近日，深圳平湖实验室第三代跃升团队在碳化硅结型场效应晶体管JFET集成电路（IC）研发上取得阶段性进展，成功开发并验证SiC JFET IC技术路线。相比国际先进高温碳化硅JFET IC ±25V电源电压，实验室碳化硅IC逻辑门电路、单级放大器、差分放大器等IC结构可以在±5V及以下电源电压水平下正常工作，实现设计功能。 图一 SiC JFET IC OM及SEM图 该SiC JFET IC平台基于深圳平湖实验室先进的8英寸SiC中试平台开发，同时兼容SiC功率JFET与JFET集成电路（IC）技术工艺，可以满足不同电阻规格的JFET与JFET IC技术开发需求。基于平台器件电性测试结果提取SPICE模型，可以较好拟合单级放大器电性测试结果（图二右）。设计差分放大器结构进一步优化后，基于SPICE模型仿真，在-5.90V的共模电压下，可实现39.1dB差分电压增益和407kHz的-3dB带宽，以及极高输入阻抗。  图二 （左）兼容SiC功率JFET与JFET IC的多项目晶圆照片 （右）提取单级放大器SPICE模型与...

近日，深圳平湖实验室第四代半导体团队在氧化镓光导开关器件研究方面取得重要进展，成功研制出具备万伏级耐压能力的垂直结构光导开关器件。该团队和山东大学肖龙飞教授团队紧密合作对该器件进行了系统性分析，实现了动态导通电阻低于10欧姆和电压转换效率超过80% 的综合优异性能，同时，其开启响应时间进入亚纳秒（＜1 ns） 量级，标志着我国在高性能光控功率半导体器件领域取得显著进展。 光导开关是脉冲功率技术、高电压高速控制等领域的关键核心元器件，凭借其光电隔离、响应快、抗电磁干扰等优势，在先进能源装备、特种电子系统及前沿科学研究中具有不可替代的作用。氧化镓作为新一代超宽禁带半导体材料，具有极高的理论击穿场强和良好的光敏特性，是制造下一代高耐压、高效率、快响应光导开关的理想材料。   该高性能氧化镓光导开关的成功研制，为我国在高压直流输电智能化控制、大功率脉冲产生、先进加速器及国防高技术装备等领域提供了潜在的新型器件解决方案。 撰稿 |  张道华  ...

1月22日，国家能源局党组成员、副局长宋宏坤一行莅临深圳平湖实验室考察调研，实验室主任万玉喜接待并陪同参观。 宋宏坤副局长一行实地参观了深圳平湖实验室展厅与中试线，调研期间听取了实验室在建设历程、核心技术攻关、阶段性成果及未来规划等方面的汇报。万玉喜主任重点介绍了实验室在第三代、第四代半导体等领域的最新进展。宋宏坤副局长详细询问了产品性能、市场前景与产业化进程。双方围绕先进功率半导体器件在新型电力系统中的关键作用与应用前景等话题进行了深入交流。 广东省能源局党组书记刘文胜、南方电网副总经理李锐、深圳市发改委副主任许云飞等领导陪同调研。   撰稿 |韦艳莎摄影 | 李晓  ...