深圳平湖实验室张道华教授受邀出席国际半导体领域重要会议并作报告

近日，深圳平湖实验室第四代半导体首席科学家、新加坡工程院院士张道华教授先后受邀参加两场重要会议并做邀请报告，为行业带来前沿研究成果与创新思路。

01 第十届电子器件和制备会议

3月1日至5日，张道华教授出席在马来西亚槟城举行的第十届电子器件和制备会议。作为国际半导体领域的权威专家，张教授在会议期间围绕超宽禁带半导体方面的研究进展和所面临的挑战，分享了其团队在超宽禁带半导体材料研究中的突破性成果，为参会学者提供了宝贵的学术参考。

02 第二届第四代半导体技术研讨会

3月17日至19日，张道华教授出席于浙江杭州举办的第二届第四代半导体技术研讨会并主持了首日下午第一阶段会议。此次会议由浙江大学杭州国际科创中心等机构联合主办，汇聚了国内外半导体领域的顶尖专家。张教授以“氮化铝氧化镓研究进展”为主题作大会报告，深入探讨了氮化铝、氧化镓等超宽禁带半导体材料在极端环境应用中的优势及当前面临的材料性能提升、掺杂缺陷调控等挑战。他还介绍了深圳平湖实验室在宽带隙和超宽带隙半导体研究方面的战略布局与配套设施建设，为推动行业合作与技术发展提供了新方向。