近日，深圳平湖实验室分析检测中心“基于 4D-STEM 技术解决微观尺度下局域电性表征”的技术，攻克了第三代半导体材料原子尺度电学性能表征核心技术瓶颈，形成多项“人无我有”的关键突破。相关成果已在Nanoscale期刊发表，且具备对外技术服务能力，为 GaN 基器件异质结优化、二维电子气调控及器件失效分析提供关键技术支撑，填补了国内该领域高端检测服务空白。 GaN 作为第三代半导体核心材料，其微观尺度下的电场分布、电势变化及二维电子气浓度直接决定器件开关速度、耐压性能与可靠性。传统表征技术中，C-V, Hall等电学或光谱测量方法仅能得到近微观或统计性结果，难以实现亚纳米级的电场或2DEG表征。4D-STEM 技术凭借其亚埃级空间分辨率与多维信息采集能力，成为解决微观局域电性表征难题的核心手段，但行业内除设备厂家外，具备自主数据处理能力及对外测试服务资质的机构极少。  深圳平湖实验室分析检测中心基于 4D-STEM 技术开展系统性研究，包括建立数据处理体系；完善微观电磁场表征能力；实现了原子级Ga...

近日，深圳平湖实验室“SiC 栅氧表征能力建设”攻克了宽禁带半导体 SiC 栅氧表征领域多项技术瓶颈，建立行业稀缺的全套 SiC 栅氧系统表征方案，相关成果已应用于SiC功率器件的分析测试表征并产生实质性效益，为 SiC 功率器件栅氧工艺优化、界面性能提升及失效分析提供全方位的高端技术支撑，助力我国 SiC 产业链自主可控升级。 SiC 作为第三代半导体核心材料，其栅氧层质量与界面特性直接决定功率器件的击穿电压、阈值稳定性及长期可靠性，是制约 SiC 器件产业化落地的关键环节。当前行业对于 MOSCAP CV 测试数据与理论模型的契合度、SiC 栅氧界面过渡区厚度的明确界定、界面元素富集与价态的精准分析能力等方面存在明确需求，亟需一套系统的 SiC 栅氧表征方案，以进一步提升器件研发效率与工艺迭代进度。深圳平湖实验室聚焦行业核心痛点，开展针对性技术攻关，实现多项核心能力突破，为关键检测技术再添利器。 深圳平湖实验室分析检测技术方法开发聚焦半导体工艺中的实际测试需求，基于CV和STEM-EELS开展针对性研究，...

近日，深圳平湖实验室在100V氮化镓（GaN）功率器件领域取得关键进展，成功研制出高性能100V GaN E-HEMT（增强型高电子迁移率晶体管）器件与封装工程样品，关键性能达到行业先进水平，可为数据中心二次电源、人形机器人与无人机电机驱动提供有全新解决方案。 图1.  8英寸100 V GaN-on-Si E-HEMT晶圆与高散热封装样品照片 随着人工智能、人形机器人与无人机电机驱动领域的快速发展，传统功率电子系统的物理性能极限已经成为限制其应用的关键瓶颈，开发更高效率、更紧凑尺寸和更可靠的先进功率电子系统是推动这些领域的关键所在。作为宽禁带半导体代表之一的GaN器件，凭借其高电子迁移率、高速开关等特性，被视为下一代高效功率转换系统的核心。 深圳平湖实验室GaN研发团队依托实验室先进的8英寸Si基GaN科研中试平台，采用p-GaN增强型技术路线，如图2所示，先后攻克了一系列长期制约器件性能的关键技术： 1) 高迁移率外延技术：率先引入AlN插入层并优化外延结构，实现二维电子气（2DEG）迁移率超2050 cm²/V·s；...