近日，中国科学院院士、厦门大学党委书记张荣一行到访深圳平湖实验室，实验室主任万玉喜接待并陪同参观。 张荣院士一行先后走进实验室展厅与洁净间参观通道，万玉喜详细介绍实验室建设成效、研发与中试一体化创新模式、重大技术突破及未来布局。双方围绕宽禁带半导体技术创新、人才培养、产学研协同等话题深入交流。 作为实验室第二届战略委员会联合主任，张荣院士听取了实验室“十五五”战略规划方案，为实验室长远发展与产业协同指出宝贵指导意见。     

近日，深圳平湖实验室与深圳市埃芯半导体科技有限公司战略合作框架协议签约仪式圆满举行。本次战略合作是新型科研机构与企业协同联动的重要实践，对打通半导体仪器设备应用、测试方法开发与产业验证闭环，助力半导体与集成电路产业关键技术突破具有重要现实意义。 在实验室相关人员陪同下，深圳市埃芯半导体科技有限公司董事长张雪娜一行先后参观深圳平湖实验室展厅、生产线和分析检测中心，全面了解实验室科研布局、平台建设成效、检测服务能力及核心科研基础设施。双方现场就半导体检测装备性能、前沿技术落地、产业端实际技术痛点等关键议题开展务实交流，为后续合作落地夯实共识基础。   参观结束后，战略合作框架协议签约仪式正式举行。深圳市埃芯半导体科技有限公司科学仪器研发总监商超、深圳平湖实验室分析检测中心副主任曾威代表双方签署协议，深圳平湖实验室主任万玉喜和埃芯半导体董事长张雪娜共同见证，标志着双方战略合作伙伴关系正式确立。依托本次合作，实验室将充分发挥科研平台优势，基于埃芯半导体的先进XRD设备开展系列测试方法开发与产业应...

金刚石，被誉为第四代半导体的“终极材料”。凭借超宽禁带、超高载流子迁移率以及自然界顶尖的导热性能，金刚石功率器件可耐受高压、高温、高频工况，是轨道交通、航空航天、深地勘探等极端场景下的核心电子元器件，产业战略价值突出。但长期以来，材料激活率偏低、加工难度大和表面终端退化等等工艺瓶颈，一直阻碍高性能金刚石半导体器件的研发落地。 近期，深圳平湖实验室第四代半导体研究团队在金刚石功率器件方向取得重要突破，成功研制高性能金刚石肖特基势垒二极管（SBD）与氢终端金刚石场效应晶体管（MOSFET），多项关键性能指标达到国内领先水平，为我国超宽禁带半导体技术自主可控迈出坚实一步。   01金刚石肖特基势垒二极管（SBD）：耐压超3000V，500℃高温稳定工作 肖特基势垒二极管（SBD）是电力电子电路的基础器件，核心作用是承受高压、阻断反向电流。研究团队对整套器件制备工艺开展系统性优化，改善肖特基接触界面品质，降低欧姆接触电阻，优化刻蚀加工方案。 深圳平湖实验室研发的金刚石肖特基势垒二极管（SBD）器...

2026年8月30日，IEDM 2026公布录用结果，全球共收录约280篇学术论文，聚焦新兴器件与计算技术、系统与器件可靠性、功率/微波/毫米波及模拟器件系统等核心方向，器件创新、可靠性、AI算力供电、三维集成与系统级协同优化成为会议主线。深圳平湖实验室2篇高水平论文成功入选，在中国大陆单位贡献中并列第17位，彰显实验室在宽禁带与超宽禁带功率半导体领域的研发实力与国际影响力。 本次入选的两项成果分别聚焦新一代半导体氧化镓与大尺寸氮化镓功率器件，均为行业前沿方向： 1. Chenghao Liu et al.,Mg-Engineered β-Ga203 Photoconductive Switches with >11 kV Breakdown, ~1012 0ff/On Ratio and Sub-ns Response under Sub-Bandgap Excitation 深圳平湖实验室（第一单位）与山东大学联合发表。 简介：面向高功率微波与超宽带脉冲功率系统对高速、高压及高可靠开关的迫切需求，本研究基于Mg掺杂β-Ga2O3超宽禁带半导体平台，通过缺陷工程实现高阻态隔离与快速载流子恢复，成功研制出兼具高击穿电压、超高开关比和亚纳秒瞬态响应...

