可靠性是制造业高质量发展的核心基石，更是衡量产品竞争力的关键指标。当前，我国制造业正向着高端化、智能化、绿色化转型，对可靠性专业人才的需求也日益迫切。响应国家制造业可靠性提升战略号召，切实破解企业人才培养痛点，深圳平湖实验室与美的、华为、TCL等行业头部企业共同参编了由西安理工大学、西安交通大学、电子科技大学联合编撰的“制造业可靠性丛书”，为培养可靠性人才提供了权威教材支撑。 本次校企联合编撰丛书，是深化产学融合的重要实践。西安理工大学、西安交通大学、电子科技大学凭借深厚的学术积淀与完善的人才培养体系联合牵头组编，深圳平湖实验室依托丰富的产业实践经验与前沿研究成果深度参与，同时联合行业标准化组织、主要产业及研究单位共同发力，确保丛书内容兼具学术权威性与工程实用性。 本套丛书定位清晰、价值凸显，将作为校企联办可靠性研究生课程班及攻读可靠性工程硕士、博士研究生的必修课教材，助力高层次可靠性人才精准培养。丛书由电子工业出版社出版，特邀行业资深人士担任总顾问，全程把控内容质量，坚持理论与...

深圳平湖实验室分析检测中心的田佳民博士在国际期刊《Nanoscale》上发表题为“Thickness-Dependent Polarization Modulation at AlN Interlayers in GaN Heterostructures Revealed by Atomic-Scale 4D-STEM”的文章，且该文章被收录为期刊封面。    图1. 封面图片   在后摩尔时代，氮化镓（GaN）基高电子迁移率晶体管（HEMTs）凭借卓越的高频、高功率性能，成为半导体领域的核心支柱。其性能优劣关键取决于异质结界面极化场诱导的二维电子气（2DEG）浓度，而插入超薄氮化铝（AlN）夹层是优化器件性能的主流策略。然而，亚纳米尺度（<1nm）下 AlN 夹层厚度如何调控界面应变与极化场，这一核心微观机制长期缺乏原子级解析。近日，深圳平湖实验室的研究团队借助四维扫描透射电子显微镜（4D-STEM）技术，首次在亚埃尺度下揭示了 AlN 夹层厚度依赖的极化调制规律，为高性能 GaN HEMT 器件的精准设计提供了全新科学依据。4D-STEM 表征结果显示，两者呈现截然不同的极化电场分布：1nm 厚 Al...