深圳平湖实验室第四代材料器件课题组李翔博士近期在《Applied Physics Letters》上发表题为“Optoelectronic oscillator based on a silicon microring modulator”的文章、在《Optics Express》上发表题为“Scalable single-microring hybrid III-V/Si lasers for emerging narrow-linewidth applications”的文章，分别聚焦集成光调制器和集成光源，为之后的光控功率器件打下了很好的基础。       其中，发表于《Applied Physics Letters》的论文重点介绍的Si基微环调制器是一种结构简单，工艺成熟，小体积的光调制器，可用于将功率器件控制信号加载在光源上来实现对功率器件栅极的控制。论文通过对微环结构参数和掺杂的优化，使得调制器3dB带宽高达31.7 GHz，达到此类Si光调制器的世界先进水平，也为功率器件的光控提供了足够的带宽。        发表于《Optics Express》的论文则利用InP基半导体光放大器和Si基微环结构的集成，实现了C波段...

  专利速递         深圳平湖实验室崔新春等人获得《金刚石衬底及其生长方法、金刚石外延层的生长方法》发明专利授权。       摘要        公开提供了一种金刚石衬底及其生长方法、金刚石外延层的生长方法，涉及半导体技术领域，旨在提高金刚石衬底及金刚石外延层的质量。金刚石衬底的生长方法包括：提供多片金刚石籽晶，金刚石籽晶具有主表面及多个拼接侧面；金刚石籽晶的主表面为(100)取向；主表面具有相邻的掩膜区和非掩膜区；多片金刚石籽晶包括第一籽晶和第二籽晶；在各金刚石籽晶的主表面上形成第一掩膜层，第一掩膜层位于掩膜区；将第一籽晶的一拼接侧面和第二籽晶的一拼接侧面相贴合；采用微波等离子体化学气相沉积法，在第一籽晶和第二籽晶之间的拼缝内、第一籽晶的非掩膜区和第二籽晶的非掩膜区生长单晶金刚石。金刚石衬底用作半导体材料。     专利授权书   撰稿 | 崔新春 等 编辑 | 翟雪婷...

  制造芯势力，引领向未来          当今电子技术领域的发展日新月异，尤其是在半导体材料和器件方面，SiC（碳化硅）衬底作为一种关键材料，正逐步展现出其在功率电子和光电子应用中的重要性。     碳化硅（SiC）材料应用          碳化硅（SiC）作为一种宽禁带半导体材料，具有比传统硅（Si）更高的热导率、电场饱和、漂移速度和击穿电压，因而在高功率、高频率电子器件中表现出显著的优势。其中，SiC衬底作为制备这些器件的基础，其晶体质量和物理性能对器件性能具有至关重要的影响。   碳化硅（SiC）加工流程          SiC衬底的晶体质量对器件的电特性和可靠性至关重要。高质量的SiC衬底能够有效减少晶格缺陷和杂质，提高器件的击穿电压和导电性能，从而降低功率器件的开关损耗，提高整体效率。因此，SiC晶体生长过程控制缺陷和衬底加工中主要工艺站点切割/研磨/CMP抛光对衬底面型几何参数非常重要，下面我们初步了解衬底生产的大致流程： S...

       2024年7月18日，深圳平湖实验室在杭州“2024年第一届氧化镓技术与产业研讨会”首次对外亮相。本次产业研讨会是由浙江大学杭州国际科创中心等单位主办，在氧化材料和技术日趋产业成熟的大背景下，邀请全国学术届、产业界人士首次共聚杭州研讨氧化镓技术研究及产业发展。中国科学院院士杨德仁，国家自然科学基金委高技术研究发展中心原副主任卞曙光，西安电子科技大学党委常委、副校长张进成等嘉宾出席会议。        深圳平湖实验室作为全国宽禁带半导体、超宽禁带半导体功率器件研究和工程验证的重要公共平台，万主任、第四代半导体首席科学家张道华院士应邀参加本次会议，第四代半导体课题组陈嘉祥博士在会上做相关研究报告。        该报告名为《ZrO2/β-Ga2O3 MOS器件的界面态和体陷阱物性研究》，以ALD-ZrO2介质层的氧化镓MOS器件为例，研究了MOS界面处的多种陷阱态，尤其电压和温度影响下界面态和体陷阱捕获/发射载流子的弛豫行为及其对器件稳定性的影响,有助...