深圳平湖实验室SiC JFET技术研发获新进展

近日，深圳平湖实验室第三代跃升课题组在碳化硅结型场效应晶体管（SiC JFET）技术研发上取得重要进展，成功研发出的750V平面型SiC JFET器件，技术指标达到了国际先进水平。
 

图一 SiC JFET器件元胞截面图

该SiC JFET平台基于深圳平湖实验室先进的8英寸SiC中试平台开发，同时兼容SiC功率JFET与JFET集成电路（IC）技术工艺，可以满足不同电阻规格的JFET与JFET IC技术开发需求。实现的SiC JFET器件击穿电压大于980V，比导通电阻低至1.3mΩ·cm2，栅极寄生电阻小于2Ω（@35mΩ规格器件），相关技术参数优于国际同类平面型SiC JFET产品。
 

图二 兼容SiC功率JFET与JFET IC的晶圆照片

SiC JFET作为性能优异的新型功率半导体器件，具有极低的导通损耗、出色的关断能力和高可靠性，是固态断路器、AI数据中心热插拔模块、电子熔断器等高效能系统的理想选择。
 

图三 器件168H可靠性测试结果

深圳平湖实验室的相关工作攻克了平面型SiC JFET器件阈值均一性与可靠性的技术难题，该技术已申请发明专利保护（公开号：CN119767754A）。

这一技术进展为我国在高端功率半导体领域的自主可控提供了有力支撑，未来将在新能源汽车、数据中心、智能电网等关键领域具有广阔应用前景。

作者：冯思睿