深圳平湖实验室第四代半导体材料器件研究团队的刘妍博士和李翔博士近期在《Micromachines》上发表题为“High-Indium-Composition, Ultra-Low-Power GaAsSb/InGaAs Heterojunction Tunnel Field-Effect Transistors”的文章。 该文基于TCAD仿真，系统研究了GaAsSb/InGaAs隧穿场效应晶体管中GaAsSb层p型掺杂浓度与本征InGaAs层In组分对器件性能的影响，并开展了实验验证。研究结果表明，器件最优性能并非出现在In组分与InP衬底晶格匹配的0.53的结构中，而是在In组分较高（0.58左右）时实现。经参数优化后，器件在VDS=VGS=0.5 V条件下，亚阈值摆幅低至13.51 mV/dec，导通电流可达35.39 μA/μm。该研究为高性能超低功耗III-V族隧穿场效应晶体管提供了兼具应用前景与工艺可实现性的材料体系，并给出了清晰明确的器件设计指导。 基于GaAsSb/InGaAs异质结的隧穿场效应晶体管器件示意图及该器件对应能带图   In组分对器件性能的影响   期刊简介： 《Micromachines》是由MDPI出版的一...

  时代使命下的国产化验证力量 发刊词立足全球科技竞争格局，第三代半导体自主可控对国家供应链安全、产业升级具有重要战略价值。当前，全球新能源转型深化、AI算力需求爆发，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体，已成为打破国际垄断、实现产业突围的重要抓手，更是我国从“半导体大国”向“半导体强国”跨越的关键支撑。然而，国产半导体产业在规模化发展中仍面临“卡脖子”瓶颈，核心设备、高端材料的成熟度有待提升，产业链协同不足等问题突出，而中试平台国产化验证正是破解困局、推动产业高质量发展的有效路径。深圳平湖实验室做为国家第三代半导体技术创中心（深圳）的实体运营单位，始终以实干笃行回应时代使命，通过3年多的持续攻坚，已建成全球首个集科研和中试于一体的8吋第三代功率半导体开放、共享的平台，并积极推进核心关键领域国产化装备、零部件的验证与催熟。为确保第三代半导体领域国家战略安全，核心装备自主可控，深圳平湖实验室真抓实干，已完成124台主工艺设备（除光刻机）全链条国产...

近日，深圳平湖实验室第四代半导体首席科学家、新加坡工程院院士张道华教授先后受邀参加两场重要会议并做邀请报告，为行业带来前沿研究成果与创新思路。 01 第十届电子器件和制备会议 3月1日至5日，张道华教授出席在马来西亚槟城举行的第十届电子器件和制备会议。作为国际半导体领域的权威专家，张教授在会议期间围绕超宽禁带半导体方面的研究进展和所面临的挑战，分享了其团队在超宽禁带半导体材料研究中的突破性成果，为参会学者提供了宝贵的学术参考。   02 第二届第四代半导体技术研讨会 3月17日至19日，张道华教授出席于浙江杭州举办的第二届第四代半导体技术研讨会并主持了首日下午第一阶段会议。此次会议由浙江大学杭州国际科创中心等机构联合主办，汇聚了国内外半导体领域的顶尖专家。张教授以“氮化铝氧化镓研究进展”为主题作大会报告，深入探讨了氮化铝、氧化镓等超宽禁带半导体材料在极端环境应用中的优势及当前面临的材料性能提升、掺杂缺陷调控等挑战。他还介绍了深圳平湖实验室在宽带隙和超宽带隙半导体研究方面的战略布局与配套设施建设...