深圳平湖实验室2篇论文入选IEDM2026

2026年8月30日，IEDM 2026公布录用结果，全球共收录约280篇学术论文，聚焦新兴器件与计算技术、系统与器件可靠性、功率/微波/毫米波及模拟器件系统等核心方向，器件创新、可靠性、AI算力供电、三维集成与系统级协同优化成为会议主线。深圳平湖实验室2篇高水平论文成功入选，在中国大陆单位贡献中并列第17位，彰显实验室在宽禁带与超宽禁带功率半导体领域的研发实力与国际影响力。

本次入选的两项成果分别聚焦新一代半导体氧化镓与大尺寸氮化镓功率器件，均为行业前沿方向：

1. Chenghao Liu et al.,Mg-Engineered β-Ga203 Photoconductive Switches with >11 kV Breakdown, ~1012 0ff/On Ratio and Sub-ns Response under Sub-Bandgap Excitation

深圳平湖实验室（第一单位）与山东大学联合发表。

简介：面向高功率微波与超宽带脉冲功率系统对高速、高压及高可靠开关的迫切需求，本研究基于Mg掺杂β-Ga2O3超宽禁带半导体平台，通过缺陷工程实现高阻态隔离与快速载流子恢复，成功研制出兼具高击穿电压、超高开关比和亚纳秒瞬态响应的垂直结构光导开关，验证了Mg:β-Ga2O3在脉冲功率系统中的良好应用前景。

2. Yan Cheng*, David Zhou*（* Equal contribution） et al.,Densely Scaled Regrown n+-GaN Ohmic Contacts on 200-mm GaN-on-Si Manufacturing Platform Enabling Ultra-Low RON,SP and RONxQG in Low-Voltage p-GaN Gate Power HEMTs for Multi-MHz Al Datacenter Power Delivery

深圳平湖实验室（第一单位）与香港科技大学、南方科技大学联合发表。

简介：面向兆赫兹级AI数据中心供电场景，本研究依托200mm GaN-on-Si平台，通过高密度尺寸微缩的选区二次外延n+-GaN 欧姆接触技术，成功研制出兼具超低比导通电阻(RON,SP)与优值（RON ×QG）的低压p-GaN 栅HEMT 器件。基于该器件搭建的同步降压转换器，在 10MHz 开关频率下实现 12V/6V 至 1.8V/1V 的电压转换，展现出显著的高频性能优势。

IEDM是全球电子器件与半导体领域顶会，由国际电气与电子工程师协会（IEEE）主办，每年汇聚全球顶尖科研机构与产业龙头，发布CMOS、新型存储、光电器件、量子器件、功率半导体等方向突破性成果，是学术界与工业界技术交流与成果展示的核心平台。

2篇论文同时入选IEDM 2026，标志着深圳平湖实验室在宽禁带与超宽禁带功率半导体原创性、系统性研究达到国际一流水平，产学研协同创新能力持续提升。