在电力传输、电网装备、高压电源等关键领域，更高电压、更低损耗、更小体积的功率器件，一直是全球科研与产业界追求的核心目标。传统硅基器件经过数十年发展，已逼近材料物理性能天花板，难以满足特高压输电、新型电力系统、大功率新能源装备对更高耐压、更高效率的迫切需求。超高压SiC功率器件凭借其宽禁带、高临界击穿电场、优异热导率等特性，在耐压能力上远超商用硅基器件，被公认为固态变压器、高压直流输电、电网基础设施、脉冲功率等中高压应用场景的理想解决方案。 近日，深圳平湖实验室在超高压碳化硅功率器件领域取得重大突破，成功研制出额定电压20kV、导通电阻约1Ω的SiC MOSFET器件。相关研究成果已在2026年5月于美国拉斯维加斯举行的国际电力电子领域顶级会议ISPSD 2026上正式发布(doi: 10.1109/ISPSD64561.2026.11553694)。该器件比导通电阻关键性能指标上接近4H-SiC材料的理论极限，标志着我国在超高压功率半导体领域迈入了国际前列。 国际首创，关键性能指标接近理论极限 基于深圳平湖实验室自主搭建、面向产业验证的8...

近日，国产首套8英寸SiC炉管套件搭载国产首台高温栅氧炉验证发布暨合作框架签署仪式在深圳平湖实验室举行。此次验证成果标志着我国在第三代半导体核心装备领域取得重大突破，深圳平湖实验室作为关键验证平台，有力推动国产半导体设备自主可控进程加速，这也是国产半导体材料与装备自主创新、协同突破的重要里程碑。     深圳平湖实验室主任万玉喜、深圳市志橙半导体材料股份有限公司董事长朱佰喜、中国电子科技集团公司第四十八研究所副所长舒勇东分别致辞，此次三方强强联合，通力合作，成功实现了从材料、设备到工艺验证的闭环，为我国SiC功率器件向大尺寸、高性能迈进奠定了坚实基础。     仪式上，志橙半导体孙应一作《志橙SiC陶瓷产品介绍》、中国电科四十八所半导体装备研究部杨金作《8吋SiC高温氧化炉设备介绍》，深圳平湖实验室工程部扩散模组经理周俊发布《国产首套8英寸SiC炉管套件搭载国产首台高温栅氧炉中试验证专项汇报》。报告确认，国产材料和设备在深圳平湖实验室完成了严苛的中试验证，各项核心指标达到国际先进水平，...

当前，电力电子系统对功率半导体器件的开关速度、散热能力、长期稳定性要求越来越严苛。碳化硅基氮化镓材料（GaN-on-SiC）既具有氮化镓高频高效的优势，又具有碳化硅衬底导热快、晶格匹配度高的特性，大幅提升散热性能与运行可靠性，是面向算力中心、航空航天、太空算力、人形机器人等高端应用领域的理想核心材料。   近日，深圳平湖实验室在氮化镓领域迎来重大进展，推出全球首个8吋GaN-on-SiC增强型HEMT工艺平台，直击当前氮化镓行业瓶颈，为算力中心、航空航天、太空算力、人形机器人等高端领域高效供电，筑牢核心材料自主化根基。 图1.  8吋GaN-on-SiC全流程晶圆 依托实验室科研+中试平台，团队已完成多项关键技术攻关，全方位验证了8吋GaN-on-SiC技术的产业化可行性： 8吋GaN-on-SiC外延生长：攻克了SiC衬底表面处理技术、SiC衬底上GaN外延生长技术，外延片翘曲＜20 μm； 8吋GaN-on-SiC无金工艺：攻克了GaN-on-SiC上p-GaN刻蚀、外延层表面钝化、欧姆接触等关键工艺。  图2.  8吋GaN-on-SiC 横...