深圳平湖实验室第四代材料器件研究团队和南方科技大学化梦媛副教授研究团队合作在《Journal of Vacuum Science & Technology A》国际期刊上发表题为“Vertical β-Ga2O3 Schottky Barrier Diodes with Low Surface Roughness”的研究论文，开发了低粗糙度氧化镓刻蚀工艺，探究了表面粗糙度、氧空位缺陷等对氧化镓肖特基势垒二极管（SBD）器件性能的调控机制。陈嘉祥博士是该文的第一作者。 卤化物气相外延（HVPE）是制备氧化镓外延层的主流商用方法之一，具备高生长速率的优点，但其厚膜外延在CMP抛光后普遍存在表面粗糙度较大和表面杂质等问题。采用感应耦合等离子体反应离子刻蚀（ICP-RIE）等方法可去除表面沾污，但刻蚀过程中易产生副产物、引入刻蚀损伤和表面缺陷，导致表面粗糙度增大，从而降低表面质量、劣化器件的导通与耐压特性。如何实现低粗糙度、高质量的肖特基接触是实现高性能氧化镓器件亟需克服的关键难点。 本工作系统研究了HVPE的氧化镓外延在不同刻蚀工艺处理后，其表面形貌、氧空位缺陷演化规律...