1月22日，国家能源局党组成员、副局长宋宏坤一行莅临深圳平湖实验室考察调研，实验室主任万玉喜接待并陪同参观。 宋宏坤副局长一行实地参观了深圳平湖实验室展厅与中试线，调研期间听取了实验室在建设历程、核心技术攻关、阶段性成果及未来规划等方面的汇报。万玉喜主任重点介绍了实验室在第三代、第四代半导体等领域的最新进展。宋宏坤副局长详细询问了产品性能、市场前景与产业化进程。双方围绕先进功率半导体器件在新型电力系统中的关键作用与应用前景等话题进行了深入交流。 广东省能源局党组书记刘文胜、南方电网副总经理李锐、深圳市发改委副主任许云飞等领导陪同调研。   撰稿 |韦艳莎摄影 | 李晓  ...

2026年1月11日，南方科技大学半导体学院（卓越工程师学院）教授一行，莅临深圳平湖实验室，开展了一场深度学术研讨与交流活动。本次来访交流是双方合作项目《面向国家战略定制化培养卓越工程人才——南方科技大学产教融合培养实践与探索》荣获2025年广东省高等教育优秀教学成果奖（研究生类）特等奖之后，在2026年度开展的首次专家会面。   聚焦前沿，实地探访研发一线 在实验室专家代表的陪同下，南科大专家团深入参观了深圳平湖实验室的研发、中试、分析检测中心。从精密复杂的材料表征设备，到高效流畅的工艺生产线，专家们对实验室在半导体相关领域取得的研发进展和工程化能力给予了高度评价。现场，双方技术人员就具体工艺难点、技术发展趋势进行了即时的热烈讨论，思维的火花在交流中不断碰撞。   座谈交流，共商协同创新大计 随后的座谈会上，双方围绕“产学研如何深度融合以支撑半导体产业自主创新”这一核心议题展开了深入探讨。南科大专家分享了学校在半导体材料、器件设计、集成工艺等方向的最新科研突破与前瞻布局。基于&ld...

深圳平湖实验室分析检测中心的胡钦博士在国际期刊《Materials Science in Semiconductor Processing》上发表题为“Effects of post-treatment progress on the morphology and surface state of 4H-SiC trenches”的文章。 4H-SiC作为第三代半导体核心材料，因耐高温、高耐压等特性，成为新能源汽车、智能电网等装备的关键基础。沟槽型结构是提升其器件性能的主流设计，但4H-SiC硬度高、各向异性强，蚀刻后沟槽表面易残留缺陷，导致器件可靠性下降，传统后处理工艺难以精准解决这一问题。该成果聚焦4H-SiC沟槽器件制备痛点，明确了后处理工艺对沟槽形貌与表面状态的调控规律，为高性能4H-SiC功率器件研发及产业化提供关键技术支撑，彰显了实验室在第三代半导体领域的技术实力。 原子力显微镜（AFM）结果显示，氢气氛围1350℃退火5分钟后，沟槽顶部与侧壁均实现低粗糙度；10 nm牺牲氧化处理可显著平滑表面，而20 nm的氧化层会因界面应力、碳富集导致粗糙度反升，表面出现pits缺陷。结合穆林斯连续表面模型（Mullins’ Continuo...

可靠性是制造业高质量发展的核心基石，更是衡量产品竞争力的关键指标。当前，我国制造业正向着高端化、智能化、绿色化转型，对可靠性专业人才的需求也日益迫切。响应国家制造业可靠性提升战略号召，切实破解企业人才培养痛点，深圳平湖实验室与美的、华为、TCL等行业头部企业共同参编了由西安理工大学、西安交通大学、电子科技大学联合编撰的“制造业可靠性丛书”，为培养可靠性人才提供了权威教材支撑。 本次校企联合编撰丛书，是深化产学融合的重要实践。西安理工大学、西安交通大学、电子科技大学凭借深厚的学术积淀与完善的人才培养体系联合牵头组编，深圳平湖实验室依托丰富的产业实践经验与前沿研究成果深度参与，同时联合行业标准化组织、主要产业及研究单位共同发力，确保丛书内容兼具学术权威性与工程实用性。 本套丛书定位清晰、价值凸显，将作为校企联办可靠性研究生课程班及攻读可靠性工程硕士、博士研究生的必修课教材，助力高层次可靠性人才精准培养。丛书由电子工业出版社出版，特邀行业资深人士担任总顾问，全程把控内容质量，坚持理论与...

