2025年4月26-27日，由中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会（简称专委会）主办，深圳平湖实验室、中山大学承办的“面向人工智能时代的GaN基功率半导体”专题研讨会在深圳成功举行。北京大学沈波教授、香港科技大学陈敬教授、西安电子科技大学张进成教授、广东省科学院半导体研究所陈志涛教授级高工、中山大学刘扬教授、深圳平湖实验室万玉喜主任、中国科学院苏州纳米技术与仿生研究所孙钱研究员、吉林大学张源涛教授、中科院微电子研究所黄森研究员、大连理工大学梁红伟教授等来自19家高校科研院所和20家主要企业的专家受邀参会研讨。 研讨会开幕式由万玉喜主任主持，刘扬教授介绍了会议筹备背景及组织情况，沈波教授代表专委会致辞指出，实践证明举办聚焦细分领域的专题研讨会是促进产、学、研深度交流与协同创新的一种有效方式，本次研讨会旨在通过围绕人工智能等领域对低压GaN功率器件的应用需求及亟需解决的技术难题进行研讨，以期进一步促进GaN基功率半导体技术进步和产业发展，更好满足我国AI智能计算、人形机器人、智能驾驶、无人机、激光...

4月23日2025九峰山论坛(JFSC)暨化合物半导体产业博览会(CSE)在光谷科技会展中心盛大开幕，两院院士、行业领袖、企业代表、专业观众聚首江城共赴年度之约。超两万平方展览面积近300家参展商亮相的沸腾现场证明化合物半导体的未来正在中国写下最炽热的注脚。 实力亮相科研机构展区，全景展示平台综合能力 本届展会六大主题展区覆盖从材料到设计、设备、制造及应用终端的化合物半导体全产业链，彰显化合物半导体产业热度与集群效应。除了行业头部FAB与化合物半导体设备厂商联袂亮相，展会首设科研机构展区，全景式展示尖端科研力量。 其中，国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台正式通线以来，第一次搭建特展展台并对外亮相，平台作为全国首个集科研和中试于一体的8吋功率半导体开放共享平台，本次博览会展台上全面展示科研平台、设计仿真平台、中试平台、分析检测中心能力，同时带来了8吋 SiC激光剥离衬底及复合衬底、1200V SiC外延及厚膜外延、650V GaN HEMT器件、1200V 80mΩ SiC MOSFET器件及1200V 20A SiC SBD器件...

为进一步加强一流大学科技园区建设，以高水平市校合作推动在深院校研究院高质量发展，2025年3月13日，深圳虚拟大学园春茗会在国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台成功举办。科创战略中心有关负责人、深圳虚拟大学园成员院校深圳研究院代表、国创中心深圳综合平台有关负责人共60余人参会。 会前，国创中心深圳综合平台邀请与会人员参观了全国首个集科研和中试于一体的8吋功率半导体工艺线及业内领先的产学研融合创新性析检测中心，平台相关负责人向大家详细介绍了平台的发展历程、核心业务、科研创新以及设备工艺等多方面的情况，让大家对平台的技术实力和合作潜力有了全面深入的认识。 会上，科创战略中心主要负责同志分享2024年深圳虚拟大学园的工作成效，并提出下一步工作计划。她提出，希望各成员院校深圳研究院充分发挥自身学科优势，深度融合深圳产业资源，共同推进国家大学科技园建设。 国创中心深圳综合平台主任万玉喜回顾了平台建设的各个重要节点，并表示将大力推动第三代半导体关键技术攻关及成果产业化，持续提升创新能力。万玉喜主任还诚邀各成员院校...

深圳平湖实验室GaN工艺及器件课题组刘轩博士在《Japanese Journal of Applied Physics》发表题为”Subthreshold and turn-on characteristics in Schottky-type p-GaN Gate HEMTs: impact of partially and fully depleted p-GaN layer”的研究论文，系统性揭示了p-GaN层激活状态对肖特基栅HEMT器件开态特性的关键调控机制，为新一代高效氮化镓功率器件设计提供了重要理论支撑。 该论文系统探究了p-GaN层Mg激活浓度对肖特基栅极HEMT器件亚阈区及开态特性的调控机制，重点对比了部分耗尽PDP-GaN（partially depleted p-GaN，激活浓度为1e19 cm-3 ~ 7e17 cm-3）与完全耗尽FDP-GaN（fully depleted p-GaN，激活浓度忽略不计）两种结构对器件性能的影响规律。实验表明：PDP-GaN器件保持稳定的亚阈值摆幅SS和阈值电压VTH，其跨导最大值Gm,max随Mg浓度提升呈线性增长；同时，与其他器件相比，具有 FDP-GaN 的器件显示出更高的SS、更低的VTH 和特定的Gm,max。结果表明，亚阈区特性（SS和VT...

