奥趋光电创始人做客深圳平湖实验室：深度解析第四代半导体AlN单晶生长及应用前景

近日，奥趋光电创始人、CEO吴亮博士受邀做客深圳平湖实验室专家讲座，围绕“第四代半导体AlN单晶生长及其应用前景展望”这一主题，为实验室科研人员带来了专业且深入的分享，展示了AlN单晶生长领域的前沿技术与发展潜力。

讲座聚焦于AlN，深入剖析其特征和多元应用场景，作为第四代超宽禁带半导体，AlN在光电器件、激光、雷达、功率器件等领域均展现出巨大价值。从技术层面来看，AlN具有高禁带宽度（6.2 eV）、高击穿场强（15.4 MV/cm）、高热导率（340 W/ m·K）及良好的紫外透光率、化学和热稳定性等优异性能，是高温、高频、高功率电子器件以及高Al组分深紫外光电器件的理想衬底材料，在紫外探测/预警、保密通讯、量子计算、5G/6G射频、高功率相控阵雷达、新一代柔性智能电网等领域具有广泛应用前景。

讲座中，吴亮博士梳理了过去50年来AlN晶体生长取得的重要进展，并系统介绍了PVT法生长AlN晶体的一般策略，深入分析了不同生长策略的技术优势、局限性以及未来面临的挑战。同时，对AlN单晶衬底的外延生长、各种掺杂及器件技术近年来的突破进行了全面概述，涉及Far UVC - LEDs、UVC - LDs、SBDs、FETs及HEMTs等领域，为在场科研人员呈现了AlN单晶生长及相关技术的全景图，并对其未来应用进行了展望。

在互动交流环节，与会科研人员围绕AlN单晶外延生长N型/P型掺杂、分布式梯度极化掺杂（DPD）、器件欧姆接触优化、功率电子/射频器件结构设计与优化等众多热点问题进行了深入的交流。

深圳平湖实验室万玉喜主任在讨论中指出，AlN具有极其优异的材料特性，不仅在紫外光电领域拥有先天优势，在功率半导体方面更具有广泛的应用前景，是最具大规模产业化应用前景的超宽禁带半导体材料之一。

奥趋光电是全球AlN材料领域的知名企业，而深圳平湖实验室也正在打造世界领先的国家级第三代及第四代功率半导体科研与中试平台，双方在材料制备、外延生长和各类功率、射频器件设计开发等环节拥有广泛的合作契机。作为国内超宽禁带半导体领域的代表性团队，以此次讲座为契机，奠定了双方未来在相关领域科研与技术合作的基础，有助于共同快速推进中国AlN材料和器件产业化进步与应用。

撰稿 | 翟雪婷

摄影 | 李晓