深圳平湖实验室分析检测中心的田佳民博士在国际期刊《Nanoscale》上发表题为“Thickness-Dependent Polarization Modulation at AlN Interlayers in GaN Heterostructures Revealed by Atomic-Scale 4D-STEM”的文章，且该文章被收录为期刊封面。    图1. 封面图片   在后摩尔时代，氮化镓（GaN）基高电子迁移率晶体管（HEMTs）凭借卓越的高频、高功率性能，成为半导体领域的核心支柱。其性能优劣关键取决于异质结界面极化场诱导的二维电子气（2DEG）浓度，而插入超薄氮化铝（AlN）夹层是优化器件性能的主流策略。然而，亚纳米尺度（<1nm）下 AlN 夹层厚度如何调控界面应变与极化场，这一核心微观机制长期缺乏原子级解析。近日，深圳平湖实验室的研究团队借助四维扫描透射电子显微镜（4D-STEM）技术，首次在亚埃尺度下揭示了 AlN 夹层厚度依赖的极化调制规律，为高性能 GaN HEMT 器件的精准设计提供了全新科学依据。4D-STEM 表征结果显示，两者呈现截然不同的极化电场分布：1nm 厚 Al...

 

近日，深圳平湖实验室在100V氮化镓（GaN）功率器件领域取得关键进展，成功研制出高性能100V GaN E-HEMT（增强型高电子迁移率晶体管）器件与封装工程样品，关键性能达到行业先进水平，可为数据中心二次电源、人形机器人与无人机电机驱动提供有全新解决方案。 图1.  8英寸100 V GaN-on-Si E-HEMT晶圆与高散热封装样品照片 随着人工智能、人形机器人与无人机电机驱动领域的快速发展，传统功率电子系统的物理性能极限已经成为限制其应用的关键瓶颈，开发更高效率、更紧凑尺寸和更可靠的先进功率电子系统是推动这些领域的关键所在。作为宽禁带半导体代表之一的GaN器件，凭借其高电子迁移率、高速开关等特性，被视为下一代高效功率转换系统的核心。 深圳平湖实验室GaN研发团队依托实验室先进的8英寸Si基GaN科研中试平台，采用p-GaN增强型技术路线，如图2所示，先后攻克了一系列长期制约器件性能的关键技术： 1) 高迁移率外延技术：率先引入AlN插入层并优化外延结构，实现二维电子气（2DEG）迁移率超2050 cm²/V·s；...

在国家科技重大专项支持下，深圳平湖实验室在高压1200V级GaN功率器件领域取得关键性突破，首次在8英寸Si衬底上实现了超过8μm的低翘曲GaN外延，成功验证了1200V等级科研小器件电性，关键性能达到国际先进水平，为提升数据中心800V母线供电、工业电机驱动等关键产业的核心元器件自主供应能力奠定了坚实基础。   图1. 深圳平湖实验室8英寸高压（1200V）GaN-on-Si E-HEMT晶圆照片 当前，AI数据中心供电、工业电机驱动等大功率应用对电能转换系统的效率和功率密度提出了更高要求。硅基与碳化硅基功率器件在高频场景下的性能已日趋瓶颈，GaN器件凭借其高耐压、高开关速度的优势，成为高压、高频、高效功率转换的核心。然而，在1200V级的应用场景中，GaN器件在大尺寸、低成本制造和高耐压能力等方面，仍面临关键挑战。 深圳平湖实验室高压GaN研发团队依托实验室先进的8英寸硅基GaN科研中试平台，通过厚膜外延和场板优化，攻克了一系列制约产业化的关键技术难题： 1) 大尺寸低翘曲厚膜外延技术：首次在8英寸硅衬底上制备了厚度大于8&...