5月24—28日，第38届IEEE国际功率半导体器件与集成电路年会（ISPSD 2026）在美国拉斯维加斯召开。作为功率半导体领域的"奥林匹克"，ISPSD是全球最具影响力的顶级学术会议，录用标准极为严苛。本届大会共录用165篇论文（含Oral报告58篇），集中展示全球前沿成果。 深圳平湖实验室6篇论文入选（2篇Oral、4篇Poster），以第一单位发表论文数量居国内新型科研机构首位，在全球各类机构中排名第七。实验室以"科研牵引、中试验证"贯通创新链，成立三年来持续在国际顶尖舞台刷新纪录，此次突破标志着实验室的学术影响力与技术话语权再上新台阶。 此次深圳平湖实验室入选的6篇论文，全面覆盖SiC（碳化硅）、GaN（氮化镓）及第三代半导体跃升等关键方向，精准聚焦行业前沿热点与核心技术瓶颈，也是实验室坚持前沿探索与产业攻坚并重的有力印证。 未来，实验室将持续深耕第三代、第四代功率半导体核心技术研发，立足产业实际突破技术瓶颈，着力打造高水平功率半导体创新科研平台，以实打实的研发成果赋能产业发展，为全球半导体行业技术进步贡献本土创...

2026年5月22日，西安理工大学教授、国际合作与交流处处长杨媛率专家团队一行莅临深圳平湖实验室，围绕宽禁带半导体材料与器件研发攻关开展调研交流，并与实验室正式签署合作框架协议。西安理工大学杨媛处长、深圳平湖实验室赵鲁江部长分别代表双方进行了签约。 西安理工大学一行先后参观实验室展厅及中试线，详细了解科研布局、技术攻关与成果转化情况，双方就核心技术研发、产业应用前景深入交流。 签约仪式上，双方秉持 “开放合作、优势互补、互利共赢、共同发展” 原则，立足国家战略部署，以新发展理念为引领，聚焦高质量发展与新质生产力培育，达成全方位合作共识。未来将充分发挥教育、科技、人才、产业协同优势，面向国家重大战略和未来产业，联合破解行业关键难题、承担国家重大任务、推动科研成果市场化应用、培育产业急需紧缺人才，全面提升人才自主培养能力与服务国家战略水平。 此次合作是产教融合发展的重要举措，双方将以协议签署为契机，深度整合资源、凝聚创新合力，全力推动宽禁带半导体等领域技术突破，为服务国家重大战略、培育发展新质...

在半导体世界，有一类器件被称为“高压命脉”——光导开关。它是高压直流输电、先进雷达、脉冲功率装置的核心，谁掌握了更高耐压、更快响应的光导开关，谁就握住了未来超高压科技的钥匙。   近日，深圳平湖实验室第四代半导体团队再获重大进展：继前期成功研发万伏级垂直结构氧化镓光导开关后，团队利用镓仁半导体生产的国产氧化镓材料，开发出具备超快响应、超高开关比、超万伏耐压能力的Mg掺杂氧化镓光导开关。得益于Mg掺杂引入的深能级补偿效应，该器件耐压突破 220 kV/cm，开关比高达 1×10¹¹，关断时间小于1 ns，一举刷新纪录，在第四代半导体赛道实现跨越式领跑。 PART 01 挑战 “无止境” ：超万伏级氧化镓光导开关持续提升 时间回溯到2026年2月，深圳平湖实验室第四代半导体团队成功研发万伏级垂直结构氧化镓光导开关，击穿电压超10000V，动态导通电阻低于10欧姆，响应时间进入亚纳秒量级，为我国氧化镓万伏器件走向产业化奠定了坚实基础。 但科研的脚步从未停歇。深圳平湖实验室第四代半导体团队秉...

5月14-16日，2026杭州半导体与集成电路全产业链人才生态建设协同创新大会在杭州大会展中心举办。深圳平湖实验室受邀参会，深度参与产业人才培育与产教融合，为我国半导体人才生态建设贡献平湖方案。 会上，实验室正式加入半导体与集成电路产业链企业大学计划并参与发布仪式，该计划将从推进在校学生使用国产TCAD/EDA工具为切入点，携手行业同仁共建产学研协同、供需精准对接的人才培育体系，助力破解产业人才痛点。 深圳平湖实验室主任万玉喜在大会作主题分享，围绕实验室在产教融合领域的探索与实践，从人才培养模式创新、产学研协同机制搭建、实践育人平台建设等方面展开交流，为集成电路产业人才生态建设提供实践参考。 同时，实验室参与编写的《芯跳不止：中国半导体产业的奋进之路与未来图景》思政教材重磅发布，该教材立足国家战略，系统梳理产业奋进历程，传递半导体人攻坚克难的精神力量，为产业人才思政教育提供权威、鲜活素材。 其中，教材第七章《国产功率半导体的崛起之路》由深圳平湖实验室重点编撰，全景展现国产功率半导体从早期探索到技术突围、...

