深圳平湖实验室与北大 EDA 研究院在宽禁带半导体器件AI辅助建模领域深度合作取得进展

近日，深圳平湖实验室与无锡北京大学电子设计自动化研究院（以下简称“北大EDA研究院”）及下属公司芯怀科技达成深度技术合作，在基于神经网络的 GaN HEMT 功率器件建模领域取得重要进展。双方联合研发成果已成功集成至芯怀科技自主研发的智能器件建模软件iMoB（Intelligent Model Builder），这一成果是国产 EDA 工具链与 AI 建模技术的深度融合，显著提升器件设计效率与精度，高效破解功率半导体电路设计与优化的行业难题。

双方合作成果集成的iMoB软件是一款面向多样化器件类型的通用AI建模工具，通过神经网络架构自动学习器件端口的非线性行为，其建模方案具备良好的通用性，能够支持传统硅基器件、先进制程多栅器件（FinFET、GAA等）、新型二维材料器件（MoS₂等）等各种半导体器件的建模，并支持向多款商用电路仿真软件的导入。该工具应用于宽禁带半导体领域，以解决GaN HEMT建模中长期存在的挑战。在合作过程中，双方团队基于实测数据与物理仿真数据，利用iMoB平台成功研发了针对GaN HEMT的专业建模模块。该模块能够准确进行DC仿真、AC小信号仿真，精确复现器件电学特性随温度的变化，为GaN功率电路的精准设计与性能优化提供了有力工具。

此次成果是深圳平湖实验室与北大 EDA 研究院长期战略合作的重要里程碑。双方以产学研用协同为目标，持续推动提升宽禁带半导体器件建模与EDA工具创新能力。深圳平湖实验室具备基于国产EDA工具的设计仿真平台，可为第三代化合物半导体设计提供全流程支撑，并以开放共享模式为用户提供高效稳定的技术服务。