       SiC是第三代半导体材料，在低功耗、小型化、高压、高频的应用场景有极大优势。但SiC由于莫氏硬度高达9.5，是很难加工的材料，传统加工流程如下： 衬底工艺流程：   上述流程中用到的多线切割工艺单片衬底材料损失和切割时间如下： ①6 inch SiC晶锭：切割时间约130h，单片材料损失约280～300 μm； ②8 inch SiC 晶锭：切割时间约180h，单片材料损失约280～300 μm； 由此计算，1颗SiC晶锭，厚度为20 mm，单片损失按照300μm，理论产出晶片30片，单片材料损耗率达到46%。 为降低材料损耗，深圳平湖实验室新技术研究部开发激光剥离工艺来替代传统的多线切割工艺，其工艺过程示意图如下所示：   激光剥离工艺与多线切割工对照： 有益效果：使用激光剥离工艺，得到6/8 inch SiC衬底500μm和350μm产品单片材料损耗≤120 μm，出片率提升40%，单片成本降低约22%。 激光剥离技术在提高生产效率、降低成本方面具有显著效果，该工艺的推广，对于快速促进8 inch SiC衬底产业化进程有着重要意义。不仅为SiC...

中共中央办公厅、国务院办公厅印发了《关于进一步加强科研诚信建设的若干意见》，并发出通知，要求各地区各部门结合实际认真贯彻落实。 《关于进一步加强科研诚信建设的若干意见》全文如下。 科研诚信是科技创新的基石。近年来，我国科研诚信建设在工作机制、制度规范、教育引导、监督惩戒等方面取得了显著成效，但整体上仍存在短板和薄弱环节，违背科研诚信要求的行为时有发生。为全面贯彻党的十九大精神，培育和践行社会主义核心价值观，弘扬科学精神，倡导创新文化，加快建设创新型国家，现就进一步加强科研诚信建设、营造诚实守信的良好科研环境提出以下意见。 一、总体要求 （一）指导思想。全面贯彻党的十九大和十九届二中、三中全会精神，以习近平新时代中国特色社会主义思想为指导，落实党中央、国务院关于社会信用体系建设的总体要求，以优化科技创新环境为目标，以推进科研诚信建设制度化为重点，以健全完善科研诚信工作机制为保障，坚持预防与惩治并举，坚持自律与监督并重，坚持无禁区、全覆盖、零容忍，严肃查处违背科研诚信要求的行为，着力打造共建共享...

      2024年中央经济工作会议提出，以科技创新引领新质生产力发展，建设现代化产业体系。深圳认真学习贯彻习近平总书记关于科技创新和新质生产力的重要论述，加快构建具有深圳特点和深圳优势的现代化产业体系，在过去一年里涌现出一大批科技创新成果。       其中，以深圳平湖实验室作为主体运营单位的国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台取得阶段性成果，其打造的“全国首个集科研和中试于一体的8吋先进功率半导体开放共享平台建成启用”入选2024年深圳科技创新十件大事及《深圳特区报》2024深圳产业科技创新大事。两次入选市级科创年度大事件，既是深圳综合平台迈出里程碑一步的重要标志，也是平台全体同仁齐心协力、共同努力的成果见证。 图一：入选深圳市科技创新局2024年深圳科技创新十件大事      图二：入选《深圳特区报》2024深圳产业科技创新大事     内容来源 | 深圳市科技创新局、深圳特区报整理编辑 | 翟雪婷、宋子杰...

        深圳平湖实验室第四代材料器件课题组针对β相氧化镓p型导电困难问题，在理论上考察了不同金属元素固溶对β相氧化镓能带结构的调控机制。该成果“Effect of Alloying Metal Elements on the Valence Band of β‑Ga2O3: A First-Principles Study” 已在《The Journal of Physical Chemistry Letters》国际期刊上发表，文章链接为：https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.jpclett.4c03493 。查显弧博士是该文的第一作者，万玉喜主任和张道华院士是该文通讯作者，李爽副教授为合作作者。        β相氧化镓具有超宽的半导体带隙和经济成熟的制备方法，是当前高度关注的功率器件半导体材料。然而，由于其价带能级低、空穴质量大等因素，氧化镓的p型导电仍充满挑战。如何实现p型掺杂，制备具有更高雪崩能力和过流稳定性的氧化镓p-n同质结是需要突破的重要方向。利用尺寸效应、缺陷调控、非平衡动力学及固溶提升价带顶能级等方案是目前研究实现 β相氧化镓 p 型掺杂的主要...