深圳平湖实验室刘妍博士和李翔博士在国际知名期刊发表科研成果

深圳平湖实验室第四代半导体材料器件研究团队的刘妍博士和李翔博士近期在《Micromachines》上发表题为“High-Indium-Composition, Ultra-Low-Power GaAsSb/InGaAs Heterojunction Tunnel Field-Effect Transistors”的文章。

该文基于TCAD仿真，系统研究了GaAsSb/InGaAs隧穿场效应晶体管中GaAsSb层p型掺杂浓度与本征InGaAs层In组分对器件性能的影响，并开展了实验验证。研究结果表明，器件最优性能并非出现在In组分与InP衬底晶格匹配的0.53的结构中，而是在In组分较高（0.58左右）时实现。经参数优化后，器件在VDS=VGS=0.5 V条件下，亚阈值摆幅低至13.51 mV/dec，导通电流可达35.39 μA/μm。该研究为高性能超低功耗III-V族隧穿场效应晶体管提供了兼具应用前景与工艺可实现性的材料体系，并给出了清晰明确的器件设计指导。

基于GaAsSb/InGaAs异质结的隧穿场效应晶体管器件示意图及该器件对应能带图

In组分对器件性能的影响

期刊简介：

《Micromachines》是由MDPI出版的一本国际性期刊，发表内容涵盖微/纳米尺度结构、材料、器件、系统以及相关微纳米技术从基础研究到应用研究的各个方面。