近日，奥趋光电创始人、CEO吴亮博士受邀做客深圳平湖实验室专家讲座，围绕“第四代半导体AlN单晶生长及其应用前景展望”这一主题，为实验室科研人员带来了专业且深入的分享，展示了AlN单晶生长领域的前沿技术与发展潜力。 讲座聚焦于AlN，深入剖析其特征和多元应用场景，作为第四代超宽禁带半导体，AlN在光电器件、激光、雷达、功率器件等领域均展现出巨大价值。从技术层面来看，AlN具有高禁带宽度（6.2 eV）、高击穿场强（15.4 MV/cm）、高热导率（340 W/ m·K）及良好的紫外透光率、化学和热稳定性等优异性能，是高温、高频、高功率电子器件以及高Al组分深紫外光电器件的理想衬底材料，在紫外探测/预警、保密通讯、量子计算、5G/6G射频、高功率相控阵雷达、新一代柔性智能电网等领域具有广泛应用前景。 讲座中，吴亮博士梳理了过去50年来AlN晶体生长取得的重要进展，并系统介绍了PVT法生长AlN晶体的一般策略，深入分析了不同生长策略的技术优势、局限性以及未来面临的挑战。同时，对AlN单晶衬底的外延生长、各种掺杂及...

6月1日至5日，第37届国际功率半导体器件和集成电路年会（IEEE The 37th International Symposium on Power Semiconductor Devices and Ics, IEEE ISPSD）在日本熊本召开。IEEE ISPSD涵盖了功率半导体器件、功率集成电路、工艺、封装和应用等功率半导体领域的各个方面，是功率器件领域最具影响力和规模最大的顶级国际学术会议，被誉为该领域的“奥林匹克”盛会，一直以来都是国内外产业界和学术界争相发表重要成果的舞台。   深圳平湖实验室的论文《肖特基型p-GaN栅HEMT中双跨导峰与单跨导峰的演变：部分耗尽与完全耗尽p-GaN层的影响》被ISPSD确认接收，论文第一作者为刘轩博士，通讯作者为万玉喜、David Zhou，该研究不仅是深圳平湖实验室在GaN功率器件方向的最新研究成果，对商用化p-GaN栅HEMT器件的栅极结构设计提供理论指导。   现场交流&作者与Poster   论文内容简介： 刘轩博士的论文“Dual- vs. Single-Peak Transconductance Evolution in Schottky p-GaN Ga...

  栅氧层（SiO₂）作为 SiC MOSFET 栅极结构的核心界面层，其质量直接决定器件的阈值电压稳定性、界面陷阱密度和击穿特性。然而，SiC 与 SiO₂界面存在的固有缺陷（如碳残留、氧空位、界面态密度高等），以及高温制备工艺引入的化学不均匀性，导致传统表征手段（如 CV 测试、FTIR 光谱）难以精准定位纳米级界面缺陷的化学组成与分布。如何在原子尺度解析栅氧层的元素分布、厚度均匀性及缺陷状态，成为突破 SiC 器件可靠性瓶颈的关键技术痛点。     本方案使用的机台为日本电子球差透射电子显微镜（Cs-TEM，JEOL NEOARM 200），搭配电子能量损失谱（EELS），通过自主建立的python代码，可以获得：a) 过渡层原子像b) 缓冲层厚度c) 元素价态变化d) 元素含量变化     由于SiC晶体中Si和C的化学势差异，界面处易形成非化学计量比的过渡层（如SiOxCy、碳团簇或非晶层），其厚度和成分由氧化工艺（温度、时间、气氛）决定。缓冲层厚度差异又会进而影响界面态密度、击穿场强、可靠性等电学参数。图1展...