摘要：深圳平湖实验室联合深圳市鹏进高科技有限公司，在国产宽禁带半导体功率器件领域取得重大突破！成功攻克1200V沟槽栅SiC MOSFET芯片的核心技术难题，构建了8英寸工艺平台，实现了自主知识产权的高性能1200V沟槽栅SiC MOSFET芯片流片成功。其核心发明专利（专利公开号：CN118610269A）已经获得授权。这标志着我国在自主知识产权的第三代半导体关键器件研发与制造能力上迈上新台阶，将为新能源汽车、光伏储能、工业电源等广泛应用提供强劲而持久的“中国芯”动力。 来源：南方+    ...

摘要：深圳平湖实验室超宽禁带半导体ZHANG DAO HUA、万玉喜团队和北京大学沈波教授及南方科技大学宋爱民教授团队合作，成功制备了国内首个氮化铝为垒层、富铝镓氮为沟道的高电子迁移率晶体管（HEMT）功率器件。 来源：腾讯新闻    

氮化铝（AlN）作为禁带宽度最大的超宽禁带半导体材料，具有高达15.4 MV/cm的击穿场强和高达340W/(m·K)的热导率，是耐高温、耐高压大功率器件的理想材料，也被称为唯一能够满足138-230 kV电网需求的半导体。目前国内关于氮化铝功率器件的报道主要集中在二极管器件。 深圳平湖实验室超宽禁带半导体团队和北京大学沈波教授及南方科技大学宋爱民教授团队合作，成功制备了国内首个氮化铝为垒层、富铝镓氮为沟道的 高电子迁移率晶体管（HEMT）功率器件（见图1）。在没有离子注入和窄带隙材料（如二次外延）等改进欧姆接触电阻和加场板改进击穿电压的情况下，LGD为25 µm的HEMT器件的关态击穿电压和比导通电阻率分别为2045 V和1736 mΩ·cm2。增加LGD至50 µm，器件关态击穿电压和比导通电阻率将分别变为大于3 kV和3012 mΩ·cm2（图2）。后续将继续优化材料性能、欧姆接触、2DEG方阻和器件结构及工艺，进一步提升器件性能。氮化铝HEMT器件的成功制备对加速我国在氮化铝器件方面的研究，突破功率...

2025中国（深圳）集成电路峰会（简称ICS2025峰会）以“芯聚湾区，破局共生”为主题，1200余位业界精英齐聚峰会现场，共商集成电路产业在复杂国际形势与技术变革浪潮中的破局之道，共谋产业发展新篇。深圳平湖实验室作为深圳市半导体行业协会的会员单位应邀出席会议并设置展台展示。 ICS2025峰会高峰论坛上，深圳市半导体行业协会会长在致辞中表示，本届峰会的宗旨在于汇聚各方智慧，从全产业链的宏观视角出发，深挖我国在半导体领域的独特优势，群策群力，补链强链。 在峰会的颁奖环节，主办方为深圳半导体行业做出贡献的多家企事业单位颁奖，其中，深圳平湖实验室作为国际首个集科研和中试于一体的8吋功率半导体开放共享平台，致力于以市场需求为牵引，突破第三代半导体产业链环节的共性难题和关键技术，推动第三代半导体材料、设备、器件国产化，协同本地高校、企业不断驱动创新，荣获突出贡献奖。 本次峰会现场设有展示区，集中展示了半导体与集成电路产业最新的技术成果。国家第三代半导体技术创新中心（深圳）及其实体运营单位“深圳平湖实验...

