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  • 2024-12-09
    01 通线仪式——创芯启航,通线未来 在政府各部门的关心支持和相关企事业单位的全力推进下,国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台于2024年11月29日正式举办通线仪式。 通线仪式当天汇聚了包括政府领导、高校领导和教授以及来自行业协会、领军企业的近百名重量级嘉宾到场,一同见证了这一历史性的时刻。这不仅是对深圳综合平台能力的肯定和鼓励,也展现了各界对平台未来发展的期待和信心。 活动在深圳综合平台中试线总经理Peter CHIA的主持下拉开帷幕,开场介绍到场嘉宾后,与会人员通过观看平台建设过程回顾视频,全面了解了平台从筹备、建设到通线的每一步重要节点和成长历程。 中国工程院院士、中国工程院原副院长、国家新材料产业发展专家咨询委员会主任干勇院士登台致辞,他从国家战略层面阐述了深圳综合平台的重要性,并对该平台的发展前景充满信心。同时表达了对超宽禁带化合物半导体技术创新的重视与支持,强调了深圳在产业链集群方面的优势以及对深圳综合平台未来的期许。 中国电子科技集团有限公司总监左雷紧接着登台致辞,高度肯定了深圳...
  • 2024-11-26
    2024年11月19日,第十届国际第三代半导体论坛&第二十一届中国国际半导体照明论坛(IFWS&SSLCHINA2024)在苏州开幕这是第三代半导体领域重要的论坛之一,行业专家云集,深圳平湖实验室多位专家学者受邀出席大会,并在多场分论坛带来精彩分享,深度参与其中。   9项 SiC MOSFET测试与可靠性标准发布仪式 为促进产业链协同创新发展,第三代半导体产业技术创新战略联盟在产业各界的关注和支持下,布局并持续启动了SiC MOSFET功率器件的系列标准制定工作,本次开幕式上,举行了9项SiC MOSFET功率器件测试与可靠性标准的发布仪式。深圳平湖实验室主任万玉喜作为参与多个标准制定的单位代表上台共同发布。 这一系列标准的发布,旨在为SiC MOSFET功率器件提供一套科学、合理的测试与评估方法,支撑产品性能提升,推动产业高质量发展。   第三代半导体标准与检测研讨会 “第三代半导体标准与检测研讨会”同步举办,本次研讨会亮点纷呈,多位行业权威专家围绕第三代半导体的技术前沿和标准体系进行了深...
  • 2024-11-26
            2024年11月18日-21日,在苏州举办的第六届先进半导体技术应用创新展(CASTAS2024)上,深圳平湖实验室首次以展台形式对外亮相,吸引了现场专业观众、众多学者、高校学生前往驻足,展台交流气氛热烈,充分体现了实验室建设面向全国的公共、开放、共享平台的使命担当。 本次参展对实验室的研发方向、平台能力、人才梯队进行了全面的介绍。   实验室专家与参展观众展开深入交流,了解客户需求,针对各类技术问题进行专业解答。同时向现场观众展示了最新激光剥离的衬底、外延研究成果。 通过本次参展,让众多行业专家、潜在客户及合作伙伴知晓深圳平湖实验室,为全面开展对外合作打下基础。     撰稿 | 翟雪婷 编辑 | 李晓...
  • 2024-11-18
           2024年11月15日,备受瞩目的国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台建成发布仪式,在第二十六届中国国际高新技术成果交易会的现场隆重举行,这一里程碑事件标志着深圳在第三代半导体技术创新领域迈出了坚实的一步。发布会现场既有来自半导体行业的专家,也有市科创局、市发改委、市工信局、龙岗区政府、市重投集团、深圳市半导体行业协会、深圳市半导体和集成电路产业联盟、深圳先进电子材料国际创新研究院、电子科技大学(深圳)高等研究院、第三代半导体国创中心湖南平台的领导和嘉宾,他们的到场体现了各界对国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台建成的高度重视。  伴随着深圳综合平台建设汇报视频的播放,通过丰富的影像资料和详实的数据记录,全面展示了平台筹备到建设过程中的点点滴滴。自2021年起,根据科技部统一部署,深圳市开始承接国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台的建设任务。在2022年,设立深圳平湖实验室作为建设和运营主体。在建设过程中,始终遵循“一体统筹规划、多地分布布局、协同创新联动&...
