近日，深圳平湖实验室在100V氮化镓（GaN）功率器件领域取得关键进展，成功研制出高性能100V GaN E-HEMT（增强型高电子迁移率晶体管）器件与封装工程样品，关键性能达到行业先进水平，可为数据中心二次电源、人形机器人与无人机电机驱动提供有全新解决方案。 图1.  8英寸100 V GaN-on-Si E-HEMT晶圆与高散热封装样品照片 随着人工智能、人形机器人与无人机电机驱动领域的快速发展，传统功率电子系统的物理性能极限已经成为限制其应用的关键瓶颈，开发更高效率、更紧凑尺寸和更可靠的先进功率电子系统是推动这些领域的关键所在。作为宽禁带半导体代表之一的GaN器件，凭借其高电子迁移率、高速开关等特性，被视为下一代高效功率转换系统的核心。 深圳平湖实验室GaN研发团队依托实验室先进的8英寸Si基GaN科研中试平台，采用p-GaN增强型技术路线，如图2所示，先后攻克了一系列长期制约器件性能的关键技术： 1) 高迁移率外延技术：率先引入AlN插入层并优化外延结构，实现二维电子气（2DEG）迁移率超2050 cm²/V·s；...

在国家科技重大专项支持下，深圳平湖实验室在高压1200V级GaN功率器件领域取得关键性突破，首次在8英寸Si衬底上实现了超过8μm的低翘曲GaN外延，成功验证了1200V等级科研小器件电性，关键性能达到国际先进水平，为提升数据中心800V母线供电、工业电机驱动等关键产业的核心元器件自主供应能力奠定了坚实基础。   图1. 深圳平湖实验室8英寸高压（1200V）GaN-on-Si E-HEMT晶圆照片 当前，AI数据中心供电、工业电机驱动等大功率应用对电能转换系统的效率和功率密度提出了更高要求。硅基与碳化硅基功率器件在高频场景下的性能已日趋瓶颈，GaN器件凭借其高耐压、高开关速度的优势，成为高压、高频、高效功率转换的核心。然而，在1200V级的应用场景中，GaN器件在大尺寸、低成本制造和高耐压能力等方面，仍面临关键挑战。 深圳平湖实验室高压GaN研发团队依托实验室先进的8英寸硅基GaN科研中试平台，通过厚膜外延和场板优化，攻克了一系列制约产业化的关键技术难题： 1) 大尺寸低翘曲厚膜外延技术：首次在8英寸硅衬底上制备了厚度大于8&...

近日，深圳平湖实验室在高压650V氮化镓（GaN）功率器件领域取得关键进展，成功研制出高性能高压 GaN E-HEMT（增强型高电子迁移率晶体管）器件，关键性能达到国际先进水平，可为数据中心一次电源、工业机器人、车载OBC提供有竞争力的解决方案。 图1. 8英寸高压650V GaN-on-Si E-HEMT晶圆照片   当前，650V GaN功率器件正在从消费电子快速向AI数据中心、工业、新能源汽车等市场渗透，产业界对器件性能与可靠性提出了更高的要求。因此，比导通电阻和品质因数的持续优化是提升GaN功率器件市场竞争力的关键。 深圳平湖实验室高压GaN研发团队依托实验室先进的8英寸Si基GaN科研中试平台，采用p-GaN增强型技术路线，如图2所示，先后攻克了一系列长期制约器件性能的关键技术： 1）    高迁移率外延技术：引入AlN插入层并优化外延结构，实现二维电子气（2DEG）迁移率突破至2050 cm²/V·s； 2）    高耐压缓冲层外延技术：通过引入超晶格缓冲层结构，650V外延纵向击穿电压突破至1500V； 3） &nb...