深圳平湖实验室受邀参加2026 PCIM，并联合主办超宽禁带半导体前沿技术论坛

8月26日，2026 PCIM在深圳国际会展中心（宝安新馆）盛大启幕。作为功率半导体与电力电子领域极具影响力的年度盛会，本次展会汇聚全球产业链优质资源，共探技术创新与产业升级之路。深圳平湖实验室受邀参与展会，并与PCIM Asia Shenzhen联合主办超宽禁带半导体前沿技术论坛，紧扣国家 “十五五” 规划战略方向，聚焦金刚石、氧化镓等第四代半导体前沿材料革新与技术突破，以高端交流平台赋能产学研用深度协同，助力我国超宽禁带半导体产业高质量、跨越式发展。

超宽禁带半导体前沿技术论坛

当前，以SiC、GaN为代表的宽禁带半导体已构建成熟产业生态，成为功率半导体领域的主流支撑。顺应国家战略部署，金刚石、氧化镓等超宽禁带半导体作为第四代半导体核心方向，凭借更优的材料特性与代际优势，迈入关键研发与技术攻坚新阶段，是未来半导体产业竞争的核心赛道。

本次超宽禁带半导体前沿技术论坛精准锚定产业前沿趋势，汇聚深圳平湖实验室第四代半导体首席科学家、新加坡工程院院士张道华，西安电子科技大学教授张金风，杭州镓仁半导体有限公司董事长张辉，中国科学院上海光机所研究员、杭州富加镓业科技有限公司董事长齐红基，奥趋光电技术(杭州)有限公司CEO吴亮，宁波晶钻科技股份有限公司研发中心资深工程师王鹏博士等行业领军企业及科研院所权威专家，带来6场高规格专题演讲。议题覆盖单晶生长、智能长晶、金刚石产业化应用等核心领域，全方位呈现超宽禁带半导体从材料研发、工艺突破到场景落地的全链条创新成果，为行业输出系统性解决方案与前瞻性产业洞察，推动技术互通、资源共享，助力产业链协同创新与可持续发展。

功率半导体新锐峰会

同期举办的功率半导体新锐峰会上，深圳平湖实验室GaN首席科学家David Zhou受邀发表题为《面向算力中心供电的8英寸15V‑1200V功率GaN研究进展》的专题报告，围绕算力中心供电场景下8英寸功率氮化镓器件的最新科研成果展开深度分享，剖析大功率氮化镓技术落地算力基础设施的技术路径与产业化前景，为GaN在数据中心领域的规模化应用提供重要技术参考。

产学研交流专区展台搭建合作渠道

展会期间，深圳平湖实验室在产学研交流专区设置展台，以系统化、可视化的形式，展示平台核心技术、科研成果与全链条服务能力，其中包含8英寸碳化硅功率器件、衬底外延产品，氮化镓系列可靠性、电性测试板及动态参数测试板等成为关注焦点。同步还展现了分析检测一站式服务能力，彰显平台的全链条技术支撑硬实力。

实验室科研技术团队全程深度参与展会，积极投身各场专题论坛，与国内外行业专家深入研讨、思想碰撞，精准把握行业技术趋势与市场需求；同时在展台现场与产业链同仁、合作伙伴、行业客户面对面交流洽谈，分享技术进展、对接合作需求，进一步拓宽产业合作渠道，夯实行业生态共建基础。

此次受邀参展并联合主办专题论坛，是深圳平湖实验室前沿技术实力与行业影响力的体现。未来，实验室将持续聚焦宽禁带与超宽禁带功率半导体赛道，依托科研与中试优势，搭建高水平交流阵地，加速科研成果转化，为我国半导体与集成电路产业高水平突破注入强劲动能。