘要：深圳平湖实验室联合深圳市鹏进高科技有限公司，在国产宽禁带半导体功率器件领域取得重大突破！成功攻克1200V沟槽栅SiC MOSFET芯片的核心技术难题，构建了8英寸工艺平台，实现了自主知识产权的高性能1200V沟槽栅SiC MOSFET芯片流片成功。其核心发明专利（专利公开号：CN118610269A）已经获得授权。这标志着我国在自主知识产权的第三代半导体关键器件研发与制造能力上迈上新台阶，将为新能源汽车、光伏储能、工业电源等广泛应用提供强劲而持久的“中国芯”动力。 来源：南方+    ...