摘要：深圳平湖实验室使用大族半导体的全自动化激光剥离系统，对激光剥离的机理进行深入研究、系统优化激光剥离工艺参数，2025年6月实现SiC激光剥离的单片总损耗≤75μm，单片成本降低约26%，达到国际先进水平，已完成三批次的小批量验证，良率100%。 这是一项令人振奋的技术突破！核心性能指标达到国际先进水平，在关键技术及设备上实现了自主可控，保障了供应链安全，降低了对外依赖风险，工艺成熟可靠，可快速实现产业化。   来源：凤凰新闻    

摘要：深圳平湖实验室与深圳市鹏进高科技有限公司合作，在国产宽禁带半导体功率器件研发领域取得重大进展，成功攻克1200V沟槽栅SiC MOSFET芯片的核心技术难题。 该团队成功构建了8英寸工艺平台，并基于此平台实现了具有自主知识产权的高性能1200V沟槽栅SiC MOSFET芯片的流片。其核心发明专利（公开号：CN118610269A）已获得授权。 来源：南方+    

摘要：深圳平湖实验室联合深圳市鹏进高科技有限公司，在国产宽禁带半导体功率器件领域取得重大突破！成功攻克1200V沟槽栅SiC MOSFET芯片的核心技术难题，构建了8英寸工艺平台，实现了自主知识产权的高性能1200V沟槽栅SiC MOSFET芯片流片成功。其核心发明专利（专利公开号：CN118610269A）已经获得授权。这标志着我国在自主知识产权的第三代半导体关键器件研发与制造能力上迈上新台阶，将为新能源汽车、光伏储能、工业电源等广泛应用提供强劲而持久的“中国芯”动力。 来源：南方+    

摘要：深圳平湖实验室超宽禁带半导体ZHANG DAO HUA、万玉喜团队和北京大学沈波教授及南方科技大学宋爱民教授团队合作，成功制备了国内首个氮化铝为垒层、富铝镓氮为沟道的高电子迁移率晶体管（HEMT）功率器件。 来源：腾讯新闻    

摘要：深圳平湖实验室作为国家第三代半导体技术创新中心（深圳）的实体运营单位，其第四代半导体材料与器件课题组聚焦金刚石、氮化铝和氧化镓材料与器件领域，致力于研发先进的第四代半导体材料生长技术、器件制备工艺和异质集成，推动相关材料和器件在智能电网、电力电子、航空航天、新能源、光电和特殊环境等多领域的应用。目前在面向第四代半导体科研方向上已建成理论模拟、材料生长、器件设计和制备、性能测试等专业实验室。 鉴于目前行业内还没有对包括6.2 eV超宽禁带半导体材料和超高压大功率器件的商业化表征系统，实验室自主设计了国内外首台多功能超宽禁带材料和万伏大功率器件综合表征系统，成功填补了该领域的空白。 来源：亚洲氧化镓联盟    

摘要：为进一步加强一流大学科技园区建设，以高水平市校合作推动在深院校研究院高质量发展，2025年3月13日，深圳虚拟大学园春茗会在国家第三代半导体技术创新中心综合平台成功举办。科创战略中心有关负责人、深圳虚拟大学园成员院校深圳研究院代表、深圳综合平台有关负责人共60余人参会。 来源：深圳虚拟大学园    

摘要：行家说三代半与行家极光奖联合策划了《第三代半导体产业-行家瞭望2025》专题报道。本期嘉宾是国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台主任万玉喜。 来源：行家说三代半  

摘要：2024年11月15日，备受瞩目的国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台建成发布会，在第二十六届中国国际高新技术成果交易会的现场隆重举行，这一里程碑事件标志着深圳在第三代半导体技术创新领域迈出了坚实的一步。发布会现场既有来自半导体行业的专家，也有深圳市科创局、深圳市发改委、深圳市工信局、深圳市龙岗区政府、深圳市重投集团、深圳市半导体行业协会、深圳市半导体和集成电路产业联盟、深圳先进电子材料国际创新研究院、电子科技大学（深圳）高等研究院、第三代半导体国创中心湖南平台的领导和嘉宾，他们的到场体现了各界对国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台建成的高度重视。 伴随着深圳综合平台建设汇报视频的播放，丰富的影像资料和详实的数据记录全面展示了平台筹备到建设过程中的点点滴滴。自2021年起，深圳市开始承接国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台的建设任务。在2022年，设立深圳平湖实验室作为建设和运营主体。在建设过程中，始终遵循“一体统筹规划、多地分布布局、协同创新联动”的原则，聚焦第三代半导体领域...