10月22-24日，2025半导体材料产业发展 (郑州) 大会暨中国电子材料行业协会半导体材料分会年会圆满召开。本届大会以“协同发展、合作共享”为核心议题，聚焦第一至四代半导体材料的研制突破与器件应用实践，与会者深入探讨：如何深化产业链融通，让上下游环节无缝衔接；如何强化供应链协同，筑牢产业发展安全屏障；如何筑牢新材料企业硬核实力，为产业升级注入持久动能等核心问题，都直指提升我国半导体材料产业核心竞争力的关键。 深圳平湖实验室第四代半导体首席科学家张道华教授受邀出席大会并作为嘉宾上台参与大会启动仪式。 开幕式当日的主论坛环节，张道华教授还作了题为《超宽禁带半导体的进展和挑战》的主题报告。报告系统剖析了超宽禁带半导体的性能优势、应用场景与产业化难题，以及业界对于超宽禁带半导体材料与器件的前沿研究，重点分享了氧化镓、氮化铝、金刚石等材料的近期研究进展，同时也介绍了深圳平湖实验室对于第四代半导体的研究布局和平台能力，并结合产业需求进行了展望与总结。 张道华教授的专业解读与前沿分享，既厘清了技术攻关的重...

近期，深圳平湖实验室与西安理工大学功率半导体器件及装备创新团队联合研究的最新成果在国际权威期刊 IEEE Electron Device Letters（EDL）上发表(doi: 10.1109/LED.2025.3593224)，论文题为 “Pulsed Characterization of 1.2 kV SiC Optically Controlled Transistor With Reverse Conducting Performance”。该工作提出并制备了一种具备反向导电特性的新型4H-SiC光控晶体管（RC-OCT），实现了SiC光控器件在脉冲功率领域的创新性突破。 图1 论文首页   碳化硅光控晶体管（SiC OCT）凭借高光电流增益、高响应度及优异热稳定性，在光电探测器领域已获广泛研究，但作为脉冲功率开关的应用潜力尚未充分挖掘。本研究创新性地将SiC光控晶体管（OCT）与PiN二极管结构单片集成，构建出可实现正向阻断与反向导通的复合结构，并成功制备原型器件，有效改善了关断特性并提升了脉冲响应速度，为高功率脉冲应用提供了新方案。 图2 器件结构示意图   图3 器件SEM图像(a) 横截面形貌(b) 顶视图   图4 正...

摘要：10月17日，2025湾区半导体产业生态博览会在深圳会展中心闭幕，依托于深圳平湖实验室的国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台携多项核心成果亮相，释放“开放共享”创新活力。 此次成果发布，将助力深圳打造全球半导体创新中心，支撑国家战略需求，推动我国半导体产业自主可控、高质量发展，为产业破解痛点注入核心动能。 来源：央视新闻客户端    ...