外部报道
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摘要:深圳平湖实验室坐落于深圳市龙岗区平湖街道罗山科技园,占地面积130亩。 作为国家在半导体前沿领域布局的重要载体,该实验室肩负着打造世界领先的第三代及第四代功率半导体科研与中试平台,目标在SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)等第三代半导体领域及面向第四代半导体产出世界级成果。 来源:南方日报
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摘要:由广东省委、省政府联合教育部主办的“百万英才汇南粤”2025年N城联动秋季招聘于9月23日在上海启动。本次活动深圳集结了大量优质企业与事业单位,搭建青年人才“求职不用跑,机遇找上门”的逐梦快车道。 深圳平湖实验室作为优质科研单位代表参加了“百万英才汇南粤”的招聘活动,实验室主任万玉喜受邀出席活动启动式并在展台接受记者采访。 来源:广东卫视
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摘要:由广东省委、省政府联合教育部主办的“百万英才汇南粤”2025年N城联动秋季招聘于9月23日在上海启动。本次活动深圳集结了大量优质企业与事业单位,搭建青年人才“求职不用跑,机遇找上门”的逐梦快车道。 深圳平湖实验室作为优质科研单位代表参加了“百万英才汇南粤”的招聘活动,实验室主任万玉喜受邀出席活动启动式并在展台接受记者采访。 来源:深视新闻
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摘要:广东深圳立足自身科研优势与产业基础,以科技创新驱动产业升级,加速培育新质生产力,为经济高质量发展注入澎湃活力。 在位于龙岗的国家第三代半导体技术创新中心(深圳)试验转化平台,120多台专注于功率芯片研发、生产、检测等关键环节的国产设备,已通过平台生产线的实际验证,这个开放共享的试验转化平台,填补了以往产业从实验室研发到产品量产之间的服务空白,能够帮助企业降低转化风险。 来源:湖北日报
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摘要:8月13日晚,央视《新闻联播》播出《深圳:科技创新驱动产业升级!新质生产力激活高质量发展》专题报道,由深圳市科技创新局指导、深重投集团投资建设的国家第三代半导体技术创新中心(深圳)(以下简称“国创中心”)发展成效获点赞关注。 来源:深重投集团
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摘要:在龙岗的国家第三代半导体技术创新中心(深圳)试验转化平台,120多台专注于功率芯片研发、生产、检测等关键环节的国产设备,已通过平台生产线的实际验证。这个开放共享的试验转化平台填补了以往产业从实验室研发到产品量产之间的服务空白,能够帮助企业降低转化风险。 来源:央视新闻联播
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摘要:近日,国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台(以下简称“国创中心”)在氮化镓/碳化硅集成领域取得突破性进展,在国际上首次研制了商用8英寸4°倾角4H-SiC衬底上的高质量氮化铝镓/氮化镓异质结构外延。这一成果打破了大尺寸氮化镓与碳化硅材料单片集成的技术瓶颈,可批量应用于大尺寸、高质量氮化镓外延材料制备,为现有硅基氮化镓技术路线提供了一种极具竞争力的替代方案,为氮化镓/碳化硅混合晶体管的发展和产业化进程奠定基础。 来源:深圳特区报
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摘要:深圳集成电路产业上半年增长16.9% 创历史同期新高 在深圳国家第三代半导体技术创新中心,今年以来,科研项目进度条持续刷新,8吋碳化硅1200V沟槽栅MOSFET流片成功、碳化硅衬底激光剥离技术等方面创新成果不断产出。6月底,张道华教授团队前瞻研发,成功制备国内首个氮化铝/富铝镓氮高电子迁移率晶体管功率器件。氮化铝、氧化镓等作为第四代半导体材料能够在高温、高压等极端环境下,实现更小体积的高效功率传输,未来将应用在智能电网、航空航天等领域。 来源:深视新闻


