盛夏攻坚结硕果，自主创新再登峰。近日，国产首台生产型电子束光刻机（EBL）中试验证突破性进展发布暨合作框架签署仪式在深圳平湖实验室圆满举行。中电科电子装备集团、中电科四十八所与深圳平湖实验室强强联手，正式发布重大技术突破，并签署框架合作协议，标志着我国高端光刻装备自主化、工程化取得关键里程碑。 电子束光刻机是微纳加工、掩膜版制造、量子芯片、先进化合物半导体领域的核心高端装备，也是我国半导体与集成电路产业链自主创新的重要环节。历经多轮迭代优化，深圳平湖实验室与中电科体系联合攻坚，国产首台生产型电子束光刻机中试验证取得突破性进展，设备性能、稳定性与工艺能力达到产线级验证标准。 仪式开始前，与会嘉宾一行实地参观了深圳平湖实验室展厅及洁净间，全面了解实验室在科研与中试验证方面的硬核实力与建设成果。双方围绕技术难点、验证细节、产业落地路径等关键问题展开深度交流，为后续深化合作奠定坚实基础。 仪式上，深圳平湖实验室主任万玉喜表示，实验室将持续发挥中试平台优势，全力支撑国产半导体装备验证与产业化，以硬核能...

近日，深圳平湖实验室氮化铝研发团队，在氮化铝（AlN）功率器件研发领域取得重要进展，通过核心工艺优化实现关键性能跃升，两类核心器件指标双双刷新全球公开文献报道纪录，为我国超高压、极端环境电力电子装备发展筑牢核心技术根基。 氮化铝（AlN）是第四代半导体核心材料，拥有极宽的禁带宽度和超高的导热率两大“硬核优势”，天生适合制造能承受超高压、大功率，还可耐高温、抗辐射的功率器件。未来，这类器件将在超高压直流输电、航空航天、深海及地下勘探等极端场景中发挥关键作用，让电力电子设备更高效、更小巧。 但想把氮化铝的优异材料特性，变成高性能实用器件，工艺难度极大。此次，深圳平湖实验室继成功研发国内首个氮化铝/富铝镓氮高电子迁移率晶体管（HEMT）后，再次刷新全球同类器件公开报道最优值。 PART 01 氮化铝肖特基势垒二极管（SBD） 氮化铝肖特基二极管（SBD）相当于电力“稳流阀”，在高压电路中防止电流倒流，核心是看能扛多高电压、效率多高。 团队通过系统性地优化器件制备工艺流程，对钝化、欧姆接...