摘要:深圳平湖实验室超宽禁带半导体ZHANG DAO HUA、万玉喜团队和北京大学沈波教授及南方科技大学宋爱民教授团队合作,成功制备了国内首个氮化铝为垒层、富铝镓氮为沟道的高电子迁移率晶体管(HEMT)功率器件。
来源:腾讯新闻