2026 年 3 月 20 日，全国集成电路标准化技术委员会宽禁带半导体工作组成立大会暨技术研讨会在北京顺利召开。工业和信息化部、国家市场监督管理总局标准技术管理司、中国电子技术标准化研究院等相关单位领导出席会议并讲话。 会上正式宣布宽禁带半导体工作组成立，明确工作组将以完善宽禁带半导体标准体系、加快重点标准研制、推动产业协同为核心方向，助力我国宽禁带半导体产业规范化、体系化和高质量发展。 深圳平湖实验室主任万玉喜作为工作组成员受邀参会，并深度参与标准体系研讨与产业协同交流。未来，深圳平湖实验室将依托自身技术积累与平台优势，积极投身宽禁带半导体标准研究与制订工作，紧密协同产业链上下游伙伴，共建质量标准体系，以标准引领技术突破，以协同推动产业升级，为实现我国宽禁带半导体产业自主可控、持续健康发展贡献力量。    ...

国际功率半导体器件与集成电路会议(ISPSD)被视为功率半导体领域的“奥林匹克盛会”，是本领域最具国际影响力的顶级会议，学术论文录用标准极为严苛。在刚刚结束的 ISPSD 2026 征稿评比中，深圳平湖实验室同时有6篇论文获组委会录用接收（两篇口头报告，四篇墙报），内容覆盖 GaN、SiC 及第三代跃升多个方向。本次录用成果中，实验室为第一单位的有5篇，其中3篇为唯一单位，另3篇GaN方向接收文章分别是与香港科技大学，南方科技大学、电子科技大学、深圳职业技术大学合著。 6篇论文联袂登陆顶会，是深圳平湖实验室坚持前沿探索与产业攻坚并重的有力印证。未来，实验室仍将持续锚定第三代、第四代功率半导体核心技术，打造全球功率半导体科研探索与创新高地！     关于ISPSD ISPSD会议 (International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs) 是功率半导体器件和功率集成电路领域在国际上最重要、最具影响力的学术会议，历史上电力电子器件领域的重大发明和技术进展大多在这个会议上首次发表，历届大会...

摘要：今年1月，深圳平湖实验室联合深圳市鹏进高科技有限公司共建的“化合物功率半导体中试平台”发布。平台构建了全流程的中试服务体系，为新能源汽车、轨道交通、5G通信等战略性新兴产业提供核心技术支撑。 来源：广东广播电视台  

摘要：国家第三代半导体技术创新中心（深圳综合平台）已具备为高端功率半导体材料和器件科研和中试提供全方位的服务，包括新型产品的科研、国产软件工具的研发、装备零部件的验证。深圳青年创业者可以依托平台完成设计、验证、开发，成熟后再对接量产制造平台，打通从创意到产品的全链条。 来源：深圳特区报  

摘要：2月24日召开的广东省高质量发展大会设置五个分会场，多维度深入探讨“制造业与服务业协同发展”主题。来自企业、新型研发机构的参会代表围绕两业协同全新主题交流，助力广东经济发展迈向新阶段。 来源：广东广播电视台  

2026年2月9日，深圳平湖实验室万玉喜主任携实验室技术委员会专家代表，碳化硅领域首席专家和战略规划部、伙伴发展部主管等一行八人前往南方电网公司总部，就新型电力电子器件在输变电和配电领域的应用开展调研交流。南方电网公司副总经理李锐、南方电网科学研究院董事长、党委书记郑外生等领导及南网新兴产业部、南网科研院电力电子所的领导、专家们参加座谈。 双方就现有输变电、配电的技术发展趋势，应用痛点，技术要求等充分交流了看法。南方电网与会领导对于深圳平湖实验室研发中的高压碳化硅功率器件技术表示了浓厚的兴趣。双方在会上达成一致，会后建立联合工作组，针对碳化硅高压器件技术展开场景匹配和应用验证，并以产业化为目标尽快开展研发合作。双方会择机促成建设多方联合实验室，推动新型功率半导体器件在高压电力电子场景中的应用落地。 撰稿 |  左正  ...

近日，深圳平湖实验室第三代跃升团队在碳化硅结型场效应晶体管JFET集成电路（IC）研发上取得阶段性进展，成功开发并验证SiC JFET IC技术路线。相比国际先进高温碳化硅JFET IC ±25V电源电压，实验室碳化硅IC逻辑门电路、单级放大器、差分放大器等IC结构可以在±5V及以下电源电压水平下正常工作，实现设计功能。 图一 SiC JFET IC OM及SEM图 该SiC JFET IC平台基于深圳平湖实验室先进的8英寸SiC中试平台开发，同时兼容SiC功率JFET与JFET集成电路（IC）技术工艺，可以满足不同电阻规格的JFET与JFET IC技术开发需求。基于平台器件电性测试结果提取SPICE模型，可以较好拟合单级放大器电性测试结果（图二右）。设计差分放大器结构进一步优化后，基于SPICE模型仿真，在-5.90V的共模电压下，可实现39.1dB差分电压增益和407kHz的-3dB带宽，以及极高输入阻抗。  图二 （左）兼容SiC功率JFET与JFET IC的多项目晶圆照片 （右）提取单级放大器SPICE模型与...

近日，深圳平湖实验室第四代半导体团队在氧化镓光导开关器件研究方面取得重要进展，成功研制出具备万伏级耐压能力的垂直结构光导开关器件。该团队和山东大学肖龙飞教授团队紧密合作对该器件进行了系统性分析，实现了动态导通电阻低于10欧姆和电压转换效率超过80% 的综合优异性能，同时，其开启响应时间进入亚纳秒（＜1 ns） 量级，标志着我国在高性能光控功率半导体器件领域取得显著进展。 光导开关是脉冲功率技术、高电压高速控制等领域的关键核心元器件，凭借其光电隔离、响应快、抗电磁干扰等优势，在先进能源装备、特种电子系统及前沿科学研究中具有不可替代的作用。氧化镓作为新一代超宽禁带半导体材料，具有极高的理论击穿场强和良好的光敏特性，是制造下一代高耐压、高效率、快响应光导开关的理想材料。   该高性能氧化镓光导开关的成功研制，为我国在高压直流输电智能化控制、大功率脉冲产生、先进加速器及国防高技术装备等领域提供了潜在的新型器件解决方案。 撰稿 |  张道华  ...