近日，奥趋光电创始人、CEO吴亮博士受邀做客深圳平湖实验室专家讲座，围绕“第四代半导体AlN单晶生长及其应用前景展望”这一主题，为实验室科研人员带来了专业且深入的分享，展示了AlN单晶生长领域的前沿技术与发展潜力。 讲座聚焦于AlN，深入剖析其特征和多元应用场景，作为第四代超宽禁带半导体，AlN在光电器件、激光、雷达、功率器件等领域均展现出巨大价值。从技术层面来看，AlN具有高禁带宽度（6.2 eV）、高击穿场强（15.4 MV/cm）、高热导率（340 W/ m·K）及良好的紫外透光率、化学和热稳定性等优异性能，是高温、高频、高功率电子器件以及高Al组分深紫外光电器件的理想衬底材料，在紫外探测/预警、保密通讯、量子计算、5G/6G射频、高功率相控阵雷达、新一代柔性智能电网等领域具有广泛应用前景。 讲座中，吴亮博士梳理了过去50年来AlN晶体生长取得的重要进展，并系统介绍了PVT法生长AlN晶体的一般策略，深入分析了不同生长策略的技术优势、局限性以及未来面临的挑战。同时，对AlN单晶衬底的外延生长、各种掺杂及...

6月1日至5日，第37届国际功率半导体器件和集成电路年会（IEEE The 37th International Symposium on Power Semiconductor Devices and Ics, IEEE ISPSD）在日本熊本召开。IEEE ISPSD涵盖了功率半导体器件、功率集成电路、工艺、封装和应用等功率半导体领域的各个方面，是功率器件领域最具影响力和规模最大的顶级国际学术会议，被誉为该领域的“奥林匹克”盛会，一直以来都是国内外产业界和学术界争相发表重要成果的舞台。   深圳平湖实验室的论文《肖特基型p-GaN栅HEMT中双跨导峰与单跨导峰的演变：部分耗尽与完全耗尽p-GaN层的影响》被ISPSD确认接收，论文第一作者为刘轩博士，通讯作者为万玉喜、David Zhou，该研究不仅是深圳平湖实验室在GaN功率器件方向的最新研究成果，对商用化p-GaN栅HEMT器件的栅极结构设计提供理论指导。   现场交流&作者与Poster   论文内容简介： 刘轩博士的论文“Dual- vs. Single-Peak Transconductance Evolution in Schottky p-GaN Ga...

摘要：深圳平湖实验室作为国家第三代半导体技术创新中心（深圳）的实体运营单位，其第四代半导体材料与器件课题组聚焦金刚石、氮化铝和氧化镓材料与器件领域，致力于研发先进的第四代半导体材料生长技术、器件制备工艺和异质集成，推动相关材料和器件在智能电网、电力电子、航空航天、新能源、光电和特殊环境等多领域的应用。目前在面向第四代半导体科研方向上已建成理论模拟、材料生长、器件设计和制备、性能测试等专业实验室。 鉴于目前行业内还没有对包括6.2 eV超宽禁带半导体材料和超高压大功率器件的商业化表征系统，实验室自主设计了国内外首台多功能超宽禁带材料和万伏大功率器件综合表征系统，成功填补了该领域的空白。 来源：亚洲氧化镓联盟    ...

论文内容简介： 深圳平湖实验室第四代材料器件课题组的刘妍博士近期在《Journal of Applied Physics》上发表题为“The impact of many-body effects on the properties of  β-(AlGa)2O3/Ga2O3 quantum cascade structure”的文章。 该论文通过数值求解研究了β-(AlGa)2O3/Ga2O3量子级联结构中的多体效应，并探讨了多体效应对导带结构和子带间跃迁吸收特性的影响。结果表明，在温度一定的情况下，静态多体效应会大幅提升子带间跃迁对应的峰值吸收系数，动态多体效应则使得吸收峰出现明显的蓝移。为分析β-(AlGa)2O3/Ga2O3子带间跃迁吸收特性提供了一定参考，为未来开发基于β-(AlGa)2O3/Ga2O3的长波红外子带间光电器件提供了理论基础和设计思路。   图1.基于β-(AlGa)2O3/Ga2O3量子级联结构的器件示意图   图2.多体效应对导带结构的影响   图3.多体效应对吸收特性的影响   会议简介： 《Journal of Applied Physics》是由美国物理学会（American Institute of Physic...