在“双碳”背景之下，电网正从单向输送转向全网互联。面对AI算力、储能、充电桩等的巨量用电负荷冲击，新型电力系统加速建设、特高压输电与智能电网急需高压大功率半导体器件坐镇中枢。此次取得重大突破的20kV碳化硅IGBT/FRD，堪称电网的“强力心脏”。它不仅能扛住超高电压，更有望将庞大的特高压换流站“瘦身”至集装箱大小。这颗国际首创的芯片，正在重写未来电网的物理形态。 深圳平湖实验室联合知名科技企业依托自有8英寸碳化硅中试平台，面向高压/特高压应用需求，布局并开发6.5kV~20kV系列SiC功率器件。近日，研发团队成功突破20kV电压等级SiC IGBT（绝缘栅双极型晶体管）及配套FRD（快恢复二极管）的8英寸超厚膜外延生长、8英寸厚膜晶圆制造、25kV电性测试及封装等一系列关键技术难点，所研制的20kV IGBT/FRD器件关键技术指标达到国际先进水平。这一成果标志着我国在特高压碳化硅功率器件领域迈出了从技术探索到工程实现的关键一步。   一、8英寸20kV SiC IGBT/FRD性能先进，国...