近日，深圳平湖实验室氮化铝研发团队，在氮化铝（AlN）功率器件研发领域取得重要进展，通过核心工艺优化实现关键性能跃升，两类核心器件指标双双刷新全球公开文献报道纪录，为我国超高压、极端环境电力电子装备发展筑牢核心技术根基。 氮化铝（AlN）是第四代半导体核心材料，拥有极宽的禁带宽度和超高的导热率两大“硬核优势”，天生适合制造能承受超高压、大功率，还可耐高温、抗辐射的功率器件。未来，这类器件将在超高压直流输电、航空航天、深海及地下勘探等极端场景中发挥关键作用，让电力电子设备更高效、更小巧。 但想把氮化铝的优异材料特性，变成高性能实用器件，工艺难度极大。此次，深圳平湖实验室继成功研发国内首个氮化铝/富铝镓氮高电子迁移率晶体管（HEMT）后，再次刷新全球同类器件公开报道最优值。 PART 01 氮化铝肖特基势垒二极管（SBD） 氮化铝肖特基二极管（SBD）相当于电力“稳流阀”，在高压电路中防止电流倒流，核心是看能扛多高电压、效率多高。 团队通过系统性地优化器件制备工艺流程，对钝化、欧姆接...

近日，2026功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2026）在上海举行，本届会议由第三代半导体产业技术创新战略联盟指导，中科院上海微系统与信息技术研究所等单位联合主办，汇聚百余位行业顶尖专家、高校学者与产业链企业精英，围绕第三代半导体前沿技术、产业落地、应用机遇展开深度研讨交流。深圳平湖实验室应邀出席本次盛会，并凭借硬核技术成果斩获优秀技术创新产品奖，实验室主任万玉喜出席开幕式，GaN首席科学家David Zhou在论坛上作重要报告，此外，实验室展台也搭建起产业对接桥梁，全方位展现了其在宽禁带半导体领域的研发实力与产业化能力。 一、自研8吋高性能高可靠100V氮化镓功率器件斩获大会优秀技术创新产品奖 在本届CSPSD优秀技术创新产品评选中，深圳平湖实验室研发的“面向地面与太空算力中心应用的8吋高性能、高可靠 100V 氮化镓功率器件PGH100E037EL（100V/3.7mΩ）”产品脱颖而出，荣获大会优秀技术创新产品奖。该款氮化镓功率器件针对地面与太空在轨算力场景等严苛的电压、可靠性、耐高低温需求定向研发，...

近日，深圳平湖实验室第四代半导体研究团队与新技术工程部团队传来喜讯：在氧化镓表面平坦化与无金欧姆接触工艺上双双取得重要进展。团队基于金属有机化学气相沉积（MOCVD）的氧化镓外延片，利用无金工艺实现了8E-7 Ω cm²（的比接触电阻率并同时开发了氧化镓外延片表面平坦化新工艺，使氧化镓表面均方根粗糙度降至0.107nm，两项核心指标均达到业界最优水平，为我国第四代半导体自主可控与产业化落地再添关键支撑。 氧化镓是当前全球重点攻关的超宽禁带半导体核心材料，具备耐高压、耐高温、大功率等突出优势，是下一代高功率电力电子器件的理想选择。然而，长期以来，两大技术瓶颈制约着氧化镓器件走向量产：一是电极接触依赖贵金属金，成本高、热稳定性差；二是外延片表面粗糙，易引发缺陷与电场集中，影响器件可靠性。此次深圳平湖实验室研究团队一次性破解两大行业难题。 一、无金欧姆接触工艺：不用黄金造电极，成本降 90%，性能更稳 氧化镓欧姆接触工程长期依赖金（Au）基体系，而无金（Au-free）欧姆接触是实现量产落地与产业自主可控的关键...