8月26日，2026 PCIM在深圳国际会展中心（宝安新馆）盛大启幕。作为功率半导体与电力电子领域极具影响力的年度盛会，本次展会汇聚全球产业链优质资源，共探技术创新与产业升级之路。深圳平湖实验室受邀参与展会，并与PCIM Asia Shenzhen联合主办超宽禁带半导体前沿技术论坛，紧扣国家 “十五五” 规划战略方向，聚焦金刚石、氧化镓等第四代半导体前沿材料革新与技术突破，以高端交流平台赋能产学研用深度协同，助力我国超宽禁带半导体产业高质量、跨越式发展。 超宽禁带半导体前沿技术论坛 当前，以SiC、GaN为代表的宽禁带半导体已构建成熟产业生态，成为功率半导体领域的主流支撑。顺应国家战略部署，金刚石、氧化镓等超宽禁带半导体作为第四代半导体核心方向，凭借更优的材料特性与代际优势，迈入关键研发与技术攻坚新阶段，是未来半导体产业竞争的核心赛道。 本次超宽禁带半导体前沿技术论坛精准锚定产业前沿趋势，汇聚深圳平湖实验室第四代半导体首席科学家、新加坡工程院院士张道华，西安电子科技大学教授张金风，杭州镓仁半导体有限公司董...

近日，深圳平湖实验室与龙腾半导体股份有限公司正式签署战略合作协议，双方将围绕固态变压器（SST）、逆变器等碳化硅高端应用领域展开深度合作，携手推动宽禁带半导体技术创新突破与产业化落地，共筑半导体产业高质量发展新生态。 碳化硅作为宽禁带半导体核心材料，具备高耐压、高效率、高导热等优异性能，是固态变压器、高端逆变器等电力电子装备的关键核心器件，在新能源、智能电网、先进装备等高端领域应用前景广阔，是我国半导体产业实现自主可控的重要战略方向。 此次战略合作，是科研创新平台与行业实力企业的精准对接、优势互补。龙腾半导体选择与深圳平湖实验室携手，正是看中实验室在碳化硅领域完备的科研平台、扎实的技术积累以及成熟的中试转化能力。深圳平湖实验室集聚优质科研力量，打通从基础研究、技术攻关到工程化生产、产品验证的全链条环节，能够高效匹配企业产品迭代与产业化落地需求，为碳化硅器件面向高端场景规模化应用提供坚实技术支撑。 以本次合作为契机，双方将充分发挥各自优势，把科研创新、中试工艺与市场资源高效协同、深度互补，瞄准...

在电力传输、电网装备、高压电源等关键领域，更高电压、更低损耗、更小体积的功率器件，一直是全球科研与产业界追求的核心目标。传统硅基器件经过数十年发展，已逼近材料物理性能天花板，难以满足特高压输电、新型电力系统、大功率新能源装备对更高耐压、更高效率的迫切需求。超高压SiC功率器件凭借其宽禁带、高临界击穿电场、优异热导率等特性，在耐压能力上远超商用硅基器件，被公认为固态变压器、高压直流输电、电网基础设施、脉冲功率等中高压应用场景的理想解决方案。 近日，深圳平湖实验室在超高压碳化硅功率器件领域取得重大突破，成功研制出额定电压20kV、导通电阻约1Ω的SiC MOSFET器件。相关研究成果已在2026年5月于美国拉斯维加斯举行的国际电力电子领域顶级会议ISPSD 2026上正式发布(doi: 10.1109/ISPSD64561.2026.11553694)。该器件比导通电阻关键性能指标上接近4H-SiC材料的理论极限，标志着我国在超高压功率半导体领域迈入了国际前列。 国际首创，关键性能指标接近理论极限 基于深圳平湖实验室自主搭建、面向产业验证的8...

近日，国产首套8英寸SiC炉管套件搭载国产首台高温栅氧炉验证发布暨合作框架签署仪式在深圳平湖实验室举行。此次验证成果标志着我国在第三代半导体核心装备领域取得重大突破，深圳平湖实验室作为关键验证平台，有力推动国产半导体设备自主可控进程加速，这也是国产半导体材料与装备自主创新、协同突破的重要里程碑。     深圳平湖实验室主任万玉喜、深圳市志橙半导体材料股份有限公司董事长朱佰喜、中国电子科技集团公司第四十八研究所副所长舒勇东分别致辞，此次三方强强联合，通力合作，成功实现了从材料、设备到工艺验证的闭环，为我国SiC功率器件向大尺寸、高性能迈进奠定了坚实基础。     仪式上，志橙半导体孙应一作《志橙SiC陶瓷产品介绍》、中国电科四十八所半导体装备研究部杨金作《8吋SiC高温氧化炉设备介绍》，深圳平湖实验室工程部扩散模组经理周俊发布《国产首套8英寸SiC炉管套件搭载国产首台高温栅氧炉中试验证专项汇报》。报告确认，国产材料和设备在深圳平湖实验室完成了严苛的中试验证，各项核心指标达到国际先进水平，...

