摘要:深圳平湖实验室与深圳市鹏进高科技有限公司合作,在国产宽禁带半导体功率器件研发领域取得重大进展,成功攻克1200V沟槽栅SiC MOSFET芯片的核心技术难题。
该团队成功构建了8英寸工艺平台,并基于此平台实现了具有自主知识产权的高性能1200V沟槽栅SiC MOSFET芯片的流片。其核心发明专利(公开号:CN118610269A)已获得授权。
来源:南方+