摘要:深圳集成电路产业上半年增长16.9% 创历史同期新高
在深圳国家第三代半导体技术创新中心,今年以来,科研项目进度条持续刷新,8吋碳化硅1200V沟槽栅MOSFET流片成功、碳化硅衬底激光剥离技术等方面创新成果不断产出。6月底,张道华教授团队前瞻研发,成功制备国内首个氮化铝/富铝镓氮高电子迁移率晶体管功率器件。氮化铝、氧化镓等作为第四代半导体材料能够在高温、高压等极端环境下,实现更小体积的高效功率传输,未来将应用在智能电网、航空航天等领域。
来源:深视新闻