近期，半导体行业迎来密集交流期，深圳平湖实验室携多项技术成果与过硬的科研能力，接连亮相多个行业盛会，在功率半导体科研创新、衬底外延加工平台与技术、全流程一站式分析检测等领域深度发声，以多维对话搭建协作桥梁，彰显科研机构的行业引领能力。   一、第十一届全国新型半导体功率器件及应用技术研讨会暨第三代半导体产业融合创新发展(昆山)论坛 11月21日，第十一届全国新型半导体功率器件及应用技术研讨会暨第三代半导体产业融合创新发展(昆山)论坛开幕，行业专家学者与企业代表齐聚一堂，共探产业发展新路径。深圳平湖实验室主任万玉喜受邀出席开幕式，并在当日专场会议中发表特邀报告《功率半导体发展历程及宽禁带和超宽禁带功率半导体技术挑战》。报告系统梳理功率半导体技术演进脉络，聚焦宽禁带和超宽禁带半导体材料在功率器件应用中的核心技术，结合实验室研发实践及产业需求提出新思路、应对新挑战，为产业发展与技术提升提供了有益的参考。   二、2025集成电路发展论坛（成渝）暨第三十一届集成电路设计业展览会 11月20-21日，2025集成电路发...

近日，深圳平湖实验室第三代跃升课题组在碳化硅结型场效应晶体管（SiC JFET）技术研发上取得重要进展，成功研发出的750V平面型SiC JFET器件，技术指标达到了国际先进水平。  图一 SiC JFET器件元胞截面图   该SiC JFET平台基于深圳平湖实验室先进的8英寸SiC中试平台开发，同时兼容SiC功率JFET与JFET集成电路（IC）技术工艺，可以满足不同电阻规格的JFET与JFET IC技术开发需求。实现的SiC JFET器件击穿电压大于980V，比导通电阻低至1.3mΩ·cm2，栅极寄生电阻小于2Ω（@35mΩ规格器件），相关技术参数优于国际同类平面型SiC JFET产品。  图二 兼容SiC功率JFET与JFET IC的晶圆照片   SiC JFET作为性能优异的新型功率半导体器件，具有极低的导通损耗、出色的关断能力和高可靠性，是固态断路器、AI数据中心热插拔模块、电子熔断器等高效能系统的理想选择。  图三 器件168H可靠性测试结果   深圳平湖实验室的相关工作攻克了平面...

第二十七届中国国际高新技术成果交易会(简称“高交会”)由深圳市人民政府主办，11月14-16日在深圳国际会展中心（宝安）盛大开幕。全球前沿科技集结深圳，“粤科技”馆由广东省领衔打造，整合深圳11个行政区及多地优势资源，构建起跨区域联动的科创展示矩阵。馆内集中呈现深圳“20+8”产业方阵核心成果，全面覆盖人工智能、新材料、低空经济、半导体、海洋科技等热门赛道，多元科创生态成绩斐然。 半导体作为热门赛道之一，其技术突破与产业应用备受关注，深圳平湖实验室受邀携多项科技成果登录深圳科创官方展厅。  展会期间，深圳平湖实验室质量与流程IT部部长赵鲁江做客深圳科创官方直播间，与线上观众展开深度互动。直播中，赵鲁江部长系统介绍了实验室的平台能力、技术突破与产业价值，科普了宽禁带功率半导体在绿色低碳和AI应用领域的重要意义，并向怀揣梦想的青年半导体人送上寄语，鼓励青年一代深耕科研、勇于探索，为我国半导体产业自主创新注入青春力量。 未来，深圳平湖实验室将持续聚焦先进功率半导体领域的核心技术...

近日，中国科学院院士、武汉大学工业科学研究院执行院长、微电子学院副院长、集成电路学院院长刘胜教授一行到访深圳平湖实验室，实验室主任万玉喜接待并陪同参观。 刘胜院士一行先后走进实验室展厅与洁净间参观通道，万玉喜主任系统介绍了实验室的建设进展、研发方向、现有成果及未来发展布局等。双方围绕宽禁带半导体技术创新、产学研协同发展等话题进行了深入交流。 ...

