聚焦功率半导体前沿引领，打造产学研结合创新高地——国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台亮相2025九峰山论坛暨化合物半导体产业博览会

4月23日2025九峰山论坛(JFSC)暨化合物半导体产业博览会(CSE)在光谷科技会展中心盛大开幕，两院院士、行业领袖、企业代表、专业观众聚首江城共赴年度之约。超两万平方展览面积近300家参展商亮相的沸腾现场证明化合物半导体的未来正在中国写下最炽热的注脚。

实力亮相科研机构展区，全景展示平台综合能力

本届展会六大主题展区覆盖从材料到设计、设备、制造及应用终端的化合物半导体全产业链，彰显化合物半导体产业热度与集群效应。除了行业头部FAB与化合物半导体设备厂商联袂亮相，展会首设科研机构展区，全景式展示尖端科研力量。

其中，国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台正式通线以来，第一次搭建特展展台并对外亮相，平台作为全国首个集科研和中试于一体的8吋功率半导体开放共享平台，本次博览会展台上全面展示科研平台、设计仿真平台、中试平台、分析检测中心能力，同时带来了8吋 SiC激光剥离衬底及复合衬底、1200V SiC外延及厚膜外延、650V GaN HEMT器件、1200V 80mΩ SiC MOSFET器件及1200V 20A SiC SBD器件等一系列自研产品。

深圳综合平台的展台可谓大咖云集，除了硬件方面进行了科研成果及资源、中试工艺能力、分析检测能力的全景式汇聚，GaN材料与器件首席科学家、材料分析首席科学家、中试线工程部负责人、分析检测中心主任等也在展台积极与业内优秀企业代表和科研机构专家等进行深入交流，以开放共享的姿态，共促行业发展。

分论坛共探技术攻坚之路，聚英才齐谋产业发展

除了在博览会上实力吸睛，本次国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台也派出了强大的专家阵容参与到分论坛各领域的汇报和交流中。

其中，深圳综合平台GaN首席科学家David Zhou做了《功率GaN技术研究进展》的报告，重点介绍了功率GaN技术研究进展，重点探讨p-GaN栅Mg掺杂与激活、栅极偏移、外延AlN插入层以及GaN单片集成等技术领域，最后还向现场观众展示了深圳综合平台8吋功率GaN研发中试平台的建设及技术布局。

在另一场平行论坛中，深圳综合平台的材料分析首席专家刘红艳博士做《SIMS/Raman/XRD/FTIR/TEM等材料表征技术在宽禁带半导体里的应用》的报告，报告主要介绍表面分析技术SIMS，FTIR，AFM及XRD，Raman, TEM等材料分析技术在宽禁带半导体分析中的应用。

本届九峰山论坛(JFSC)暨化合物半导体产业博览会(CSE)无论是会议交流还是展台展示都吸引了业内众多优秀企业、科研机构和行业专家的参与，为化合物半导体领域的从业者提供了一个交流合作的平台，能够很好的促进技术创新和产业发展。

此外，通过展示和交流，国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台也能够更好的发挥自身在科研、中试、分析检测、设计仿真等领域的综合优势，协同产业合作伙伴开展深度合作，打造第三代及第四代功率半导体的技术创新高地。