摘要： 深圳平湖实验室使用国产的全自动化激光剥离系统，对激光剥离的机理进行深入研究、系统优化激光剥离工艺参数，2025年6月实现SiC激光剥离的单片总损耗≤75μm，单片成本降低约26%，达到国际先进水平，已完成三批次的小批量验证，良率100%。 这是一项令人振奋的技术突破！核心性能指标达到国际先进水平，在关键技术及设备上实现了自主可控，保障了供应链安全，降低了对外依赖风险，工艺成熟可靠，可快速实现产业化。   SiC材料及器件具有高温、高频、高耐压、高功率、抗辐射等优异性能，在新能源汽车、光伏新能源、轨道交通和智能电网等领域具有巨大的应用前景。 当前SiC大规模化应用的进展不如预期，主要原因在于SiC的成本还是相对较高，从SiC器件的成本模型可以发现，SiC衬底占比最高，达50%，是规模化应用最关键一环。因此SiC衬底降本、提质是促进SiC大规模应用的关键路径之一。打开SiC衬底的成本来看，SiC材料占比高达70%，而且接近一半是在切割中损耗掉了，所以降低SiC材料的切割损耗，又是降低SiC衬底成本的关键路径...

氮化镓(GaN)外延结构复杂，包含缓冲层，超晶格层，钝化层，势垒层等等，这些层的厚度和掺杂会影响外延的质量和器件的性能，比如超晶格层的结晶度和周期的厚度影响位错密度，而势垒层的厚度影响阈值电压和导通电阻。因此工艺研发需要合适的表征手段来监控GaN外延质量，并提出以下需求 a)能够表征不同外延层的厚度/结晶度/掺杂； b)无损/快速/低成本，可以应用于生产线上； c)能够测量晶圆不同位置数据(mapping)，获得均匀性指标；TEM可以直观且准确的完成需求a，但是b和c无法满足，业界一般需要使用高分辨X射线衍射仪(HRXRD) 来满足这些需求，因此需要建立完整的表征方案。   本方案使用的机台为X射线衍射仪XRD (Bruker JV-DX)，可以获得： a)    AlGaN 势垒层的厚度； b)    超晶格[AlN/AlGaN] 周期的厚度； c)    AlGaN层Al组分的掺杂。   图1显示了使用X射线反射谱(XRR)，测量GaN晶圆上不同位置表面AlGaN 势垒层厚度的原始数据和计算结果，经过透射电镜标定，可以测量出0.2nm的...

深圳平湖实验室分析检测中心赵双博士及相关作者近期在《Material Science in Semiconductor Processing》期刊上发表题为“A Comparative Study of Threading Dislocations in AlGaN/GaN Heterostructures Grown on Si Substrates with Different Buffer Structures”的文章。 如何对GaN异质外延缺陷密度及类型进行快速、全面、准确地表征分析一直是业界的难题之一。该论文综合采用电子通道衬度成像（ECCI）、缺陷选择性刻蚀、高分辨X射线衍射（HRXRD）、透射电镜（TEM）等技术，对两种不同缓冲层工艺的GaN-on-Si异质外延样品的贯穿位错密度、类型辨别展开了对比性的分析研究。该研究通过结合自行开发的位错自动算法识别技术，构建了一套快速、全面、准确的位错评估方法和框架。此外，联合技术表征结果表明，本工作中的超晶格缓冲层样品相比于渐变AlGaN缓冲层样品具有更低的近表面贯穿位错密度，XTEM结果揭示了其源于前者更优异的位错阻挡能力。本工作为GaN-on-Si功率器件及其他异质外延体系的位错表征提供...