在国家科技重大专项支持下，深圳平湖实验室在高压1200V级GaN功率器件领域取得关键性突破，首次在8英寸Si衬底上实现了超过8μm的低翘曲GaN外延，成功验证了1200V等级科研小器件电性，关键性能达到国际先进水平，为提升数据中心800V母线供电、工业电机驱动等关键产业的核心元器件自主供应能力奠定了坚实基础。   图1. 深圳平湖实验室8英寸高压（1200V）GaN-on-Si E-HEMT晶圆照片 当前，AI数据中心供电、工业电机驱动等大功率应用对电能转换系统的效率和功率密度提出了更高要求。硅基与碳化硅基功率器件在高频场景下的性能已日趋瓶颈，GaN器件凭借其高耐压、高开关速度的优势，成为高压、高频、高效功率转换的核心。然而，在1200V级的应用场景中，GaN器件在大尺寸、低成本制造和高耐压能力等方面，仍面临关键挑战。 深圳平湖实验室高压GaN研发团队依托实验室先进的8英寸硅基GaN科研中试平台，通过厚膜外延和场板优化，攻克了一系列制约产业化的关键技术难题： 1) 大尺寸低翘曲厚膜外延技术：首次在8英寸硅衬底上制备了厚度大于8&...

近日，深圳平湖实验室在高压650V氮化镓（GaN）功率器件领域取得关键进展，成功研制出高性能高压 GaN E-HEMT（增强型高电子迁移率晶体管）器件，关键性能达到国际先进水平，可为数据中心一次电源、工业机器人、车载OBC提供有竞争力的解决方案。 图1. 8英寸高压650V GaN-on-Si E-HEMT晶圆照片   当前，650V GaN功率器件正在从消费电子快速向AI数据中心、工业、新能源汽车等市场渗透，产业界对器件性能与可靠性提出了更高的要求。因此，比导通电阻和品质因数的持续优化是提升GaN功率器件市场竞争力的关键。 深圳平湖实验室高压GaN研发团队依托实验室先进的8英寸Si基GaN科研中试平台，采用p-GaN增强型技术路线，如图2所示，先后攻克了一系列长期制约器件性能的关键技术： 1）    高迁移率外延技术：引入AlN插入层并优化外延结构，实现二维电子气（2DEG）迁移率突破至2050 cm²/V·s； 2）    高耐压缓冲层外延技术：通过引入超晶格缓冲层结构，650V外延纵向击穿电压突破至1500V； 3） &nb...

广东省发展和改革委员会正式公布2025年度广东省中试平台遴选结果，深圳平湖实验室联合深圳市鹏进高科技有限公司联合共同建设的“化合物功率半导体中试平台”成功入选。这一成果标志着实验室在功率半导体中试能力建设领域实现关键突破，也为粤港澳大湾区第三代半导体产业高质量发展注入强劲动力。 中试环节是科技成果从“实验室”走向“生产线”的“关键桥梁”，更是培育新质生产力的重要新型基础设施。此次遴选严格历经专家评审、现场考察、委务会议集体审议等多轮筛选，旨在择优支持一批聚焦战略性新兴产业、具备核心中试服务能力的优质平台，助力加快打造具有全球影响力的中试验证和成果转化基地，引领和规范广东省中试平台建设发展。 此次获批的“广东省化合物功率半导体中试平台”具备研发、中试与产业化能力，平台构建了从器件结构设计、工艺开发到产品测试的全流程的中试服务体系，能有效破解行业技术转化瓶颈，加速高性能芯片国产化进程，为新能源汽车、轨道交通、智能电网、5G通信等战略性新兴产业提供核心...

近日，深圳平湖实验室在低压（15V-40V）氮化镓（GaN）功率器件领域取得突破性进展，成功研制出高性能低压 GaN E-HEMT（增强型高电子迁移率晶体管）器件，关键性能达到国际先进水平，为高效、高功率密度计算芯片供电提供全新解决方案。 图1. 8英寸低压（15V-40V）GaN-on-Si E-HEMT晶圆照片 当前，随着人工智能的快速发展，计算芯片对供电系统在效率与功率密度方面提出了更高要求。传统硅基功率器件在性能提升上已逐渐接近物理极限，而作为宽禁带半导体代表之一的GaN器件，凭借其高电子迁移率、高速开关等特性，被视为下一代高效功率转换的核心。然而，在低压应用场景中，GaN器件的成本与性能优势尚未完全显现，成为制约其大规模应用的关键瓶颈。 面对这一挑战，深圳平湖实验室低压氮化镓研发团队依托实验室先进的8英寸硅基GaN科研中试平台，采用p-GaN增强型技术路径，先后攻克了一系列长期制约产业化的关键技术难题： 1） 高迁移率外延技术：引入AlN插入层并优化外延结构，实现二维电子气（2DEG）迁移率超2000 cm²/V·s；...

