深圳平湖实验室博士后招聘
【平台介绍】
深圳平湖实验室作为国家第三代半导体技术创新中心（深圳）主体运营单位，围绕SiC和GaN及下一代先进功率电子材料及器件研究、核心装备及零部件、配套材料验证服务等领域，开展核心技术攻关。
实验室已建成功能完善的现代化园区，位于深圳市龙岗区罗山科技园，占地面积130亩，拥有业界领先的宽禁带功率半导体研发和生产基础设施，国际、国内各类先进设备380余台套，100级洁净间面积9500平米。
汇集海内外行业顶尖的研发人才和资深工程师，打造面向全国的开放、公共、共享的科研中心、中试中心以及分析检测中心。致力于突破第三代半导体产业链环节的共性难题和关键技术，不断驱动创新，打通第三代半导体产业链，并在下一代半导体产出世界级创新成果，培养世界级人才，与合作伙伴组成生态系统，共同构建可持续发展的未来。
主要研究课题包括但不限于：
1、 GaN功率器件、可靠性与集成技术研究，包括但不限于器件新结构设计、器件机理研究、可靠性加固技术、全GaN集成技术等
2、高可靠超低比导碳化硅MOSFET器件研究
3、碳化硅器件抗辐照设计及辐照检测应用研究
4、高压双极型碳化硅器件设计、工艺及应用研究
5、碳化硅功率器件极端应力条件下长期可靠性研究
6、 氮化镓on碳化硅异质材料研究/氮化镓/碳化硅混合功率器件设计与开发研究
7、碳化硅衬底可循环动态缺陷修复技术及装备研究
8、基于超临界流体处理化合物半导体的前沿技术应用研究
9、氮化铝/富铝镓氮器件研究，基于第一性原理的氮化铝欧姆接触研究
10、氧化镓外延生长和p-型掺杂研究，氧化镓基万伏功率器件研究。
11、金刚石理论研究，金刚石基高耐温大功率器件研究。
12、超窄带隙半导体材料生长和表征，超低功耗器件研究，超宽超窄禁带异质结功率器件开发。
13、 GaN HEMT物理基器件紧凑模型开发
14、SiC厚膜外延缺陷控制与少子寿命提升机理研究
15、 3C-SiC外延工艺与机理研究
16、GaN基宽禁带半导体薄膜和异质结构的外延生长和应力/缺陷控制
17、GaN基半导体材料中的杂质缺陷研究
18、大尺寸SiC衬底激光剥离技术
19、SiC刻蚀及抛光技术
20、高温环境下SiC MOSFET器件中金属-SiC界面化学及金属原子迁移机理与工艺研究
【工作内容】
1、在课题组组长指导下独立开展科研工作；
2、理解课题的重要性和实验需求，有能力提出假设并设计相应的实验；
3、独立或协助申请各级博士后科学基金。
任职资格
【岗位要求】
1、即将或近期毕业的博士，有强烈的科学兴趣，爱好和上进心。
2、有扎实的科学基础和训练。
3、发表过或即将发表较高质量的第一作者文章，有较强检索阅读英文文献，英文交流和写作能力。
4、有较强的动手能力和独立工作能力。
5、具有功率半导体器件、工艺等研究经验的优先考虑。
【条件待遇】
1、薪资待遇：提供可持续发展的优厚待遇，具体薪酬根据应聘者经历和成果面议。在站博士后可申请深圳市两年36万补贴。享受国家规定的相关福利、五险一金等基本待遇。
2、人才补贴：实验室全力协助申请各类人才引进项目和补贴（如其他人才补贴、公租房、人才住房等），具体明细需面谈。
3、生活支持：落户、住房、子女入园/学等按照实验室相关规定执行。
4、职业发展：实验室协助在站博士后规划职业发展；博士后出站后根据工作能力及个人意愿可聘为实验室助理研究员或副研究员。
5、科研保障：提供国际水准的研究条件，包括良好的工作环境、充足的研究经费、精良的实验仪器和积极主动的工作氛围。
6、科研项目：实验室全力协助博士后申请各类项目，包括广东省海外博士后人才支持项目（在站60万，出站留粤40万）、中国博士后科学基金项目等。
7、出站待遇：根据相关政策，博士后人员期满出站后6个月内留（来）深全职工作且与企事业单位签订3年以上劳动（聘用）合同的，给予每人36万元出站留（来）深生活补助。
【应聘资料】
应聘者请提供以下材料：
1、完整的个人中文或英文简历（PDF），包括个人科研兴趣、职业目标、主要科研技能、科研经历及成果和所获奖项等；
2、学历、学位证明扫描件；
3、代表性成果全文；
4、3名推荐人的联系方式；
5、其它能够说明科研和工作能力的材料。
【应聘程序】
1、请按照“应聘-职位名称-姓名”的邮件主题将材料发送至：italentmailsys-lab@phlab.com.cn
2、申请材料绝对保密，通过初选后将尽快安排网络/线下面试。
本招聘启事长期有效，招满为止，具体事宜以实验室公告为准。
