国产首套8英寸SiC炉管套件搭载国产首台高温栅氧炉验证成果在深圳平湖实验室正式发布
近日，国产首套8英寸SiC炉管套件搭载国产首台高温栅氧炉验证发布暨合作框架签署仪式在深圳平湖实验室举行。此次验证成果标志着我国在第三代半导体核心装备领域取得重大突破，深圳平湖实验室作为关键验证平台，有力推动国产半导体设备自主可控进程加速，这也是国产半导体材料与装备自主创新、协同突破的重要里程碑。
深圳平湖实验室主任万玉喜、深圳市志橙半导体材料股份有限公司董事长朱佰喜、中国电子科技集团公司第四十八研究所副所长舒勇东分别致辞，此次三方强强联合，通力合作，成功实现了从材料、设备到工艺验证的闭环，为我国SiC功率器件向大尺寸、高性能迈进奠定了坚实基础。
仪式上，志橙半导体孙应一作《志橙SiC陶瓷产品介绍》、中国电科四十八所半导体装备研究部杨金作《8吋SiC高温氧化炉设备介绍》，深圳平湖实验室工程部扩散模组经理周俊发布《国产首套8英寸SiC炉管套件搭载国产首台高温栅氧炉中试验证专项汇报》。报告确认，国产材料和设备在深圳平湖实验室完成了严苛的中试验证，各项核心指标达到国际先进水平，具备了产业化应用条件。这一成果不仅充分验证了材料与设备的可靠性，更彰显出深圳平湖实验室在工艺验证、工程化落地方面的核心支撑能力。
活动现场，深圳平湖实验室副主任贾国军、志橙半导体董事长朱佰喜、中国电科四十八所副所长舒勇东代表三方签署了战略合作框架协议。三方将围绕工艺进阶、人才培养及成果转化等方向展开深度合作，持续发挥深圳平湖实验室在产学研用协同创新中的枢纽作用。此外，深圳平湖实验室工程部部长贺金良为志橙半导体、中电科四十八所正式颁发中试验证证书，以权威第中试平台确认本次国产8英寸SiC炉管套件及高温栅氧炉核心指标达标、性能可靠，具备规模化产业化应用能力。
本次国产SiC炉管套件与国产高温栅氧炉双双实现突破并顺利完成中试验证，是我国第三代半导体领域从“材料—设备—制造—应用”全产业链自主化的关键一步。此次验证结果发布，成功实现了国产关键套件、国产核心装备、第三方权威验证全链条闭环，为我国第三代半导体自主可控和产业链安全提供了坚实保障。
