可靠性是制造业高质量发展的核心基石，更是衡量产品竞争力的关键指标。当前，我国制造业正向着高端化、智能化、绿色化转型，对可靠性专业人才的需求也日益迫切。响应国家制造业可靠性提升战略号召，切实破解企业人才培养痛点，深圳平湖实验室与美的、华为、TCL等行业头部企业共同参编了由西安理工大学、西安交通大学、电子科技大学联合编撰的“制造业可靠性丛书”，为培养可靠性人才提供了权威教材支撑。 本次校企联合编撰丛书，是深化产学融合的重要实践。西安理工大学、西安交通大学、电子科技大学凭借深厚的学术积淀与完善的人才培养体系联合牵头组编，深圳平湖实验室依托丰富的产业实践经验与前沿研究成果深度参与，同时联合行业标准化组织、主要产业及研究单位共同发力，确保丛书内容兼具学术权威性与工程实用性。 本套丛书定位清晰、价值凸显，将作为校企联办可靠性研究生课程班及攻读可靠性工程硕士、博士研究生的必修课教材，助力高层次可靠性人才精准培养。丛书由电子工业出版社出版，特邀行业资深人士担任总顾问，全程把控内容质量，坚持理论与...

深圳平湖实验室分析检测中心的田佳民博士在国际期刊《Nanoscale》上发表题为“Thickness-Dependent Polarization Modulation at AlN Interlayers in GaN Heterostructures Revealed by Atomic-Scale 4D-STEM”的文章，且该文章被收录为期刊封面。    图1. 封面图片   在后摩尔时代，氮化镓（GaN）基高电子迁移率晶体管（HEMTs）凭借卓越的高频、高功率性能，成为半导体领域的核心支柱。其性能优劣关键取决于异质结界面极化场诱导的二维电子气（2DEG）浓度，而插入超薄氮化铝（AlN）夹层是优化器件性能的主流策略。然而，亚纳米尺度（<1nm）下 AlN 夹层厚度如何调控界面应变与极化场，这一核心微观机制长期缺乏原子级解析。近日，深圳平湖实验室的研究团队借助四维扫描透射电子显微镜（4D-STEM）技术，首次在亚埃尺度下揭示了 AlN 夹层厚度依赖的极化调制规律，为高性能 GaN HEMT 器件的精准设计提供了全新科学依据。4D-STEM 表征结果显示，两者呈现截然不同的极化电场分布：1nm 厚 Al...

 

近日，深圳平湖实验室在100V氮化镓（GaN）功率器件领域取得关键进展，成功研制出高性能100V GaN E-HEMT（增强型高电子迁移率晶体管）器件与封装工程样品，关键性能达到行业先进水平，可为数据中心二次电源、人形机器人与无人机电机驱动提供有全新解决方案。 图1.  8英寸100 V GaN-on-Si E-HEMT晶圆与高散热封装样品照片 随着人工智能、人形机器人与无人机电机驱动领域的快速发展，传统功率电子系统的物理性能极限已经成为限制其应用的关键瓶颈，开发更高效率、更紧凑尺寸和更可靠的先进功率电子系统是推动这些领域的关键所在。作为宽禁带半导体代表之一的GaN器件，凭借其高电子迁移率、高速开关等特性，被视为下一代高效功率转换系统的核心。 深圳平湖实验室GaN研发团队依托实验室先进的8英寸Si基GaN科研中试平台，采用p-GaN增强型技术路线，如图2所示，先后攻克了一系列长期制约器件性能的关键技术： 1) 高迁移率外延技术：率先引入AlN插入层并优化外延结构，实现二维电子气（2DEG）迁移率超2050 cm²/V·s；...

