深圳平湖实验室受邀参加第六届全国宽禁带半导体学术会议并作科研进展报告
摘要：中国大连，第六届全国宽禁带半导体会议上深圳平湖实验室两项研究成果以口头报告形式亮相：查显弧博士的《金属固溶对b相氧化镓能带结构调控及固溶体p型导电研究》，张荣军博士的《氮化铝功率器件研究进展》，两项报告展现了深圳平湖实验室在超宽禁带半导体领域深耕前沿理论研究的积极探索，为行业发展注入了新思考和新活力。
8月10日至13日，第六届全国宽禁带半导体会议在中国大连召开。本次会议围绕宽禁带半导体材料生长技术、材料结构与物性、光电子和电子器件研发以及相关设备研发等领域展开了广泛交流。会上，深圳平湖实验室两项研究成果以口头报告形式亮相，分别聚焦b相氧化镓p型导电的理论研究和氮化铝功率器件研究的相关进展。其中，氧化镓p型导电理论研究报告由查显弧博士主讲，氮化铝功率器件研究进展报告由张荣军博士主讲。 8月11日晚，深圳平湖实验室万玉喜主任参加了第二届中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会届中工作会议。
查显弧博士报告
查显弧博士的报告《金属固溶对b相氧化镓能带结构调控及固溶体p型导电研究》，介绍了单一固溶浓度下，49种不同金属固溶对b相氧化镓的能带结构调控规律。并对不同固溶浓度下b相铑镓氧固溶体的能带结构、可能的p型掺杂方案以及空穴迁移率做了细致分析，表明b相铑镓氧固溶体是有望实现p型导电的金属氧化物宽禁带半导体。该研究有望促成b相氧化镓器件在电力交通、智能电网等领域的广泛使用。此外，该报告还指出结合SCAN泛函和HSE06杂化泛函是第一性原理计算宽禁带固溶体的有效方案。
张荣军博士报告
张荣军博士的报告《氮化铝功率器件研究进展》，介绍了氮化铝SBD和HEMT器件的最新研究，制备的SBD器件均展现出> 3 kV的反向击穿电压，比导通电阻分别为62.5 Ω·cm2和27.7 Ω·cm2。制备的HEMT器件LGD为5 µm和25 µm时击穿电压分别为990 V和2045 V， LGD为50 µm时，击穿电压> 3 kV。该报告同时指出氮化铝材料当前在材料生长、衬底、外延以及器件制备上都存在一定的挑战，但凭借优异的材料性能氮化铝功率器件未来在智能电网、高速机车和极端环境下，展现出十分重要的应用前景。
深圳平湖实验室在会上分享的氧化镓和氮化铝的近期研究进展，不仅让国内同行专家直观了解到实验室深耕前沿理论探索与平台科研实力的相辅相成，也进一步提升了深圳平湖实验室在学界的影响力。
撰稿 | 查显弧
编辑 | 翟雪婷
