近日，深圳平湖实验室第四代半导体首席科学家、新加坡工程院院士张道华教授先后受邀参加两场重要会议并做邀请报告，为行业带来前沿研究成果与创新思路。 01 第十届电子器件和制备会议 3月1日至5日，张道华教授出席在马来西亚槟城举行的第十届电子器件和制备会议。作为国际半导体领域的权威专家，张教授在会议期间围绕超宽禁带半导体方面的研究进展和所面临的挑战，分享了其团队在超宽禁带半导体材料研究中的突破性成果，为参会学者提供了宝贵的学术参考。   02 第二届第四代半导体技术研讨会 3月17日至19日，张道华教授出席于浙江杭州举办的第二届第四代半导体技术研讨会并主持了首日下午第一阶段会议。此次会议由浙江大学杭州国际科创中心等机构联合主办，汇聚了国内外半导体领域的顶尖专家。张教授以“氮化铝氧化镓研究进展”为主题作大会报告，深入探讨了氮化铝、氧化镓等超宽禁带半导体材料在极端环境应用中的优势及当前面临的材料性能提升、掺杂缺陷调控等挑战。他还介绍了深圳平湖实验室在宽带隙和超宽带隙半导体研究方面的战略布局与配套设施建设...

2026 年 3 月 20 日，全国集成电路标准化技术委员会宽禁带半导体工作组成立大会暨技术研讨会在北京顺利召开。工业和信息化部、国家市场监督管理总局标准技术管理司、中国电子技术标准化研究院等相关单位领导出席会议并讲话。 会上正式宣布宽禁带半导体工作组成立，明确工作组将以完善宽禁带半导体标准体系、加快重点标准研制、推动产业协同为核心方向，助力我国宽禁带半导体产业规范化、体系化和高质量发展。 深圳平湖实验室主任万玉喜作为工作组成员受邀参会，并深度参与标准体系研讨与产业协同交流。未来，深圳平湖实验室将依托自身技术积累与平台优势，积极投身宽禁带半导体标准研究与制订工作，紧密协同产业链上下游伙伴，共建质量标准体系，以标准引领技术突破，以协同推动产业升级，为实现我国宽禁带半导体产业自主可控、持续健康发展贡献力量。    ...

国际功率半导体器件与集成电路会议(ISPSD)被视为功率半导体领域的“奥林匹克盛会”，是本领域最具国际影响力的顶级会议，学术论文录用标准极为严苛。在刚刚结束的 ISPSD 2026 征稿评比中，深圳平湖实验室同时有6篇论文获组委会录用接收（两篇口头报告，四篇墙报），内容覆盖 GaN、SiC 及第三代跃升多个方向。本次录用成果中，实验室为第一单位的有5篇，其中3篇为唯一单位，另3篇GaN方向接收文章分别是与香港科技大学，南方科技大学、电子科技大学、深圳职业技术大学合著。 6篇论文联袂登陆顶会，是深圳平湖实验室坚持前沿探索与产业攻坚并重的有力印证。未来，实验室仍将持续锚定第三代、第四代功率半导体核心技术，打造全球功率半导体科研探索与创新高地！     关于ISPSD ISPSD会议 (International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs) 是功率半导体器件和功率集成电路领域在国际上最重要、最具影响力的学术会议，历史上电力电子器件领域的重大发明和技术进展大多在这个会议上首次发表，历届大会...

摘要：今年1月，深圳平湖实验室联合深圳市鹏进高科技有限公司共建的“化合物功率半导体中试平台”发布。平台构建了全流程的中试服务体系，为新能源汽车、轨道交通、5G通信等战略性新兴产业提供核心技术支撑。 来源：广东广播电视台  

摘要：国家第三代半导体技术创新中心（深圳综合平台）已具备为高端功率半导体材料和器件科研和中试提供全方位的服务，包括新型产品的科研、国产软件工具的研发、装备零部件的验证。深圳青年创业者可以依托平台完成设计、验证、开发，成熟后再对接量产制造平台，打通从创意到产品的全链条。 来源：深圳特区报  

摘要：2月24日召开的广东省高质量发展大会设置五个分会场，多维度深入探讨“制造业与服务业协同发展”主题。来自企业、新型研发机构的参会代表围绕两业协同全新主题交流，助力广东经济发展迈向新阶段。 来源：广东广播电视台  

2026年2月9日，深圳平湖实验室万玉喜主任携实验室技术委员会专家代表，碳化硅领域首席专家和战略规划部、伙伴发展部主管等一行八人前往南方电网公司总部，就新型电力电子器件在输变电和配电领域的应用开展调研交流。南方电网公司副总经理李锐、南方电网科学研究院董事长、党委书记郑外生等领导及南网新兴产业部、南网科研院电力电子所的领导、专家们参加座谈。 双方就现有输变电、配电的技术发展趋势，应用痛点，技术要求等充分交流了看法。南方电网与会领导对于深圳平湖实验室研发中的高压碳化硅功率器件技术表示了浓厚的兴趣。双方在会上达成一致，会后建立联合工作组，针对碳化硅高压器件技术展开场景匹配和应用验证，并以产业化为目标尽快开展研发合作。双方会择机促成建设多方联合实验室，推动新型功率半导体器件在高压电力电子场景中的应用落地。 撰稿 |  左正  ...

近日，深圳平湖实验室第三代跃升团队在碳化硅结型场效应晶体管JFET集成电路（IC）研发上取得阶段性进展，成功开发并验证SiC JFET IC技术路线。相比国际先进高温碳化硅JFET IC ±25V电源电压，实验室碳化硅IC逻辑门电路、单级放大器、差分放大器等IC结构可以在±5V及以下电源电压水平下正常工作，实现设计功能。 图一 SiC JFET IC OM及SEM图 该SiC JFET IC平台基于深圳平湖实验室先进的8英寸SiC中试平台开发，同时兼容SiC功率JFET与JFET集成电路（IC）技术工艺，可以满足不同电阻规格的JFET与JFET IC技术开发需求。基于平台器件电性测试结果提取SPICE模型，可以较好拟合单级放大器电性测试结果（图二右）。设计差分放大器结构进一步优化后，基于SPICE模型仿真，在-5.90V的共模电压下，可实现39.1dB差分电压增益和407kHz的-3dB带宽，以及极高输入阻抗。  图二 （左）兼容SiC功率JFET与JFET IC的多项目晶圆照片 （右）提取单级放大器SPICE模型与...