2026年1月11日，南方科技大学半导体学院（卓越工程师学院）教授一行，莅临深圳平湖实验室，开展了一场深度学术研讨与交流活动。本次来访交流是双方合作项目《面向国家战略定制化培养卓越工程人才——南方科技大学产教融合培养实践与探索》荣获2025年广东省高等教育优秀教学成果奖（研究生类）特等奖之后，在2026年度开展的首次专家会面。   聚焦前沿，实地探访研发一线 在实验室专家代表的陪同下，南科大专家团深入参观了深圳平湖实验室的研发、中试、分析检测中心。从精密复杂的材料表征设备，到高效流畅的工艺生产线，专家们对实验室在半导体相关领域取得的研发进展和工程化能力给予了高度评价。现场，双方技术人员就具体工艺难点、技术发展趋势进行了即时的热烈讨论，思维的火花在交流中不断碰撞。   座谈交流，共商协同创新大计 随后的座谈会上，双方围绕“产学研如何深度融合以支撑半导体产业自主创新”这一核心议题展开了深入探讨。南科大专家分享了学校在半导体材料、器件设计、集成工艺等方向的最新科研突破与前瞻布局。基于&ld...

【平台介绍】        深圳平湖实验室作为国家第三代半导体技术创新中心（深圳）主体运营单位，围绕SiC和GaN及下一代先进功率电子材料及器件研究、核心装备及零部件、配套材料验证服务等领域，开展核心技术攻关。 实验室已建成功能完善的现代化园区，位于深圳市龙岗区罗山科技园，占地面积130亩，拥有业界领先的宽禁带功率半导体研发和生产基础设施，国际、国内各类先进设备380余台套，100级洁净间面积9500平米。 汇集海内外行业顶尖的研发人才和资深工程师，打造面向全国的开放、公共、共享的科研中心、中试中心以及分析检测中心。致力于突破第三代半导体产业链环节的共性难题和关键技术，不断驱动创新，打通第三代半导体产业链，并在下一代半导体产出世界级创新成果，培养世界级人才，与合作伙伴组成生态系统，共同构建可持续发展的未来。 主要研究课题包括但不限于： 1、 GaN功率器件、可靠性与集成技术研究，包括但不限于器件新结构设计、器件机理研究、可靠性加固技术、全GaN集成技术等 2、高可靠超低比导碳化硅MOSFET器件...

深圳平湖实验室分析检测中心的胡钦博士在国际期刊《Materials Science in Semiconductor Processing》上发表题为“Effects of post-treatment progress on the morphology and surface state of 4H-SiC trenches”的文章。 4H-SiC作为第三代半导体核心材料，因耐高温、高耐压等特性，成为新能源汽车、智能电网等装备的关键基础。沟槽型结构是提升其器件性能的主流设计，但4H-SiC硬度高、各向异性强，蚀刻后沟槽表面易残留缺陷，导致器件可靠性下降，传统后处理工艺难以精准解决这一问题。该成果聚焦4H-SiC沟槽器件制备痛点，明确了后处理工艺对沟槽形貌与表面状态的调控规律，为高性能4H-SiC功率器件研发及产业化提供关键技术支撑，彰显了实验室在第三代半导体领域的技术实力。 原子力显微镜（AFM）结果显示，氢气氛围1350℃退火5分钟后，沟槽顶部与侧壁均实现低粗糙度；10 nm牺牲氧化处理可显著平滑表面，而20 nm的氧化层会因界面应力、碳富集导致粗糙度反升，表面出现pits缺陷。结合穆林斯连续表面模型（Mullins’ Continuo...