在国家科技重大专项支持下，深圳平湖实验室在高压1200V级GaN功率器件领域取得关键性突破，首次在8英寸Si衬底上实现了超过8μm的低翘曲GaN外延，成功验证了1200V等级科研小器件电性，关键性能达到国际先进水平，为提升数据中心800V母线供电、工业电机驱动等关键产业的核心元器件自主供应能力奠定了坚实基础。   图1. 深圳平湖实验室8英寸高压（1200V）GaN-on-Si E-HEMT晶圆照片 当前，AI数据中心供电、工业电机驱动等大功率应用对电能转换系统的效率和功率密度提出了更高要求。硅基与碳化硅基功率器件在高频场景下的性能已日趋瓶颈，GaN器件凭借其高耐压、高开关速度的优势，成为高压、高频、高效功率转换的核心。然而，在1200V级的应用场景中，GaN器件在大尺寸、低成本制造和高耐压能力等方面，仍面临关键挑战。 深圳平湖实验室高压GaN研发团队依托实验室先进的8英寸硅基GaN科研中试平台，通过厚膜外延和场板优化，攻克了一系列制约产业化的关键技术难题： 1) 大尺寸低翘曲厚膜外延技术：首次在8英寸硅衬底上制备了厚度大于8&...

近日，深圳平湖实验室在高压650V氮化镓（GaN）功率器件领域取得关键进展，成功研制出高性能高压 GaN E-HEMT（增强型高电子迁移率晶体管）器件，关键性能达到国际先进水平，可为数据中心一次电源、工业机器人、车载OBC提供有竞争力的解决方案。 图1. 8英寸高压650V GaN-on-Si E-HEMT晶圆照片   当前，650V GaN功率器件正在从消费电子快速向AI数据中心、工业、新能源汽车等市场渗透，产业界对器件性能与可靠性提出了更高的要求。因此，比导通电阻和品质因数的持续优化是提升GaN功率器件市场竞争力的关键。 深圳平湖实验室高压GaN研发团队依托实验室先进的8英寸Si基GaN科研中试平台，采用p-GaN增强型技术路线，如图2所示，先后攻克了一系列长期制约器件性能的关键技术： 1）    高迁移率外延技术：引入AlN插入层并优化外延结构，实现二维电子气（2DEG）迁移率突破至2050 cm²/V·s； 2）    高耐压缓冲层外延技术：通过引入超晶格缓冲层结构，650V外延纵向击穿电压突破至1500V； 3） &nb...

广东省发展和改革委员会正式公布2025年度广东省中试平台遴选结果，深圳平湖实验室联合深圳市鹏进高科技有限公司联合共同建设的“化合物功率半导体中试平台”成功入选。这一成果标志着实验室在功率半导体中试能力建设领域实现关键突破，也为粤港澳大湾区第三代半导体产业高质量发展注入强劲动力。 中试环节是科技成果从“实验室”走向“生产线”的“关键桥梁”，更是培育新质生产力的重要新型基础设施。此次遴选严格历经专家评审、现场考察、委务会议集体审议等多轮筛选，旨在择优支持一批聚焦战略性新兴产业、具备核心中试服务能力的优质平台，助力加快打造具有全球影响力的中试验证和成果转化基地，引领和规范广东省中试平台建设发展。 此次获批的“广东省化合物功率半导体中试平台”具备研发、中试与产业化能力，平台构建了从器件结构设计、工艺开发到产品测试的全流程的中试服务体系，能有效破解行业技术转化瓶颈，加速高性能芯片国产化进程，为新能源汽车、轨道交通、智能电网、5G通信等战略性新兴产业提供核心...

近日，深圳平湖实验室在低压（15V-40V）氮化镓（GaN）功率器件领域取得突破性进展，成功研制出高性能低压 GaN E-HEMT（增强型高电子迁移率晶体管）器件，关键性能达到国际先进水平，为高效、高功率密度计算芯片供电提供全新解决方案。 图1. 8英寸低压（15V-40V）GaN-on-Si E-HEMT晶圆照片 当前，随着人工智能的快速发展，计算芯片对供电系统在效率与功率密度方面提出了更高要求。传统硅基功率器件在性能提升上已逐渐接近物理极限，而作为宽禁带半导体代表之一的GaN器件，凭借其高电子迁移率、高速开关等特性，被视为下一代高效功率转换的核心。然而，在低压应用场景中，GaN器件的成本与性能优势尚未完全显现，成为制约其大规模应用的关键瓶颈。 面对这一挑战，深圳平湖实验室低压氮化镓研发团队依托实验室先进的8英寸硅基GaN科研中试平台，采用p-GaN增强型技术路径，先后攻克了一系列长期制约产业化的关键技术难题： 1） 高迁移率外延技术：引入AlN插入层并优化外延结构，实现二维电子气（2DEG）迁移率超2000 cm²/V·s；...