2026年4月23日，深圳平湖实验室分析检测中心李齐治博士受邀出席第三代半导体检测技术创新与应用论坛（2026第19届中国科学仪器发展年会），并发表题为《宽禁带半导体材料分析技术的应用与实践》的特邀报告。报告聚焦半导体器件研发与工艺流程优化中的实际痛点，系统阐述了XRD、AFM、SEM、TEM、SIMS及拉曼光谱等多种材料分析技术在碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等宽禁带半导体领域的应用案例与解决方案，通过材料分析实战案例在产业中的应用展示分析检测核心价值，用科学表征手段和高精度的技术方案夯实产业高质量发展的底座。 作为新能源汽车、5G通信、航空航天等战略性新兴产业的关键基础材料，第三代半导体对材料质量与工艺精度提出了极高要求。材料分析技术贯穿其研发、工艺优化到量产的全生命周期，是推动技术突破、质量跃升和产业链自主可控的核心支撑。 在衬底制备环节，SiC、GaN晶体对完整性、杂质及缺陷控制要求严苛，微管、位错等缺陷将直接制约器件性能。通过XRD、AFM、SEM等表征手段，可精准解析晶体结构、表面形貌及缺陷...

4月23日-25日，2026九峰山论坛在武汉光谷科技会展中心圆满举办。本届论坛以 “新赛道、新技术、新产品、新市场” 为核心主题，汇聚行业院士专家、头部企业代表及科研精英，打造中国化合物半导体领域规格最高、规模最大的行业盛会。深圳平湖实验室作为行业重要科研力量之一，深度参与论坛各项活动，联合发布权威报告，领衔分论坛承办，分享前沿科研成果等，全方位展现实验室在第三代、第四代半导体领域的科研实力与产业担当。 2026九峰山论坛开幕式   一、出席开幕式，联合发布权威报告 论坛开幕式现场大咖云集，中国科学院院士、武汉大学教授刘胜致辞并聚焦产业机遇与发展路径分享核心观点。开幕式上，由第三代半导体产业技术创新战略联盟编写的《第三代半导体产业发展报告（2025）》正式发布，第三代半导体技术产业创新战略联盟理事长吴玲作为主发布人，介绍了《报告》编制情况及产业趋势现状。深圳平湖实验室深度参与了本《报告》的编写，实验室主任万玉喜受邀上台，参与报告联合发布仪式。 《第三代半导体产业发展报告（2025）》正式发布  二、...

近日，深圳平湖实验室与无锡北京大学电子设计自动化研究院（以下简称“北大EDA研究院”）及下属公司芯怀科技达成深度技术合作，在基于神经网络的 GaN HEMT 功率器件建模领域取得重要进展。双方联合研发成果已成功集成至芯怀科技自主研发的智能器件建模软件iMoB（Intelligent Model Builder），这一成果是国产 EDA 工具链与 AI 建模技术的深度融合，显著提升器件设计效率与精度，高效破解功率半导体电路设计与优化的行业难题。 双方合作成果集成的iMoB软件是一款面向多样化器件类型的通用AI建模工具，通过神经网络架构自动学习器件端口的非线性行为，其建模方案具备良好的通用性，能够支持传统硅基器件、先进制程多栅器件（FinFET、GAA等）、新型二维材料器件（MoS₂等）等各种半导体器件的建模，并支持向多款商用电路仿真软件的导入。该工具应用于宽禁带半导体领域，以解决GaN HEMT建模中长期存在的挑战。在合作过程中，双方团队基于实测数据与物理仿真数据，利用iMoB平台成功研发了针对GaN HEMT的专业建模模...

近日，由全国半导体器件标准化技术委员会半导体分立器件分技术委员会主办，第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）与深圳平湖实验室共同承办SiC和GaN的11项国家标准征求意见会，在深圳平湖实验室顺利召开。来自国内科研院所、高校、龙头企业及行业机构的近100位权威专家、工程师齐聚一堂，围绕11项重要国家标准征求意见稿展开深度研讨，共绘第三代半导体标准化发展蓝图。 本次会议聚焦的11项国家标准，核心任务是对三代半联盟标准采信为国家标准征求意见，覆盖SiC MOSFET功率循环、动态栅偏、动态反偏、动态高温高湿反偏、高温栅偏、高温反偏、高压高温高湿反偏及GaN HEMT动态导通电组测试等，直接关系到碳化硅、氮化镓器件的性能验证、质量管控与产业规模化应用，是新能源汽车、轨道交通、智能电网、工业变频等战略领域高质量发展的重要技术基石。“启动会议上，标委会陈海蓉秘书长、三代半联盟副理事长兼秘书长杨富华致辞，标委会张丽静老师讲解总体工作安排。启动会议由三代半联盟副秘书长高伟博士主持。后续的分组会议期间，专家们逐...

