摘要：中国大连，第六届全国宽禁带半导体会议上深圳平湖实验室两项研究成果以口头报告形式亮相：查显弧博士的《金属固溶对b相氧化镓能带结构调控及固溶体p型导电研究》，张荣军博士的《氮化铝功率器件研究进展》，两项报告展现了深圳平湖实验室在超宽禁带半导体领域深耕前沿理论研究的积极探索，为行业发展注入了新思考和新活力。   8月10日至13日，第六届全国宽禁带半导体会议在中国大连召开。本次会议围绕宽禁带半导体材料生长技术、材料结构与物性、光电子和电子器件研发以及相关设备研发等领域展开了广泛交流。会上，深圳平湖实验室两项研究成果以口头报告形式亮相，分别聚焦b相氧化镓p型导电的理论研究和氮化铝功率器件研究的相关进展。其中，氧化镓p型导电理论研究报告由查显弧博士主讲，氮化铝功率器件研究进展报告由张荣军博士主讲。 8月11日晚，深圳平湖实验室万玉喜主任参加了第二届中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会届中工作会议。   查显弧博士报告 查显弧博士的报告《金属固溶对b相氧化镓能带结构调控及固溶体p型导电研究》，介绍了单一固...

摘要：在龙岗的国家第三代半导体技术创新中心（深圳）试验转化平台，120多台专注于功率芯片研发、生产、检测等关键环节的国产设备，已通过平台生产线的实际验证。这个开放共享的试验转化平台填补了以往产业从实验室研发到产品量产之间的服务空白，能够帮助企业降低转化风险。 来源：央视新闻联播    

摘要：8月13日晚，央视《新闻联播》播出《深圳：科技创新驱动产业升级！新质生产力激活高质量发展》专题报道，由深圳市科技创新局指导、深重投集团投资建设的国家第三代半导体技术创新中心（深圳）（以下简称“国创中心”）发展成效获点赞关注。 来源：深重投集团    

摘要：广东深圳立足自身科研优势与产业基础，以科技创新驱动产业升级，加速培育新质生产力，为经济高质量发展注入澎湃活力。 在位于龙岗的国家第三代半导体技术创新中心（深圳）试验转化平台，120多台专注于功率芯片研发、生产、检测等关键环节的国产设备，已通过平台生产线的实际验证，这个开放共享的试验转化平台，填补了以往产业从实验室研发到产品量产之间的服务空白，能够帮助企业降低转化风险。 来源：湖北日报网    ...

摘要：近日，国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台（以下简称“国创中心”）在氮化镓/碳化硅集成领域取得突破性进展，在国际上首次研制了商用8英寸4°倾角4H-SiC衬底上的高质量氮化铝镓/氮化镓异质结构外延。这一成果打破了大尺寸氮化镓与碳化硅材料单片集成的技术瓶颈，可批量应用于大尺寸、高质量氮化镓外延材料制备，为现有硅基氮化镓技术路线提供了一种极具竞争力的替代方案，为氮化镓/碳化硅混合晶体管的发展和产业化进程奠定基础。 来源：深圳特区报    ...

近日，深圳平湖实验室在GaN/SiC集成领域取得突破性进展，在国际上首次研制了商用8英寸4°倾角4H-SiC衬底上的高质量AlGaN/GaN异质结构外延（如图1）。 该成果打破了大尺寸GaN与SiC材料单片集成的技术瓶颈，为GaN/SiC混合器件的发展及其产业化进程奠定基础，可批量应用于大尺寸、高质量GaN外延材料的制备，为现有硅基GaN技术路线提供了一种极具竞争力的替代方案。其突破性在于： 1）缺陷密度显著降低：GaN外延材料中的缺陷密度下降10~15倍,有望从根本上解决GaN器件的可靠性问题、通过10年以上寿命验证； 2）散热性能大幅提升：SiC衬底的高热导率将进一步提升GaN器件的功率密度与集成度。 这项重大进展将为宽禁带半导体在新能源汽车、消费电子、人工智能等领域的规模化应用提供重要技术支撑。 碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）作为第三代半导体的代表，凭借高禁带宽度、高击穿场强、高电子饱和速度和高热导率等优异特性，特别适合制造高频、高功率、耐高温、抗辐照器件，广泛应用于新能源车、消费电子、光伏、电网等领域。 基于同质外...

本月，第15届国际氮化物半导体会议（International Conference on Nitride Semiconductors，ICNS）在瑞典马尔默召开。ICNS-15是氮化物半导体领域国际学术会议，展示了基于III类氮化物半导体的材料和器件的具有高度影响力的科学和技术进展。ICNS-15 汇集了来自 37 个国家/地区的研究人员，分享他们的最新突破，交流思想，并推动氮化物半导体领域的发展。 本次会议，深圳平湖实验室GaN器件及工艺课题组展示了5项成果（1篇口头报告，4篇墙报），就GaN器件的p-GaN栅极可靠性、100 V高性能器件、650 V先进集成平台进行了报道。这五篇报告的第一作者为吴妍霖、刘轩、冯超、姜作衡、吴克平和陈嘉伟（共同一作），通讯作者为David Zhou和万玉喜。GaN首席科学家David Zhou和吴妍霖博士出席本次会议，进行学术分享、展示和交流。此外，吴妍霖博士担任了Power Electronic 2 (Reliability)的单元主席。 1.吴妍霖博士发表了主题为《A 650 V GaN Monolithic Integration Platform Featuring Low Capacitance and High-Performance P...

摘要： 深圳平湖实验室第四代材料与器件课题组首席科学家、新加坡工程院院士张道华教授受邀参加在新加坡举办的第12届国际先进技术材料大会（ICMAT2025），并在宽禁带半导体分会发表题为《超宽禁带β-氧化镓和氮化铝的某些特性研究》的邀请报告。 作为全球材料科学盛会之一，本届ICMAT2025吸引了近2500名行业代表参与。该会议自创办以来已成功举办12届，累计参会者超27000人，其中包括 28 位诺贝尔奖获得者、数百位杰出的全体会议和主题演讲嘉宾以及数千位受邀演讲嘉宾。 其中，张道华教授的报告《超宽禁带β-氧化镓和氮化铝的某些特性研究》介绍了深圳平湖实验室最近在β-氧化镓和氮化铝方面所取得的重要进展。主要包括： 1）通过改进刻蚀和清洗工艺，找到了减小氧化镓表面粗糙度的新方法，所获得的0.12nm目前最好，通过减小表面粗糙度，所制备的肖特基势垒二极管（SBD）理想因子达到1.05，同时器件的电流-电压（I-V）特性得到显著提高（图1）。 2）运用第一性原理，通过引入金属原子减小空穴有效质量，提高空穴迁移率，从而提高...