深圳新闻网 | 突破性成果：自主知识产权8英寸高性能沟槽栅SiC MOSFET芯片工艺平台流片成功

发布于： 2025-06-27 10:11

分类：资讯中心外部报道

摘要：深圳平湖实验室联合深圳市鹏进高科技有限公司，在国产宽禁带半导体功率器件领域取得重大突破！成功攻克1200V沟槽栅SiC MOSFET芯片的核心技术难题，构建了8英寸工艺平台，实现了自主知识产权的高性能1200V沟槽栅SiC MOSFET芯片流片成功。其核心发明专利（专利公开号：CN118610269A）已经获得授权。这标志着我国在自主知识产权的第三代半导体关键器件研发与制造能力上迈上新台阶，将为新能源汽车、光伏储能、工业电源等广泛应用提供强劲而持久的“中国芯”动力。

来源：南方+

实验室人才招聘：italentmailsys-lab@phlab.com.cn
实验室公共咨询邮箱：inquiries-lab@phlab.com.cn
实验室公共投诉邮箱：complain-lab@phlab.com.cn

微信公众号

友情链接：北京华大九天科技股份有限公司，芯和半导体科技(上海)股份有限公司，深圳比昂芯科技有限公司

© 2022 深圳平湖实验室版权所有粤ICP备2022142655号粤公网安备44030002006055号