2026年4月23日，深圳平湖实验室分析检测中心李齐治博士受邀出席第三代半导体检测技术创新与应用论坛（2026第19届中国科学仪器发展年会），并发表题为《宽禁带半导体材料分析技术的应用与实践》的特邀报告。报告聚焦半导体器件研发与工艺流程优化中的实际痛点，系统阐述了XRD、AFM、SEM、TEM、SIMS及拉曼光谱等多种材料分析技术在碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等宽禁带半导体领域的应用案例与解决方案，通过材料分析实战案例在产业中的应用展示分析检测核心价值，用科学表征手段和高精度的技术方案夯实产业高质量发展的底座。 作为新能源汽车、5G通信、航空航天等战略性新兴产业的关键基础材料，第三代半导体对材料质量与工艺精度提出了极高要求。材料分析技术贯穿其研发、工艺优化到量产的全生命周期，是推动技术突破、质量跃升和产业链自主可控的核心支撑。 在衬底制备环节，SiC、GaN晶体对完整性、杂质及缺陷控制要求严苛，微管、位错等缺陷将直接制约器件性能。通过XRD、AFM、SEM等表征手段，可精准解析晶体结构、表面形貌及缺陷...