  • 2024-11-13
           2024年11月6日至8日,第五届亚太碳化硅及相关材料国际会议(APCSCRM 2024)在中国深圳坪山隆重举行。本次会议以“芯时代开放创新·芯机遇合作发展”为主题,汇聚了全球知名专家学者、企业领袖和行业精英,共同探讨宽禁带半导体材料的前沿技术成果和最新市场动态。       会议期间,深圳平湖实验室SiC首席科学家陈刚博士发表了题为《SiC功率器件研究与展望》的专题报告,为与会者带来了一场精彩纷呈的学术盛宴。陈刚博士作为碳化硅领域的知名专家,多年来致力于SiC功率器件的研发与应用,取得了多项突破性成果。        陈刚博士的演讲涵盖了SiC功率器件的发展历程、现状、优势以及其在高温和电力系统中的应用。相较于传统硅材料,SiC具有更好的热导性和电导性,能够在高温、高电压和高频率环境下保持稳定的性能。特别是在电动车、电力变换器和可再生能源等领域,SiC的应用已经逐渐取代硅材料,展现了其广阔的市场前景和巨大的发展潜力。       陈刚...
  • 2024-11-12
           2024年10月31日,共青团深圳平湖实验室总支部成立大会暨第一次团员大会隆重举行,全体团员共同见证了这一具有里程碑意义的时刻。此次大会得到了区团委和上级党组织的高度重视和大力支持,深圳平湖实验室党支部组织委员赵鲁江同志出席此次大会。            大会按照既定议程,选举产生了共青团深圳平湖实验室总支部第一届委员会。        选举过程严格遵守团的章程和选举规则,确保了选举的公正性、透明性。全体团员积极参与,充分行使了自己的选举权。经过严谨的计票和监票过程,会议选举杨光帅、王合会、段元淼、李海洋、王启璋五名同志为共青团深圳平湖实验室总支部委员会成员。        共青团深圳平湖实验室总支部的成立,是区团委加强基层团组织建设的重要举措,对于激发团员青年的活力、提升团组织的凝聚力和战斗力具有重要意义。团总支将致力于团结和带领广大团员青年,为实现党的事业贡献青春力量。        团总支未来将积极开展和组织...
  • 2024-10-30
           深圳平湖实验室第四代材料器件课题组针对氧化镓价带能级低和p-型掺杂困难等问题,采用铑固溶方式理论开发了新型β相铑镓氧三元宽禁带半导体。该成果“”Rhodium-Alloyed Beta Gallium Oxide Materials: New Type Ternary Ultra-Wide Bandgap Semiconductors”已在《Advanced Electronic Materials》期刊上发表并受邀提供期刊封面设计。该文章也被收录到《Progress and Frontiers in Ultrawide bandgap Semiconductors》专题。文章第一作者为查显弧博士,通讯作者为张道华院士,共同作者包括万玉喜主任和李爽副教授。       半导体材料的功率特性(巴利加优值)与其带隙的立方成正比。氧化镓具有超宽的带隙(4.9电子伏)和成熟的制备方法,是功率器件的理想材料。然而,已有氧化镓器件的功率特性仍显著低于材料的理论极限,原因在于氧化镓价带顶能级低,能带色散关系平坦。杂质掺杂受主能级多在1电子伏以上,难以实现有效的p-型导电。目前氧化镓器件多基于肖特基势垒或与其他氧...
  • 2024-10-25
           10月16日,首届“湾芯展SEMiBAY”——湾区半导体产业生态博览会在深圳会展中心(福田)盛大开幕。作为粤港澳大湾区全新自主IP的半导体产业生态博览会,本届湾芯展由深圳市半导体与集成电路产业联盟(SICA)主办,市属国企深圳市重大产业投资集团有限公司和深圳市芯盟会展有限公司承办,以“芯动未来、共创生态”为主题,设置六大专业展区,高规格举办22场前沿技术论坛,汇聚国内外超300名行业领袖、学者大咖、专业观众,现场熙熙攘攘,场面热闹非凡!   开幕现场巨擘齐聚,携手行业生态共建        开幕式现场,国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台主任/深圳平湖实验室主任万玉喜代表深圳综合平台、深圳平湖实验室与北京北方华创微电子装备有限公司、深圳市创新投资集团有限公司、粤芯半导体、中国集成电路创新联盟、深芯盟、深重投、复旦大学微电子学院、爱发科集团、宁波江丰电子材料股份有限公司等高校/联盟/企业一道上台签署生态共建倡导书,携手构建中国半...