2025年11月12日，年度国际第三代半导体行业盛会——第十一届国际第三代半导体论坛&第二十二届中国国际半导体照明论坛（IFWS&SSLCHINA 2025）在厦门成功召开。在开幕式上第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长、国家新材料产业发展专家咨询委员会委员吴玲现场发布了2025年度中国第三代半导体技术十大进展，其中，深圳平湖实验室“8英寸SiC Trench MOSFET功率器件设计与工艺开发”成功入选。 组委会现场为十大进展颁发了入选证书，深圳平湖实验室伙伴发展部部长左正博士登台领奖。 在此次评选中，深圳平湖实验室还有三项成果强势跻身“2025年度中国第三代半导体技术进展TOP30”榜单，成为本届大会入选技术成果数量最多的科研机构。这一亮眼成绩充分体现了实验室在第三代半导体材料与器件等多个领域的全面布局与积累，以及推动产业技术创新的雄厚实力。  ...

在2025年10月圆满落幕的湾芯展上，深圳平湖实验室作为国家第三代半导体技术创新中心（深圳）的主体运营单位，在化合物半导体产业发展高峰论坛上携多项核心技术成果及未来前沿探索技术亮相展会。其中， GaN MPW（多项目晶圆）共享服务平台和基于中高压GaN工艺的PDK（Process Design Kit，工艺设计工具包）两大成果，将以创新服务的模式与全面的设计支持，为GaN功率器件与IC领域设计者带来降本增效新方案。 MPW模式（Multi Project Wafer，多项目晶圆）是多个项目共享某个晶圆，即同一次制造流程可以承担多个芯片设计的制造任务。它具有降低研发成本，多样化设计验证，缩短验证等待时间等优势。 深圳平湖实验室依托研发与中试于一体的平台优势，构建了全方位的GaN MPW服务体系，具体模式和计划如下：（1）MPW模式：一个晶圆有多个重复单元（称为shot），将单一Shot分割为多个25平方毫米独立单元（称为unit），客户选择相应数量的独立单元。整个晶圆同时服务多个独立设计，降低客户成本，提高研发效率。 （2）运作流程：基于GaN PDK...

10月22-24日，2025半导体材料产业发展 (郑州) 大会暨中国电子材料行业协会半导体材料分会年会圆满召开。本届大会以“协同发展、合作共享”为核心议题，聚焦第一至四代半导体材料的研制突破与器件应用实践，与会者深入探讨：如何深化产业链融通，让上下游环节无缝衔接；如何强化供应链协同，筑牢产业发展安全屏障；如何筑牢新材料企业硬核实力，为产业升级注入持久动能等核心问题，都直指提升我国半导体材料产业核心竞争力的关键。 深圳平湖实验室第四代半导体首席科学家张道华教授受邀出席大会并作为嘉宾上台参与大会启动仪式。 开幕式当日的主论坛环节，张道华教授还作了题为《超宽禁带半导体的进展和挑战》的主题报告。报告系统剖析了超宽禁带半导体的性能优势、应用场景与产业化难题，以及业界对于超宽禁带半导体材料与器件的前沿研究，重点分享了氧化镓、氮化铝、金刚石等材料的近期研究进展，同时也介绍了深圳平湖实验室对于第四代半导体的研究布局和平台能力，并结合产业需求进行了展望与总结。 张道华教授的专业解读与前沿分享，既厘清了技术攻关的重...

近期，深圳平湖实验室与西安理工大学功率半导体器件及装备创新团队联合研究的最新成果在国际权威期刊 IEEE Electron Device Letters（EDL）上发表(doi: 10.1109/LED.2025.3593224)，论文题为 “Pulsed Characterization of 1.2 kV SiC Optically Controlled Transistor With Reverse Conducting Performance”。该工作提出并制备了一种具备反向导电特性的新型4H-SiC光控晶体管（RC-OCT），实现了SiC光控器件在脉冲功率领域的创新性突破。 图1 论文首页   碳化硅光控晶体管（SiC OCT）凭借高光电流增益、高响应度及优异热稳定性，在光电探测器领域已获广泛研究，但作为脉冲功率开关的应用潜力尚未充分挖掘。本研究创新性地将SiC光控晶体管（OCT）与PiN二极管结构单片集成，构建出可实现正向阻断与反向导通的复合结构，并成功制备原型器件，有效改善了关断特性并提升了脉冲响应速度，为高功率脉冲应用提供了新方案。 图2 器件结构示意图   图3 器件SEM图像(a) 横截面形貌(b) 顶视图   图4 正...