随着人工智能、人形机器人、低空无人机与数据中心等新兴领域快速发展，对高效率、小体积、高可靠性的功率器件需求持续攀升，100V电压等级已成为多场景应用的关键节点。为更好支撑产业研发与高校人才培养，深圳平湖实验室正式推出100V GaN MPW 共享服务平台与配套 PDK 设计工具包，面向行业与高校开放全流程流片服务。 一、100V GaN典型应用场景 100V GaN 器件应用覆盖广泛，在数据中心低压中间母线转换器（LV IBC，54V 转 12/6V）、人形机器人关节电机驱动、DC-DC电源、激光雷达及低空无人机等方向均具备突出优势。凭借更小体积、更低损耗与更高控制精度，可有效提升系统效率与续航能力，也为本次100V MPW与PDK平台提供了清晰的应用落地方向。 二、深圳平湖实验室 100V GaN MPW 共享服务平台 依托“研发+中试 一体化平台能力，深圳平湖实验室已构建覆盖15~1200V的全电压等级GaN MPW服务体系，本次重点推出 100V GaN MPW共享服务。 （1）MPW服务模式 将单颗晶圆划分为多个Shot单元，每个Shot再分割为约2...

深圳平湖实验室第四代材料器件研究团队和南方科技大学化梦媛副教授研究团队合作在《Journal of Vacuum Science & Technology A》国际期刊上发表题为“Vertical β-Ga2O3 Schottky Barrier Diodes with Low Surface Roughness”的研究论文，开发了低粗糙度氧化镓刻蚀工艺，探究了表面粗糙度、氧空位缺陷等对氧化镓肖特基势垒二极管（SBD）器件性能的调控机制。陈嘉祥博士是该文的第一作者。 卤化物气相外延（HVPE）是制备氧化镓外延层的主流商用方法之一，具备高生长速率的优点，但其厚膜外延在CMP抛光后普遍存在表面粗糙度较大和表面杂质等问题。采用感应耦合等离子体反应离子刻蚀（ICP-RIE）等方法可去除表面沾污，但刻蚀过程中易产生副产物、引入刻蚀损伤和表面缺陷，导致表面粗糙度增大，从而降低表面质量、劣化器件的导通与耐压特性。如何实现低粗糙度、高质量的肖特基接触是实现高性能氧化镓器件亟需克服的关键难点。 本工作系统研究了HVPE的氧化镓外延在不同刻蚀工艺处理后，其表面形貌、氧空位缺陷演化规律...

深圳平湖实验室第四代半导体材料器件研究团队的刘妍博士和李翔博士近期在《Micromachines》上发表题为“High-Indium-Composition, Ultra-Low-Power GaAsSb/InGaAs Heterojunction Tunnel Field-Effect Transistors”的文章。 该文基于TCAD仿真，系统研究了GaAsSb/InGaAs隧穿场效应晶体管中GaAsSb层p型掺杂浓度与本征InGaAs层In组分对器件性能的影响，并开展了实验验证。研究结果表明，器件最优性能并非出现在In组分与InP衬底晶格匹配的0.53的结构中，而是在In组分较高（0.58左右）时实现。经参数优化后，器件在VDS=VGS=0.5 V条件下，亚阈值摆幅低至13.51 mV/dec，导通电流可达35.39 μA/μm。该研究为高性能超低功耗III-V族隧穿场效应晶体管提供了兼具应用前景与工艺可实现性的材料体系，并给出了清晰明确的器件设计指导。 基于GaAsSb/InGaAs异质结的隧穿场效应晶体管器件示意图及该器件对应能带图   In组分对器件性能的影响   期刊简介： 《Micromachines》是由MDPI出版的一...

近日，深圳平湖实验室第四代半导体首席科学家、新加坡工程院院士张道华教授先后受邀参加两场重要会议并做邀请报告，为行业带来前沿研究成果与创新思路。 01 第十届电子器件和制备会议 3月1日至5日，张道华教授出席在马来西亚槟城举行的第十届电子器件和制备会议。作为国际半导体领域的权威专家，张教授在会议期间围绕超宽禁带半导体方面的研究进展和所面临的挑战，分享了其团队在超宽禁带半导体材料研究中的突破性成果，为参会学者提供了宝贵的学术参考。   02 第二届第四代半导体技术研讨会 3月17日至19日，张道华教授出席于浙江杭州举办的第二届第四代半导体技术研讨会并主持了首日下午第一阶段会议。此次会议由浙江大学杭州国际科创中心等机构联合主办，汇聚了国内外半导体领域的顶尖专家。张教授以“氮化铝氧化镓研究进展”为主题作大会报告，深入探讨了氮化铝、氧化镓等超宽禁带半导体材料在极端环境应用中的优势及当前面临的材料性能提升、掺杂缺陷调控等挑战。他还介绍了深圳平湖实验室在宽带隙和超宽带隙半导体研究方面的战略布局与配套设施建设...