2026年4月23日，深圳平湖实验室分析检测中心李齐治博士受邀出席第三代半导体检测技术创新与应用论坛（2026第19届中国科学仪器发展年会），并发表题为《宽禁带半导体材料分析技术的应用与实践》的特邀报告。报告聚焦半导体器件研发与工艺流程优化中的实际痛点，系统阐述了XRD、AFM、SEM、TEM、SIMS及拉曼光谱等多种材料分析技术在碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等宽禁带半导体领域的应用案例与解决方案，通过材料分析实战案例在产业中的应用展示分析检测核心价值，用科学表征手段和高精度的技术方案夯实产业高质量发展的底座。 作为新能源汽车、5G通信、航空航天等战略性新兴产业的关键基础材料，第三代半导体对材料质量与工艺精度提出了极高要求。材料分析技术贯穿其研发、工艺优化到量产的全生命周期，是推动技术突破、质量跃升和产业链自主可控的核心支撑。 在衬底制备环节，SiC、GaN晶体对完整性、杂质及缺陷控制要求严苛，微管、位错等缺陷将直接制约器件性能。通过XRD、AFM、SEM等表征手段，可精准解析晶体结构、表面形貌及缺陷...

4月23日-25日，2026九峰山论坛在武汉光谷科技会展中心圆满举办。本届论坛以 “新赛道、新技术、新产品、新市场” 为核心主题，汇聚行业院士专家、头部企业代表及科研精英，打造中国化合物半导体领域规格最高、规模最大的行业盛会。深圳平湖实验室作为行业重要科研力量之一，深度参与论坛各项活动，联合发布权威报告，领衔分论坛承办，分享前沿科研成果等，全方位展现实验室在第三代、第四代半导体领域的科研实力与产业担当。 2026九峰山论坛开幕式   一、出席开幕式，联合发布权威报告 论坛开幕式现场大咖云集，中国科学院院士、武汉大学教授刘胜致辞并聚焦产业机遇与发展路径分享核心观点。开幕式上，由第三代半导体产业技术创新战略联盟编写的《第三代半导体产业发展报告（2025）》正式发布，第三代半导体技术产业创新战略联盟理事长吴玲作为主发布人，介绍了《报告》编制情况及产业趋势现状。深圳平湖实验室深度参与了本《报告》的编写，实验室主任万玉喜受邀上台，参与报告联合发布仪式。 《第三代半导体产业发展报告（2025）》正式发布  二、...

近日，深圳平湖实验室与无锡北京大学电子设计自动化研究院（以下简称“北大EDA研究院”）及下属公司芯怀科技达成深度技术合作，在基于神经网络的 GaN HEMT 功率器件建模领域取得重要进展。双方联合研发成果已成功集成至芯怀科技自主研发的智能器件建模软件iMoB（Intelligent Model Builder），这一成果是国产 EDA 工具链与 AI 建模技术的深度融合，显著提升器件设计效率与精度，高效破解功率半导体电路设计与优化的行业难题。 双方合作成果集成的iMoB软件是一款面向多样化器件类型的通用AI建模工具，通过神经网络架构自动学习器件端口的非线性行为，其建模方案具备良好的通用性，能够支持传统硅基器件、先进制程多栅器件（FinFET、GAA等）、新型二维材料器件（MoS₂等）等各种半导体器件的建模，并支持向多款商用电路仿真软件的导入。该工具应用于宽禁带半导体领域，以解决GaN HEMT建模中长期存在的挑战。在合作过程中，双方团队基于实测数据与物理仿真数据，利用iMoB平台成功研发了针对GaN HEMT的专业建模模...

近日，由全国半导体器件标准化技术委员会半导体分立器件分技术委员会主办，第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）与深圳平湖实验室共同承办SiC和GaN的11项国家标准征求意见会，在深圳平湖实验室顺利召开。来自国内科研院所、高校、龙头企业及行业机构的近100位权威专家、工程师齐聚一堂，围绕11项重要国家标准征求意见稿展开深度研讨，共绘第三代半导体标准化发展蓝图。 本次会议聚焦的11项国家标准，核心任务是对三代半联盟标准采信为国家标准征求意见，覆盖SiC MOSFET功率循环、动态栅偏、动态反偏、动态高温高湿反偏、高温栅偏、高温反偏、高压高温高湿反偏及GaN HEMT动态导通电组测试等，直接关系到碳化硅、氮化镓器件的性能验证、质量管控与产业规模化应用，是新能源汽车、轨道交通、智能电网、工业变频等战略领域高质量发展的重要技术基石。“启动会议上，标委会陈海蓉秘书长、三代半联盟副理事长兼秘书长杨富华致辞，标委会张丽静老师讲解总体工作安排。启动会议由三代半联盟副秘书长高伟博士主持。后续的分组会议期间，专家们逐...