近日，深圳平湖实验室标志性竞争力项目“建立Quad-SIMS测量GaN外延中元素浓度的方法”顺利通过内部验收，攻克了第三代半导体材料表征关键技术难题，相关成果已实现对外技术交付，为GaN外延工艺优化与器件性能提升提供核心技术支撑。 氮化镓作为战略性半导体材料，其器件外延工艺的精准调控至关重要。外延层中碳、镁、铝等元素浓度直接决定器件耐压性能与阈值电压等关键参数。动态SIMS（包括磁质谱SIMS和四级杆SIMS）可以准确表征氮化镓外延材料里的掺杂和杂质，技术门槛相对较高，同时核心方法关联器件性能调控关键数据，行业多作保密处理，导致几乎没有对外公开技术案例。深圳平湖实验室分析检测中心SIMS技术攻关团队在无业界技术参考、无原厂商有效建议的条件下，以试错精神，经20点测试，针对工艺优化衍生的测试需求提出多种原创性解决方案，从无到有，建GaN 表征流程，实现标志性竞争力突破。 本次突破聚焦半导体工艺中的实际测试需求，基于四极杆 SIMS 开展针对性研究，包括降低GaN中C元素的检出限、采用铯（Cs）负...

近日，深圳平湖实验室第三代跃升课题组在碳化硅结型场效应晶体管（SiC JFET）技术研发上取得重要进展，成功研发出的750V平面型SiC JFET器件，技术指标达到了国际先进水平。  图一 SiC JFET器件元胞截面图   该SiC JFET平台基于深圳平湖实验室先进的8英寸SiC中试平台开发，同时兼容SiC功率JFET与JFET集成电路（IC）技术工艺，可以满足不同电阻规格的JFET与JFET IC技术开发需求。实现的SiC JFET器件击穿电压大于980V，比导通电阻低至1.3mΩ·cm2，栅极寄生电阻小于2Ω（@35mΩ规格器件），相关技术参数优于国际同类平面型SiC JFET产品。  图二 兼容SiC功率JFET与JFET IC的晶圆照片   SiC JFET作为性能优异的新型功率半导体器件，具有极低的导通损耗、出色的关断能力和高可靠性，是固态断路器、AI数据中心热插拔模块、电子熔断器等高效能系统的理想选择。  图三 器件168H可靠性测试结果   深圳平湖实验室的相关工作攻克了平面...

近期，半导体行业迎来密集交流期，深圳平湖实验室携多项技术成果与过硬的科研能力，接连亮相多个行业盛会，在功率半导体科研创新、衬底外延加工平台与技术、全流程一站式分析检测等领域深度发声，以多维对话搭建协作桥梁，彰显科研机构的行业引领能力。   一、第十一届全国新型半导体功率器件及应用技术研讨会暨第三代半导体产业融合创新发展(昆山)论坛 11月21日，第十一届全国新型半导体功率器件及应用技术研讨会暨第三代半导体产业融合创新发展(昆山)论坛开幕，行业专家学者与企业代表齐聚一堂，共探产业发展新路径。深圳平湖实验室主任万玉喜受邀出席开幕式，并在当日专场会议中发表特邀报告《功率半导体发展历程及宽禁带和超宽禁带功率半导体技术挑战》。报告系统梳理功率半导体技术演进脉络，聚焦宽禁带和超宽禁带半导体材料在功率器件应用中的核心技术，结合实验室研发实践及产业需求提出新思路、应对新挑战，为产业发展与技术提升提供了有益的参考。   二、2025集成电路发展论坛（成渝）暨第三十一届集成电路设计业展览会 11月20-21日，2025集成电路发...