制造芯势力，引领向未来          当今电子技术领域的发展日新月异，尤其是在半导体材料和器件方面，SiC（碳化硅）衬底作为一种关键材料，正逐步展现出其在功率电子和光电子应用中的重要性。     碳化硅（SiC）材料应用          碳化硅（SiC）作为一种宽禁带半导体材料，具有比传统硅（Si）更高的热导率、电场饱和、漂移速度和击穿电压，因而在高功率、高频率电子器件中表现出显著的优势。其中，SiC衬底作为制备这些器件的基础，其晶体质量和物理性能对器件性能具有至关重要的影响。   碳化硅（SiC）加工流程          SiC衬底的晶体质量对器件的电特性和可靠性至关重要。高质量的SiC衬底能够有效减少晶格缺陷和杂质，提高器件的击穿电压和导电性能，从而降低功率器件的开关损耗，提高整体效率。因此，SiC晶体生长过程控制缺陷和衬底加工中主要工艺站点切割/研磨/CMP抛光对衬底面型几何参数非常重要，下面我们初步了解衬底生产的大致流程： S...

       2024年7月18日，深圳平湖实验室在杭州“2024年第一届氧化镓技术与产业研讨会”首次对外亮相。本次产业研讨会是由浙江大学杭州国际科创中心等单位主办，在氧化材料和技术日趋产业成熟的大背景下，邀请全国学术届、产业界人士首次共聚杭州研讨氧化镓技术研究及产业发展。中国科学院院士杨德仁，国家自然科学基金委高技术研究发展中心原副主任卞曙光，西安电子科技大学党委常委、副校长张进成等嘉宾出席会议。        深圳平湖实验室作为全国宽禁带半导体、超宽禁带半导体功率器件研究和工程验证的重要公共平台，万主任、第四代半导体首席科学家张道华院士应邀参加本次会议，第四代半导体课题组陈嘉祥博士在会上做相关研究报告。        该报告名为《ZrO2/β-Ga2O3 MOS器件的界面态和体陷阱物性研究》，以ALD-ZrO2介质层的氧化镓MOS器件为例，研究了MOS界面处的多种陷阱态，尤其电压和温度影响下界面态和体陷阱捕获/发射载流子的弛豫行为及其对器件稳定性的影响,有助...