深圳平湖实验室成功研制抗辐照加固SiC MOSFET器件，将SEGR阈值电压提升至400V

抗辐照SiC MOSFET器件在商业航天领域前景广阔。功率器件被誉为电力电子系统的“心脏”，采用SiC功率器件的空间电源模块效率可从85%提升至95%，功率-体积比提高近5倍，可大幅简化散热设备、降低发射成本。在低轨巨型星座、深空探测器等场景中，SiC器件是300V以上高压母线体制下深空平台及大功率卫星的首选。全球宇航级SiC功率器件市场预计2034年将达23.1亿美元，商业化前景可期。

抗单粒子辐照性能提升，SEGR电压突破400V

基于深圳平湖实验室自主搭建、面向产业验证的8英寸SiC中试平台，通过器件结构设计及制造工艺创新，采用多维电场屏蔽、多通路空穴抽取的结构设计及二次外延工艺，研制出抗单粒子辐照加固SiC MOSFET器件。

实验结果显示，深圳平湖实验室研制的抗单粒子辐照加固SiC MOSFET器件的单粒子栅穿（Single-Event Gate Rupture，SEGR）阈值电压从常规1200V SiC MOSFET结构的200V提高至400V，性能提升100%，极大地提高了器件抗单粒子辐照能力。本成果有望支撑未来航天单电源模块达千瓦级，在探月工程、载人登月、深空探测等领域提供新一代功率器件方案。

深圳平湖实验室研制的抗辐照加固SiC MOSFET器件结构

实验结果显示抗辐照加固SiC MOSFET SEGR阈值电压达到400V

深圳平湖实验室将持续深耕宽禁带半导体抗辐照技术领域，加速抗辐照SiC MOSFET器件的工程化与产业化进程，为我国航天电源、核能装备、高端工业等战略性领域提供自主可控的核心功率芯片支撑。

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