当前，电力电子系统对功率半导体器件的开关速度、散热能力、长期稳定性要求越来越严苛。碳化硅基氮化镓材料（GaN-on-SiC）既具有氮化镓高频高效的优势，又具有碳化硅衬底导热快、晶格匹配度高的特性，大幅提升散热性能与运行可靠性，是面向算力中心、航空航天、太空算力、人形机器人等高端应用领域的理想核心材料。   近日，深圳平湖实验室在氮化镓领域迎来重大进展，推出全球首个8吋GaN-on-SiC增强型HEMT工艺平台，直击当前氮化镓行业瓶颈，为算力中心、航空航天、太空算力、人形机器人等高端领域高效供电，筑牢核心材料自主化根基。 图1.  8吋GaN-on-SiC全流程晶圆 依托实验室科研+中试平台，团队已完成多项关键技术攻关，全方位验证了8吋GaN-on-SiC技术的产业化可行性： 8吋GaN-on-SiC外延生长：攻克了SiC衬底表面处理技术、SiC衬底上GaN外延生长技术，外延片翘曲＜20 μm； 8吋GaN-on-SiC无金工艺：攻克了GaN-on-SiC上p-GaN刻蚀、外延层表面钝化、欧姆接触等关键工艺。  图2.  8吋GaN-on-SiC 横...

为助力我国半导体领域青年人才培育，打通高校科研创新到产业落地的关键链路，深圳平湖实验室深度参与并支撑“华为杯”第九届中国研究生创 “芯” 大赛。从赛题供给、专题论坛筹办、MPW流片赋能到研学实践，多层次深化与大赛的协同合作，为宽禁带与超宽禁带半导体领域创新发展注入平台动能。 01赛题聚焦金刚石超宽禁带理论前沿 在赛事筹备阶段，深圳平湖实验室充分发挥自身在超宽禁带半导体领域的技术积累，深度参与大赛命题工作，围绕“金刚石n型掺杂的理论研究”前沿方向贡献专业赛题，引导青年研究生聚焦产业真问题开展创新研究，把产业技术需求融入竞赛实践之中。 02承办首届化合物半导体产学研创新论坛 8月15日，以“化合聚力，青创筑芯” 为主题的中国研究生创“芯”大赛——化合物半导体产学研创新论坛在南方科技大学顺利举办。本次论坛由深圳平湖实验室牵头承办，依托创“芯”大赛平台，聚焦破解化合物半导体高校科研与产业落地之间的壁垒，推动宽禁带半导体产学研协同成果转化。 论...

近日，“化合聚力，青创筑芯”化合物半导体产学研创新论坛于南方科技大学成功举办。本次论坛是华为杯第九届中国研究生创“芯”大赛全新设立专题论坛，由深圳平湖实验室牵头承办，汇聚国内顶尖高校、重点实验室、行业龙头专家，搭建化合物半导体领域产学研深度交流平台。论坛由清华大学集成电路学院王燕教授主持。HIPI联盟副理事长王志敏，国家第三代半导体技术创新中心（深圳）主任、深圳平湖实验室主任万玉喜先后登台致辞。 清华大学集成电路学院王燕教授主持 HIPI联盟副理事长王志敏致辞  深圳平湖实验室主任万玉喜致辞 西安电子科技大学集成电路学部执行主任、宽禁带半导体国家工程中心主任马晓华教授作为论坛TPC（技术程序委员会）主席，现场正式宣布：化合物半导体论坛将成为中国研究生创“芯”大赛常驻固定论坛，同步公布TPC委员会成员名单并举行聘书颁发仪式。本届论坛TPC委员会阵容强大，委员来自西安电子科技大学、清华大学、南京大学、东南大学、北京大学、中国科学技术大学、华中科技大学、深圳平...