深圳平湖实验室出席CSPSD2026并斩获行业创新大奖

近日，2026功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2026）在上海举行，本届会议由第三代半导体产业技术创新战略联盟指导，中科院上海微系统与信息技术研究所等单位联合主办，汇聚百余位行业顶尖专家、高校学者与产业链企业精英，围绕第三代半导体前沿技术、产业落地、应用机遇展开深度研讨交流。深圳平湖实验室应邀出席本次盛会，并凭借硬核技术成果斩获优秀技术创新产品奖，实验室主任万玉喜出席开幕式，GaN首席科学家David Zhou在论坛上作重要报告，此外，实验室展台也搭建起产业对接桥梁，全方位展现了其在宽禁带半导体领域的研发实力与产业化能力。

一、自研8吋高性能高可靠100V氮化镓功率器件斩获大会优秀技术创新产品奖

在本届CSPSD优秀技术创新产品评选中，深圳平湖实验室研发的“面向地面与太空算力中心应用的8吋高性能、高可靠 100V 氮化镓功率器件PGH100E037EL（100V/3.7mΩ）”产品脱颖而出，荣获大会优秀技术创新产品奖。该款氮化镓功率器件针对地面与太空在轨算力场景等严苛的电压、可靠性、耐高低温需求定向研发，依托实验室成熟稳定的8吋硅基氮化镓中试工艺平台，兼具低导通损耗、高击穿耐压、强环境适应性三大核心优势，可应用于地面与太空算力中心电源变换等场景，打破高端功率氮化镓器件的国外技术垄断，为我国算力基础设施国产化提供核心器件支撑。

二、实验室GaN首席科学家在氮化镓器件及集成应用主题论坛分享最新研究成果

实验室GaN首席科学家David Zhou受邀在本次大会发表重磅主题报告《Record-Low RON,SP and RON×QG in Regrowth-Free Low-Voltage p-GaN Gate HEMTs on 200-mm GaN-on-Si Platform》。

报告分享了实验室与香港科技大学、南方科技大学团队在低压增强型p-GaN栅HEMT器件方面的最新研究成果，本研究通过极致的横向尺寸缩放策略与优化的欧姆接触方案，创纪录实现了低至1.68 mΩ·mm²的器件比导通电阻（RON,SP）和4.98 mΩ·nC的优异器件开关品质因数（RON × QG），器件栅极长度为350 nm，栅极-漏极间距为300 nm，击穿电压~25 V。该p-GaN栅HEMT依托实验室8吋硅基氮化镓（GaN-on-Si）科研中试平台制备，工艺兼容成熟CMOS制造流程，器件正向栅极击穿电压超过15 V，并具有高均匀性正阈值电压（VTH＞1V）和栅极可靠性优势。研究团队测试了器件在6 V至1.8 V的同步降压变换器中的性能表现，在1.1 MHz和2.2 MHz开关频率下的峰值效率分别高达93.5%和90.5%，本研究为数据中心垂直电源网络中低压GaN-on-Si功率级的应用提供可行路径，有效补足了高效、高密度XPU供电这一核心“最后一英寸”。

三、专业展台精准对接产业，面对面洽谈共推合作落地

会议期间，深圳平湖实验室的展示展台，集中呈现实验室前沿的科研成果与技术服务能力。展台现场吸引众多行业客户驻足交流洽谈，围绕MPW服务、工艺开发、成果转化等议题深入对接。通过展台互动，实验室进一步打通产学研用协同通道，将前沿技术与市场需求紧密结合，为后续成果规模化落地奠定坚实基础。

依托CSPSD2026这一平台，深圳平湖实验室以获奖产品、前沿报告、展台展示三位一体亮相，全面展现创新实力与产业化潜力。未来，实验室将持续立足国家战略布局，深耕宽禁带半导体核心技术攻关，打通从基础研究、工艺中试到产业落地的全链条创新通道，携手产业链上下游企业，助力我国第三代半导体产业高质量发展与全球竞争力提升。