近期，深圳平湖实验室与西安理工大学功率半导体器件及装备创新团队联合研究的最新成果在国际权威期刊 IEEE Electron Device Letters（EDL）上发表(doi: 10.1109/LED.2025.3593224)，论文题为 “Pulsed Characterization of 1.2 kV SiC Optically Controlled Transistor With Reverse Conducting Performance”。该工作提出并制备了一种具备反向导电特性的新型4H-SiC光控晶体管（RC-OCT），实现了SiC光控器件在脉冲功率领域的创新性突破。 图1 论文首页   碳化硅光控晶体管（SiC OCT）凭借高光电流增益、高响应度及优异热稳定性，在光电探测器领域已获广泛研究，但作为脉冲功率开关的应用潜力尚未充分挖掘。本研究创新性地将SiC光控晶体管（OCT）与PiN二极管结构单片集成，构建出可实现正向阻断与反向导通的复合结构，并成功制备原型器件，有效改善了关断特性并提升了脉冲响应速度，为高功率脉冲应用提供了新方案。 图2 器件结构示意图   图3 器件SEM图像(a) 横截面形貌(b) 顶视图   图4 正...

摘要：10月17日，2025湾区半导体产业生态博览会在深圳会展中心闭幕，依托于深圳平湖实验室的国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台携多项核心成果亮相，释放“开放共享”创新活力。 此次成果发布，将助力深圳打造全球半导体创新中心，支撑国家战略需求，推动我国半导体产业自主可控、高质量发展，为产业破解痛点注入核心动能。 来源：央视新闻客户端    

摘要：在2025湾区半导体产业生态博览会（简称“湾芯展”）上，深圳平湖实验室在化合物半导体产业发展高峰论坛上携多项核心技术成果及未来前沿探索技术亮相。该实验室是科技部支持建设国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台的运营主体单位。 来源：21世纪经济报道    

高层对话直播间：为化合物半导体研发赋能 嘉宾：国家第三代半导体技术创新中心/深圳平湖实验室 主任 万玉喜 来源：湾芯展&与非网  

摘要：此次“湾芯展”上，作为国家第三代半导体技术创新中心（深圳）运营主体的深圳平湖实验室不仅集中发布了一系列业界领先的工艺、设备和软件平台，还主办了2025年“湾芯展”化合物半导体产业发展高峰论坛等三个论坛，全面展现了其在半导体与集成电路领域的硬核创新力量。 来源：龙岗发布    

10月15日，2025湾区半导体产业生态博览会（湾芯展）在深圳会展中心（福田）开幕，依托于深圳平湖实验室的国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台（简称“深圳综合平台”）在化合物半导体产业发展高峰论坛上携多项核心技术成果及未来前沿探索技术亮相展会，在这场集结600余家全球半导体领军企业的行业盛会上，以“开放共享”姿态释放技术创新活力，为破解产业痛点注入核心动能。 一、平台技术成果发布：亮点纷呈聚力创新 在电子设备和装置中，功率半导体与集成电路同等重要。宽禁带功率半导体是现代电力电子器件、射频器件的高潜力器件，其核心竞争力不是在极小特征尺寸，而是在基于新材料、新装备、新工艺和器件结构创新的有机结合，尤其适合应用在高压、高频、大功率领域。以SiC、GaN为代表的第三代半导体，以及以氧化镓、氮化铝、金刚石等为代表的第四代半导体，未来应用前景十分广泛。 深圳综合平台是全球首个集科研和中试于一体的8吋先进功率半导体开放共享平台，具备全链条的研发到产业化能力。平台现有研究中心、中试中心、分析检测中...

摘要：深圳平湖实验室坐落于深圳市龙岗区平湖街道罗山科技园，占地面积130亩。 作为国家在半导体前沿领域布局的重要载体，该实验室肩负着打造世界领先的第三代及第四代功率半导体科研与中试平台，目标在SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）等第三代半导体领域及面向第四代半导体产出世界级成果。 来源：南方日报    

2025年第22届国际碳化硅及相关先进材料会议（The 22nd International Conference on Silicon Carbide and Related Materials-ICSCRM 2025）在韩国釜山举办。ICSCRM是全球碳化硅与宽禁带半导体领域最具影响力的国际会议之一，本次会议聚焦功率器件、材料科学及新兴应用等前沿议题。会议包含主题演讲、技术展示和产业交流环节，吸引全球专家学者及产业链上下游企业参与。 深圳平湖实验室近期两项关键研究成果亮相ICSCRM，研究内容基于已授权的专利，充分体现了实验室的前沿探索能力和产业应用能力。其中， 深圳平湖实验室第三代跃升课题组展示了1项成果（1篇墙报），报告作者为支海朝博士。研究内容基于已授权中国专利（CN118352396B）以及已公开的中国专利申请（CN119767744A），报告讨论基于碳化硅外延回填工艺，全flow无需离子注入即可实现具有侧壁寄生p-MOS 的碳化硅沟槽栅MOSFET器件。通过单粒子辐照TCAD仿真，证实该MOSFET结构具有高抗单粒子辐照特性。报告获得较多与会专家关注，支海朝博士与AIST、SUN...