近日，“化合聚力，青创筑芯”化合物半导体产学研创新论坛于南方科技大学成功举办。本次论坛是华为杯第九届中国研究生创“芯”大赛全新设立专题论坛，由深圳平湖实验室牵头承办，汇聚国内顶尖高校、重点实验室、行业龙头专家，搭建化合物半导体领域产学研深度交流平台。论坛由清华大学集成电路学院王燕教授主持。HIPI联盟副理事长王志敏，国家第三代半导体技术创新中心（深圳）主任、深圳平湖实验室主任万玉喜先后登台致辞。 清华大学集成电路学院王燕教授主持 HIPI联盟副理事长王志敏致辞  深圳平湖实验室主任万玉喜致辞 西安电子科技大学集成电路学部执行主任、宽禁带半导体国家工程中心主任马晓华教授作为论坛TPC（技术程序委员会）主席，现场正式宣布：化合物半导体论坛将成为中国研究生创“芯”大赛常驻固定论坛，同步公布TPC委员会成员名单并举行聘书颁发仪式。本届论坛TPC委员会阵容强大，委员来自西安电子科技大学、清华大学、南京大学、东南大学、北京大学、中国科学技术大学、华中科技大学、深圳平...

抗辐照SiC MOSFET器件在商业航天领域前景广阔。功率器件被誉为电力电子系统的“心脏”，采用SiC功率器件的空间电源模块效率可从85%提升至95%，功率-体积比提高近5倍，可大幅简化散热设备、降低发射成本。在低轨巨型星座、深空探测器等场景中，SiC器件是300V以上高压母线体制下深空平台及大功率卫星的首选。全球宇航级SiC功率器件市场预计2034年将达23.1亿美元，商业化前景可期。 抗单粒子辐照性能提升，SEGR电压突破400V 基于深圳平湖实验室自主搭建、面向产业验证的8英寸SiC中试平台，联合香港科技大学陈敬教授课题组及北京航空航天大学吕纲教授课题组，通过器件结构设计及制造工艺创新，采用多维电场屏蔽、多通路空穴抽取的结构设计及二次外延工艺，研制出抗单粒子辐照加固SiC MOSFET器件。 实验结果显示，深圳平湖实验室联合研制的抗单粒子辐照加固SiC MOSFET器件，将单粒子栅穿（Single-Event Gate Rupture，SEGR）阈值电压从常规1200V SiC MOSFET结构的200V提高至400V，性能提升100%，极大地...