10月15日，2025湾区半导体产业生态博览会（湾芯展）在深圳会展中心（福田）开幕，依托于深圳平湖实验室的国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台（简称“深圳综合平台”）在化合物半导体产业发展高峰论坛上携多项核心技术成果及未来前沿探索技术亮相展会，在这场集结600余家全球半导体领军企业的行业盛会上，以“开放共享”姿态释放技术创新活力，为破解产业痛点注入核心动能。 一、平台技术成果发布：亮点纷呈聚力创新 功率半导体是现代电力电子器件、射频器件的高潜力材料，与集成电路同等重要，其核心竞争力在于材料和器件结构的有机结合，尤其适合应用在高压、高频、大功率领域。以SiC、GaN为代表的第三代半导体，以及以氧化镓、氮化铝、金刚石等为代表的第四代半导体，未来应用前景十分广泛。 深圳综合平台是全球首个集科研和中试于一体的8吋先进功率半导体开放共享平台，具备全链条的研发到产业化能力。平台现有研究中心、中试中心、分析检测中心和成果转化中心四大中心，已服务30家以上的合作伙伴，10家以上的中试客户，45家以上的分...

2025年第22届国际碳化硅及相关先进材料会议（The 22nd International Conference on Silicon Carbide and Related Materials-ICSCRM 2025）在韩国釜山举办。ICSCRM是全球碳化硅与宽禁带半导体领域最具影响力的国际会议之一，本次会议聚焦功率器件、材料科学及新兴应用等前沿议题。会议包含主题演讲、技术展示和产业交流环节，吸引全球专家学者及产业链上下游企业参与。 深圳平湖实验室近期两项关键研究成果亮相ICSCRM，研究内容基于已授权的专利，充分体现了实验室的前沿探索能力和产业应用能力。其中， 深圳平湖实验室第三代跃升课题组展示了1项成果（1篇墙报），报告作者为支海朝博士。研究内容基于已授权中国专利（CN118352396B）以及已公开的中国专利申请（CN119767744A），报告讨论基于碳化硅外延回填工艺，全flow无需离子注入即可实现具有侧壁寄生p-MOS 的碳化硅沟槽栅MOSFET器件。通过单粒子辐照TCAD仿真，证实该MOSFET结构具有高抗单粒子辐照特性。报告获得较多与会专家关注，支海朝博士与AIST、SUN...

深圳平湖实验室第四代材料与器件课题组的首席科学家，新加坡工程院院士张道华（ZHANG DAO HUA）教授入选2025全球前2%顶尖科学家“生涯影响力”榜单，成果归属领域为应用物理和光学。 9月19日，全球前2%顶尖科学家榜单（World's Top 2% Scientists 2025）正式公布， 该榜单由斯坦福大学John P. A. Ioannidis教授团队与Elsevier发布，以Scopus数据库为依据，基于引用次数、H因子、HM因子等综合指标，根据其“生涯影响力”和“年度影响力”遴选出世界排名前2%的科学家。 本次入选不仅是对张教授个人学术影响力的高度认可，也体现出深圳平湖实验室在超宽禁带半导体领域实力的持续提升，以及在科研攻关、技术创新与领军人才储备方面的深厚积淀。   撰稿 | 翟雪婷  ...