近日，2026 PCIM Asia（Power Conversion and Intelligent Motion Asia）会议在深圳举行。会上，深圳平湖实验室氮化镓研究团队的论文Low-Voltage p-GaN Gate HEMTs on 200-mm GaN-on-Si Platform with Record-Low RON,SP and RON×QG for Advanced AI Power Delivery荣获大会“最佳论文奖”（Best Paper Award）。深圳平湖实验室为论文第一单位，联合单位为香港科技大学，深圳平湖实验室王宇豪、石瑜和港科大成妍为论文共同第一作者。 这篇论文介绍了面向算力中心板级XPU供电的低压增强型功率氮化镓器件技术。本次获评最佳论文奖，无疑是对实验室在先进功率氮化镓技术领域的高度认可。 本届PCIM Asia的“最佳论文奖”由三菱电机赞助，并在大会新锐论坛上为获奖者颁奖。 PCIM Asia是亚洲地区作为专注功率半导与电力电子领域极具影响力的年度盛会，汇聚全球产业链优质资源，共探技术创新与产业升级之路。此次获奖，进一步印证了深圳平湖实验室在先进功率器件赛道扎实的科研积淀与影响...

近日，国家自然科学基金委员会正式公布2026年度国家自然科学基金集中接收申请项目评审结果。深圳平湖实验室作为牵头单位，第四代材料器件课题组丁森川博士申报的青年科学基金项目（C 类）《量子级CVD金刚石氮‑空位诱导机制及扩散动力学机理探索》成功获得立项资助。 国家自然科学基金是我国资助基础研究的核心渠道，本次项目获批，是实验室研究方向原创性、科研团队综合实力的高度认可。项目紧扣下一代半导体与量子材料领域前沿科学命题，基于等离子化学气相沉积制备的高质量原位氮掺杂单晶金刚石，以氢离子注入为主、辐照为辅实现空位诱导，结合分段高温退火工艺开展原位氮掺杂单晶金刚石NV色心的扩散调控研究；剖析替位氮、空位等杂质缺陷的存在机制，探索面向量子传感器应用的量子级单晶金刚石制备路径，并完成相关器件特性验证。项目研究成果将为NV色心的可控制备提供具备实际应用价值的技术储备，对推动NV色心的技术落地、拓展其应用场景，具备重要的科学价值与工程意义。 本次青年科学基金项目成功立项，标志着实验室在下一代半导体、量子金刚石材料基...

8月26日，2026 PCIM在深圳国际会展中心（宝安新馆）盛大启幕。作为功率半导体与电力电子领域极具影响力的年度盛会，本次展会汇聚全球产业链优质资源，共探技术创新与产业升级之路。深圳平湖实验室受邀参与展会，并与PCIM Asia Shenzhen联合主办超宽禁带半导体前沿技术论坛，紧扣国家 “十五五” 规划战略方向，聚焦金刚石、氧化镓等第四代半导体前沿材料革新与技术突破，以高端交流平台赋能产学研用深度协同，助力我国超宽禁带半导体产业高质量、跨越式发展。 超宽禁带半导体前沿技术论坛 当前，以SiC、GaN为代表的宽禁带半导体已构建成熟产业生态，成为功率半导体领域的主流支撑。顺应国家战略部署，金刚石、氧化镓等超宽禁带半导体作为第四代半导体核心方向，凭借更优的材料特性与代际优势，迈入关键研发与技术攻坚新阶段，是未来半导体产业竞争的核心赛道。 本次超宽禁带半导体前沿技术论坛精准锚定产业前沿趋势，汇聚深圳平湖实验室第四代半导体首席科学家、新加坡工程院院士张道华，西安电子科技大学教授张金风，杭州镓仁半导体有限公司董...

近日，深圳平湖实验室与龙腾半导体股份有限公司正式签署战略合作协议，双方将围绕固态变压器（SST）、逆变器等碳化硅高端应用领域展开深度合作，携手推动宽禁带半导体技术创新突破与产业化落地，共筑半导体产业高质量发展新生态。 碳化硅作为宽禁带半导体核心材料，具备高耐压、高效率、高导热等优异性能，是固态变压器、高端逆变器等电力电子装备的关键核心器件，在新能源、智能电网、先进装备等高端领域应用前景广阔，是我国半导体产业实现自主可控的重要战略方向。 此次战略合作，是科研创新平台与行业实力企业的精准对接、优势互补。龙腾半导体选择与深圳平湖实验室携手，正是看中实验室在碳化硅领域完备的科研平台、扎实的技术积累以及成熟的中试转化能力。深圳平湖实验室集聚优质科研力量，打通从基础研究、技术攻关到工程化生产、产品验证的全链条环节，能够高效匹配企业产品迭代与产业化落地需求，为碳化硅器件面向高端场景规模化应用提供坚实技术支撑。 以本次合作为契机，双方将充分发挥各自优势，把科研创新、中试工艺与市场资源高效协同、深度互补，瞄准...