抗辐照SiC MOSFET器件在商业航天领域前景广阔。功率器件被誉为电力电子系统的“心脏”，采用SiC功率器件的空间电源模块效率可从85%提升至95%，功率-体积比提高近5倍，可大幅简化散热设备、降低发射成本。在低轨巨型星座、深空探测器等场景中，SiC器件是300V以上高压母线体制下深空平台及大功率卫星的首选。全球宇航级SiC功率器件市场预计2034年将达23.1亿美元，商业化前景可期。 抗单粒子辐照性能提升，SEGR电压突破400V 基于深圳平湖实验室自主搭建、面向产业验证的8英寸SiC中试平台，通过器件结构设计及制造工艺创新，采用多维电场屏蔽、多通路空穴抽取的结构设计及二次外延工艺，研制出抗单粒子辐照加固SiC MOSFET器件。 实验结果显示，深圳平湖实验室研制的抗单粒子辐照加固SiC MOSFET器件的单粒子栅穿（Single-Event Gate Rupture，SEGR）阈值电压从常规1200V SiC MOSFET结构的200V提高至400V，性能提升100%，极大地提高了器件抗单粒子辐照能力。本成果有望支撑未来航天单电源模块达千瓦级，...

在庆祝中国共产党成立105周年之际，深圳平湖实验室党支部凭借扎实的党建工作与突出的科研攻坚实绩，从全市的基层党组织中脱颖而出，获评“深圳市先进基层党组织”荣誉称号。此次评选是全市基层党组织经过层层考察，优中选优，最终遴选出150个先进基层党组织，这一荣誉充分彰显了深圳市对平湖实验室以党建引领科研生产、践行科技自立自强使命的高度认可。 深圳平湖实验室党支部于2023年3月27日成立，始终把政治建设摆在首位，严格落实“三会一课”制度，持续强化理论武装与组织建设。支部坚持党建与科研深度融合，把党组织建在科研攻关第一线，推动红色力量转化为创新动能。在产品研发、技术攻坚、生产流片、分析检测等关键环节，党员骨干带头冲锋、勇挑重担，通过立下军令状、牵头组建攻关团队等方式，接连实现多项技术突破，以实干把“不可能”变为“可能”，全力攻坚宽禁带、超宽禁带及其他化合物半导体领域关键核心技术，彰显新时代科技工作者的使命担当。 荣誉催人奋进，使命激励前行。此次获评市级先进基层党组织，是对深...

摘要：7 月 23 日，第二十届中国半导体行业协会半导体分立器件年会首次在扬举行。本次年会以“先进封装技术创新与产业链协同发展”为主题，吸引全国600多名专家学者、企业代表参会，为功率半导体产业资源对接、加速升级带来新机遇。 年会现场，与会嘉宾围绕先进封装工艺、功率器件升级、产业链供应链协同等关键议题展开深度研讨，分享技术成果与产业实践，助力破解行业关键技术瓶颈，推动分立器件领域产学研用深度融合。 深圳平湖实验室主任万玉喜受邀出席本次大会，并就战略方向与产业链协同等话题接受媒体专访，为行业高质量发展建言献策。 来源：扬州发布/扬州新闻    

AI算力爆发、新型电力系统加速落地背景下，高压功率器件成为数据中心、智能电网、固态保护设备的核心刚需，而SiC JFET因低损耗、高可靠特性成为技术高地。近日，深圳平湖实验室第三代跃升研究团队依托自有8英寸碳化硅中试平台完成关键技术攻关，成功推出750V沟槽型SiC JFET器件，其关键技术指标达到国际先进水平。同时攻克制约量产一致性的工艺耦合难题，为我国高端碳化硅功率器件自主可控补上重要一环。 图一 8英寸750V沟槽型SiC JFET晶圆照片   一、国产大尺寸沟槽型高性能SiC JFET标杆 本次研发成果全部基于深圳平湖实验室自主搭建、面向产业验证的8英寸 SiC中试平台开发，是国内少数实现8英寸大尺寸沟槽型SiC JFET完整工艺闭环的自研成果。 器件击穿电压超过920V，耐压冗余充足，适配750V主流高压直流应用；核心指标比导通电阻低至0.75mΩ・cm²，导通损耗大幅降低，功率密度显著提升。 为覆盖多元产业需求，研究团队同步落地4款产品（16mΩ、35mΩ、80mΩ、165mΩ），可灵活适配多...

