栅氧层（SiO₂）作为 SiC MOSFET 栅极结构的核心界面层，其质量直接决定器件的阈值电压稳定性、界面陷阱密度和击穿特性。然而，SiC 与 SiO₂界面存在的固有缺陷（如碳残留、氧空位、界面态密度高等），以及高温制备工艺引入的化学不均匀性，导致传统表征手段（如 CV 测试、FTIR 光谱）难以精准定位纳米级界面缺陷的化学组成与分布。如何在原子尺度解析栅氧层的元素分布、厚度均匀性及缺陷状态，成为突破 SiC 器件可靠性瓶颈的关键技术痛点。     本方案使用的机台为日本电子球差透射电子显微镜（Cs-TEM，JEOL NEOARM 200），搭配电子能量损失谱（EELS），通过自主建立的python代码，可以获得：a) 过渡层原子像b) 缓冲层厚度c) 元素价态变化d) 元素含量变化     由于SiC晶体中Si和C的化学势差异，界面处易形成非化学计量比的过渡层（如SiOxCy、碳团簇或非晶层），其厚度和成分由氧化工艺（温度、时间、气氛）决定。缓冲层厚度差异又会进而影响界面态密度、击穿场强、可靠性等电学参数。图1展...

  在半导体芯片的制备过程中，沟槽侧壁的粗糙度影响着器件的迁移率及栅氧可靠性。原子力显微镜（AFM）的高分辨率探针扫描技术是测量半导体沟槽侧壁粗糙度的主要方法。然而，传统的AFM仅能测量垂直于探针的表面，对于平行于探针的沟槽侧壁，测量存在一定的挑战[1-2]。通过倾斜样品往往只能实现局部测量，尤其是CD小且具有高深宽比的样品。如何实现侧壁粗糙度的有效测量以支撑工艺改善及可靠性评估为待攻克难题。     a)    本方案涉及的机台为原子力显微镜AFM（Park NX20），探针曲率半径＜10 nm。b)    可获取的信息：沟槽侧壁粗糙度、STD（Standard Deviation）随深度的分布。c)    优势：创新性实现沟槽侧壁粗糙度量测，为工艺改善提供重要支撑，此外，通过数据分析可以得到STD随深度的分布。     在半导体工艺中，刻蚀后的沟槽表面存在诸多划痕，过高的粗糙度将影响器件的迁移率和栅氧可靠性，往往需要对侧壁表面进行退火等工艺优化处理。尽管SEM能够观察到一定变化，但无法提供准...

论文内容简介： 深圳平湖实验室第四代材料器件课题组的刘妍博士近期在《Journal of Applied Physics》上发表题为“The impact of many-body effects on the properties of  β-(AlGa)2O3/Ga2O3 quantum cascade structure”的文章。 该论文通过数值求解研究了β-(AlGa)2O3/Ga2O3量子级联结构中的多体效应，并探讨了多体效应对导带结构和子带间跃迁吸收特性的影响。结果表明，在温度一定的情况下，静态多体效应会大幅提升子带间跃迁对应的峰值吸收系数，动态多体效应则使得吸收峰出现明显的蓝移。为分析β-(AlGa)2O3/Ga2O3子带间跃迁吸收特性提供了一定参考，为未来开发基于β-(AlGa)2O3/Ga2O3的长波红外子带间光电器件提供了理论基础和设计思路。   图1.基于β-(AlGa)2O3/Ga2O3量子级联结构的器件示意图   图2.多体效应对导带结构的影响   图3.多体效应对吸收特性的影响   会议简介： 《Journal of Applied Physics》是由美国物理学会（American Institute of Physic...