近日，深圳平湖实验室第三代跃升课题组在碳化硅结型场效应晶体管（SiC JFET）技术研发上取得重要进展，成功研发出的750V平面型SiC JFET器件，技术指标达到了国际先进水平。  图一 SiC JFET器件元胞截面图   该SiC JFET平台基于深圳平湖实验室先进的8英寸SiC中试平台开发，同时兼容SiC功率JFET与JFET集成电路（IC）技术工艺，可以满足不同电阻规格的JFET与JFET IC技术开发需求。实现的SiC JFET器件击穿电压大于980V，比导通电阻低至1.3mΩ·cm2，栅极寄生电阻小于2Ω（@35mΩ规格器件），相关技术参数优于国际同类平面型SiC JFET产品。  图二 兼容SiC功率JFET与JFET IC的晶圆照片   SiC JFET作为性能优异的新型功率半导体器件，具有极低的导通损耗、出色的关断能力和高可靠性，是固态断路器、AI数据中心热插拔模块、电子熔断器等高效能系统的理想选择。  图三 器件168H可靠性测试结果   深圳平湖实验室的相关工作攻克了平面...

近期，半导体行业迎来密集交流期，深圳平湖实验室携多项技术成果与过硬的科研能力，接连亮相多个行业盛会，在功率半导体科研创新、衬底外延加工平台与技术、全流程一站式分析检测等领域深度发声，以多维对话搭建协作桥梁，彰显科研机构的行业引领能力。   一、第十一届全国新型半导体功率器件及应用技术研讨会暨第三代半导体产业融合创新发展(昆山)论坛 11月21日，第十一届全国新型半导体功率器件及应用技术研讨会暨第三代半导体产业融合创新发展(昆山)论坛开幕，行业专家学者与企业代表齐聚一堂，共探产业发展新路径。深圳平湖实验室主任万玉喜受邀出席开幕式，并在当日专场会议中发表特邀报告《功率半导体发展历程及宽禁带和超宽禁带功率半导体技术挑战》。报告系统梳理功率半导体技术演进脉络，聚焦宽禁带和超宽禁带半导体材料在功率器件应用中的核心技术，结合实验室研发实践及产业需求提出新思路、应对新挑战，为产业发展与技术提升提供了有益的参考。   二、2025集成电路发展论坛（成渝）暨第三十一届集成电路设计业展览会 11月20-21日，2025集成电路发...

第二十七届中国国际高新技术成果交易会(简称“高交会”)由深圳市人民政府主办，11月14-16日在深圳国际会展中心（宝安）盛大开幕。全球前沿科技集结深圳，“粤科技”馆由广东省领衔打造，整合深圳11个行政区及多地优势资源，构建起跨区域联动的科创展示矩阵。馆内集中呈现深圳“20+8”产业方阵核心成果，全面覆盖人工智能、新材料、低空经济、半导体、海洋科技等热门赛道，多元科创生态成绩斐然。 半导体作为热门赛道之一，其技术突破与产业应用备受关注，深圳平湖实验室受邀携多项科技成果登录深圳科创官方展厅。  展会期间，深圳平湖实验室质量与流程IT部部长赵鲁江做客深圳科创官方直播间，与线上观众展开深度互动。直播中，赵鲁江部长系统介绍了实验室的平台能力、技术突破与产业价值，科普了宽禁带功率半导体在绿色低碳和AI应用领域的重要意义，并向怀揣梦想的青年半导体人送上寄语，鼓励青年一代深耕科研、勇于探索，为我国半导体产业自主创新注入青春力量。 未来，深圳平湖实验室将持续聚焦先进功率半导体领域的核心技术...

近日，中国科学院院士、武汉大学工业科学研究院执行院长、微电子学院副院长、集成电路学院院长刘胜教授一行到访深圳平湖实验室，实验室主任万玉喜接待并陪同参观。 刘胜院士一行先后走进实验室展厅与洁净间参观通道，万玉喜主任系统介绍了实验室的建设进展、研发方向、现有成果及未来发展布局等。双方围绕宽禁带半导体技术创新、产学研协同发展等话题进行了深入交流。 ...