盛夏攻坚结硕果，自主创新再登峰。近日，国产首台生产型电子束光刻机（EBL）中试验证突破性进展发布暨合作框架签署仪式在深圳平湖实验室圆满举行。中电科电子装备集团、中电科四十八所与深圳平湖实验室强强联手，正式发布重大技术突破，并签署框架合作协议，标志着我国高端光刻装备自主化、工程化取得关键里程碑。 电子束光刻机是微纳加工、掩膜版制造、量子芯片、先进化合物半导体领域的核心高端装备，也是我国半导体与集成电路产业链自主创新的重要环节。历经多轮迭代优化，深圳平湖实验室与中电科体系联合攻坚，国产首台生产型电子束光刻机中试验证取得突破性进展，设备性能、稳定性与工艺能力达到产线级验证标准。 仪式开始前，与会嘉宾一行实地参观了深圳平湖实验室展厅及洁净间，全面了解实验室在科研与中试验证方面的硬核实力与建设成果。双方围绕技术难点、验证细节、产业落地路径等关键问题展开深度交流，为后续深化合作奠定坚实基础。 仪式上，深圳平湖实验室主任万玉喜表示，实验室将持续发挥中试平台优势，全力支撑国产半导体装备验证与产业化，以硬核能...

近日，深圳平湖实验室氮化铝研发团队，在氮化铝（AlN）功率器件研发领域取得重要进展，通过核心工艺优化实现关键性能跃升，两类核心器件指标双双刷新全球公开文献报道纪录，为我国超高压、极端环境电力电子装备发展筑牢核心技术根基。 氮化铝（AlN）是第四代半导体核心材料，拥有极宽的禁带宽度和超高的导热率两大“硬核优势”，天生适合制造能承受超高压、大功率，还可耐高温、抗辐射的功率器件。未来，这类器件将在超高压直流输电、航空航天、深海及地下勘探等极端场景中发挥关键作用，让电力电子设备更高效、更小巧。 但想把氮化铝的优异材料特性，变成高性能实用器件，工艺难度极大。此次，深圳平湖实验室继成功研发国内首个氮化铝/富铝镓氮高电子迁移率晶体管（HEMT）后，再次刷新全球同类器件公开报道最优值。 PART 01 氮化铝肖特基势垒二极管（SBD） 氮化铝肖特基二极管（SBD）相当于电力“稳流阀”，在高压电路中防止电流倒流，核心是看能扛多高电压、效率多高。 团队通过系统性地优化器件制备工艺流程，对钝化、欧姆接...

近日，2026功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2026）在上海举行，本届会议由第三代半导体产业技术创新战略联盟指导，中科院上海微系统与信息技术研究所等单位联合主办，汇聚百余位行业顶尖专家、高校学者与产业链企业精英，围绕第三代半导体前沿技术、产业落地、应用机遇展开深度研讨交流。深圳平湖实验室应邀出席本次盛会，并凭借硬核技术成果斩获优秀技术创新产品奖，实验室主任万玉喜出席开幕式，GaN首席科学家David Zhou在论坛上作重要报告，此外，实验室展台也搭建起产业对接桥梁，全方位展现了其在宽禁带半导体领域的研发实力与产业化能力。 一、自研8吋高性能高可靠100V氮化镓功率器件斩获大会优秀技术创新产品奖 在本届CSPSD优秀技术创新产品评选中，深圳平湖实验室研发的“面向地面与太空算力中心应用的8吋高性能、高可靠 100V 氮化镓功率器件PGH100E037EL（100V/3.7mΩ）”产品脱颖而出，荣获大会优秀技术创新产品奖。该款氮化镓功率器件针对地面与太空在轨算力场景等严苛的电压、可靠性、耐高低温需求定向研发，...

近日，深圳平湖实验室第四代半导体研究团队与新技术工程部团队传来喜讯：在氧化镓表面平坦化与无金欧姆接触工艺上双双取得重要进展。团队基于金属有机化学气相沉积（MOCVD）的氧化镓外延片，利用无金工艺实现了8E-7 Ω cm²（的比接触电阻率并同时开发了氧化镓外延片表面平坦化新工艺，使氧化镓表面均方根粗糙度降至0.107nm，两项核心指标均达到业界最优水平，为我国第四代半导体自主可控与产业化落地再添关键支撑。 氧化镓是当前全球重点攻关的超宽禁带半导体核心材料，具备耐高压、耐高温、大功率等突出优势，是下一代高功率电力电子器件的理想选择。然而，长期以来，两大技术瓶颈制约着氧化镓器件走向量产：一是电极接触依赖贵金属金，成本高、热稳定性差；二是外延片表面粗糙，易引发缺陷与电场集中，影响器件可靠性。此次深圳平湖实验室研究团队一次性破解两大行业难题。 一、无金欧姆接触工艺：不用黄金造电极，成本降 90%，性能更稳 氧化镓欧姆接触工程长期依赖金（Au）基体系，而无金（Au-free）欧姆接触是实现量产落地与产业自主可控的关键...