近期，半导体行业迎来密集交流期，深圳平湖实验室携多项技术成果与过硬的科研能力，接连亮相多个行业盛会，在功率半导体科研创新、衬底外延加工平台与技术、全流程一站式分析检测等领域深度发声，以多维对话搭建协作桥梁，彰显科研机构的行业引领能力。   一、第十一届全国新型半导体功率器件及应用技术研讨会暨第三代半导体产业融合创新发展(昆山)论坛 11月21日，第十一届全国新型半导体功率器件及应用技术研讨会暨第三代半导体产业融合创新发展(昆山)论坛开幕，行业专家学者与企业代表齐聚一堂，共探产业发展新路径。深圳平湖实验室主任万玉喜受邀出席开幕式，并在当日专场会议中发表特邀报告《功率半导体发展历程及宽禁带和超宽禁带功率半导体技术挑战》。报告系统梳理功率半导体技术演进脉络，聚焦宽禁带和超宽禁带半导体材料在功率器件应用中的核心技术，结合实验室研发实践及产业需求提出新思路、应对新挑战，为产业发展与技术提升提供了有益的参考。   二、2025集成电路发展论坛（成渝）暨第三十一届集成电路设计业展览会 11月20-21日，2025集成电路发...

近日，深圳平湖实验室第三代跃升课题组在碳化硅结型场效应晶体管（SiC JFET）技术研发上取得重要进展，成功研发出的750V平面型SiC JFET器件，技术指标达到了国际先进水平。  图一 SiC JFET器件元胞截面图   该SiC JFET平台基于深圳平湖实验室先进的8英寸SiC中试平台开发，同时兼容SiC功率JFET与JFET集成电路（IC）技术工艺，可以满足不同电阻规格的JFET与JFET IC技术开发需求。实现的SiC JFET器件击穿电压大于980V，比导通电阻低至1.3mΩ·cm2，栅极寄生电阻小于2Ω（@35mΩ规格器件），相关技术参数优于国际同类平面型SiC JFET产品。  图二 兼容SiC功率JFET与JFET IC的晶圆照片   SiC JFET作为性能优异的新型功率半导体器件，具有极低的导通损耗、出色的关断能力和高可靠性，是固态断路器、AI数据中心热插拔模块、电子熔断器等高效能系统的理想选择。  图三 器件168H可靠性测试结果   深圳平湖实验室的相关工作攻克了平面...

第二十七届中国国际高新技术成果交易会(简称“高交会”)由深圳市人民政府主办，11月14-16日在深圳国际会展中心（宝安）盛大开幕。全球前沿科技集结深圳，“粤科技”馆由广东省领衔打造，整合深圳11个行政区及多地优势资源，构建起跨区域联动的科创展示矩阵。馆内集中呈现深圳“20+8”产业方阵核心成果，全面覆盖人工智能、新材料、低空经济、半导体、海洋科技等热门赛道，多元科创生态成绩斐然。 半导体作为热门赛道之一，其技术突破与产业应用备受关注，深圳平湖实验室受邀携多项科技成果登录深圳科创官方展厅。  展会期间，深圳平湖实验室质量与流程IT部部长赵鲁江做客深圳科创官方直播间，与线上观众展开深度互动。直播中，赵鲁江部长系统介绍了实验室的平台能力、技术突破与产业价值，科普了宽禁带功率半导体在绿色低碳和AI应用领域的重要意义，并向怀揣梦想的青年半导体人送上寄语，鼓励青年一代深耕科研、勇于探索，为我国半导体产业自主创新注入青春力量。 未来，深圳平湖实验室将持续聚焦先进功率半导体领域的核心技术...