当前，电力电子系统对功率半导体器件的开关速度、散热能力、长期稳定性要求越来越严苛。碳化硅基氮化镓材料（GaN-on-SiC）既具有氮化镓高频高效的优势，又具有碳化硅衬底导热快、晶格匹配度高的特性，大幅提升散热性能与运行可靠性，是面向算力中心、航空航天、太空算力、人形机器人等高端应用领域的理想核心材料。   近日，深圳平湖实验室在氮化镓领域迎来重大进展，推出全球首个8吋GaN-on-SiC增强型HEMT工艺平台，直击当前氮化镓行业瓶颈，为算力中心、航空航天、太空算力、人形机器人等高端领域高效供电，筑牢核心材料自主化根基。 图1.  8吋GaN-on-SiC全流程晶圆 依托实验室科研+中试平台，团队已完成多项关键技术攻关，全方位验证了8吋GaN-on-SiC技术的产业化可行性： 8吋GaN-on-SiC外延生长：攻克了SiC衬底表面处理技术、SiC衬底上GaN外延生长技术，外延片翘曲＜20 μm； 8吋GaN-on-SiC无金工艺：攻克了GaN-on-SiC上p-GaN刻蚀、外延层表面钝化、欧姆接触等关键工艺。  图2.  8吋GaN-on-SiC 横...

为助力我国半导体领域青年人才培育，打通高校科研创新到产业落地的关键链路，深圳平湖实验室深度参与并支撑“华为杯”第九届中国研究生创 “芯” 大赛。从赛题供给、专题论坛筹办、MPW流片赋能到研学实践，多层次深化与大赛的协同合作，为宽禁带与超宽禁带半导体领域创新发展注入平台动能。 01赛题聚焦金刚石超宽禁带理论前沿 在赛事筹备阶段，深圳平湖实验室充分发挥自身在超宽禁带半导体领域的技术积累，深度参与大赛命题工作，围绕“金刚石n型掺杂的理论研究”前沿方向贡献专业赛题，引导青年研究生聚焦产业真问题开展创新研究，把产业技术需求融入竞赛实践之中。 02承办首届化合物半导体产学研创新论坛 8月15日，以“化合聚力，青创筑芯” 为主题的中国研究生创“芯”大赛——化合物半导体产学研创新论坛在南方科技大学顺利举办。本次论坛由深圳平湖实验室牵头承办，依托创“芯”大赛平台，聚焦破解化合物半导体高校科研与产业落地之间的壁垒，推动宽禁带半导体产学研协同成果转化。 论...

近日，“化合聚力，青创筑芯”化合物半导体产学研创新论坛于南方科技大学成功举办。本次论坛是华为杯第九届中国研究生创“芯”大赛全新设立专题论坛，由深圳平湖实验室牵头承办，汇聚国内顶尖高校、重点实验室、行业龙头专家，搭建化合物半导体领域产学研深度交流平台。论坛由清华大学集成电路学院王燕教授主持。HIPI联盟副理事长王志敏，国家第三代半导体技术创新中心（深圳）主任、深圳平湖实验室主任万玉喜先后登台致辞。 清华大学集成电路学院王燕教授主持 HIPI联盟副理事长王志敏致辞  深圳平湖实验室主任万玉喜致辞 西安电子科技大学集成电路学部执行主任、宽禁带半导体国家工程中心主任马晓华教授作为论坛TPC（技术程序委员会）主席，现场正式宣布：化合物半导体论坛将成为中国研究生创“芯”大赛常驻固定论坛，同步公布TPC委员会成员名单并举行聘书颁发仪式。本届论坛TPC委员会阵容强大，委员来自西安电子科技大学、清华大学、南京大学、东南大学、北京大学、中国科学技术大学、华中科技大学、深圳平...

抗辐照SiC MOSFET器件在商业航天领域前景广阔。功率器件被誉为电力电子系统的“心脏”，采用SiC功率器件的空间电源模块效率可从85%提升至95%，功率-体积比提高近5倍，可大幅简化散热设备、降低发射成本。在低轨巨型星座、深空探测器等场景中，SiC器件是300V以上高压母线体制下深空平台及大功率卫星的首选。全球宇航级SiC功率器件市场预计2034年将达23.1亿美元，商业化前景可期。 抗单粒子辐照性能提升，SEGR电压突破400V 基于深圳平湖实验室自主搭建、面向产业验证的8英寸SiC中试平台，联合香港科技大学陈敬教授课题组及北京航空航天大学吕纲教授课题组，通过器件结构设计及制造工艺创新，采用多维电场屏蔽、多通路空穴抽取的结构设计及二次外延工艺，研制出抗单粒子辐照加固SiC MOSFET器件。 实验结果显示，深圳平湖实验室联合研制的抗单粒子辐照加固SiC MOSFET器件，将单粒子栅穿（Single-Event Gate Rupture，SEGR）阈值电压从常规1200V SiC MOSFET结构的200V提高至400V，性能提升100%，极大地...