时代使命下的国产化验证力量 发刊词立足全球科技竞争格局，第三代半导体自主可控对国家供应链安全、产业升级具有重要战略价值。当前，全球新能源转型深化、AI算力需求爆发，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体，已成为打破国际垄断、实现产业突围的重要抓手，更是我国从“半导体大国”向“半导体强国”跨越的关键支撑。然而，国产半导体产业在规模化发展中仍面临“卡脖子”瓶颈，核心设备、高端材料的成熟度有待提升，产业链协同不足等问题突出，而中试平台国产化验证正是破解困局、推动产业高质量发展的有效路径。深圳平湖实验室做为国家第三代半导体技术创中心（深圳）的实体运营单位，始终以实干笃行回应时代使命，通过3年多的持续攻坚，已建成全球首个集科研和中试于一体的8吋第三代功率半导体开放、共享的平台，并积极推进核心关键领域国产化装备、零部件的验证与催熟。为确保第三代半导体领域国家战略安全，核心装备自主可控，深圳平湖实验室真抓实干，已完成124台主工艺设备（除光刻机）全链条国产...

近日，深圳平湖实验室第四代半导体首席科学家、新加坡工程院院士张道华教授先后受邀参加两场重要会议并做邀请报告，为行业带来前沿研究成果与创新思路。 01 第十届电子器件和制备会议 3月1日至5日，张道华教授出席在马来西亚槟城举行的第十届电子器件和制备会议。作为国际半导体领域的权威专家，张教授在会议期间围绕超宽禁带半导体方面的研究进展和所面临的挑战，分享了其团队在超宽禁带半导体材料研究中的突破性成果，为参会学者提供了宝贵的学术参考。   02 第二届第四代半导体技术研讨会 3月17日至19日，张道华教授出席于浙江杭州举办的第二届第四代半导体技术研讨会并主持了首日下午第一阶段会议。此次会议由浙江大学杭州国际科创中心等机构联合主办，汇聚了国内外半导体领域的顶尖专家。张教授以“氮化铝氧化镓研究进展”为主题作大会报告，深入探讨了氮化铝、氧化镓等超宽禁带半导体材料在极端环境应用中的优势及当前面临的材料性能提升、掺杂缺陷调控等挑战。他还介绍了深圳平湖实验室在宽带隙和超宽带隙半导体研究方面的战略布局与配套设施建设...

2026 年 3 月 20 日，全国集成电路标准化技术委员会宽禁带半导体工作组成立大会暨技术研讨会在北京顺利召开。工业和信息化部、国家市场监督管理总局标准技术管理司、中国电子技术标准化研究院等相关单位领导出席会议并讲话。 会上正式宣布宽禁带半导体工作组成立，明确工作组将以完善宽禁带半导体标准体系、加快重点标准研制、推动产业协同为核心方向，助力我国宽禁带半导体产业规范化、体系化和高质量发展。 深圳平湖实验室主任万玉喜作为工作组成员受邀参会，并深度参与标准体系研讨与产业协同交流。未来，深圳平湖实验室将依托自身技术积累与平台优势，积极投身宽禁带半导体标准研究与制订工作，紧密协同产业链上下游伙伴，共建质量标准体系，以标准引领技术突破，以协同推动产业升级，为实现我国宽禁带半导体产业自主可控、持续健康发展贡献力量。    ...