近日，奥趋光电创始人、CEO吴亮博士受邀做客深圳平湖实验室专家讲座，围绕“第四代半导体AlN单晶生长及其应用前景展望”这一主题，为实验室科研人员带来了专业且深入的分享，展示了AlN单晶生长领域的前沿技术与发展潜力。 讲座聚焦于AlN，深入剖析其特征和多元应用场景，作为第四代超宽禁带半导体，AlN在光电器件、激光、雷达、功率器件等领域均展现出巨大价值。从技术层面来看，AlN具有高禁带宽度（6.2 eV）、高击穿场强（15.4 MV/cm）、高热导率（340 W/ m·K）及良好的紫外透光率、化学和热稳定性等优异性能，是高温、高频、高功率电子器件以及高Al组分深紫外光电器件的理想衬底材料，在紫外探测/预警、保密通讯、量子计算、5G/6G射频、高功率相控阵雷达、新一代柔性智能电网等领域具有广泛应用前景。 讲座中，吴亮博士梳理了过去50年来AlN晶体生长取得的重要进展，并系统介绍了PVT法生长AlN晶体的一般策略，深入分析了不同生长策略的技术优势、局限性以及未来面临的挑战。同时，对AlN单晶衬底的外延生长、各种掺杂及...

6月1日至5日，第37届国际功率半导体器件和集成电路年会（IEEE The 37th International Symposium on Power Semiconductor Devices and Ics, IEEE ISPSD）在日本熊本召开。IEEE ISPSD涵盖了功率半导体器件、功率集成电路、工艺、封装和应用等功率半导体领域的各个方面，是功率器件领域最具影响力和规模最大的顶级国际学术会议，被誉为该领域的“奥林匹克”盛会，一直以来都是国内外产业界和学术界争相发表重要成果的舞台。   深圳平湖实验室的论文《肖特基型p-GaN栅HEMT中双跨导峰与单跨导峰的演变：部分耗尽与完全耗尽p-GaN层的影响》被ISPSD确认接收，论文第一作者为刘轩博士，通讯作者为万玉喜、David Zhou，该研究不仅是深圳平湖实验室在GaN功率器件方向的最新研究成果，对商用化p-GaN栅HEMT器件的栅极结构设计提供理论指导。   现场交流&作者与Poster   论文内容简介： 刘轩博士的论文“Dual- vs. Single-Peak Transconductance Evolution in Schottky p-GaN Ga...

论文内容简介： 深圳平湖实验室第四代材料器件课题组的刘妍博士近期在《Journal of Applied Physics》上发表题为“The impact of many-body effects on the properties of  β-(AlGa)2O3/Ga2O3 quantum cascade structure”的文章。 该论文通过数值求解研究了β-(AlGa)2O3/Ga2O3量子级联结构中的多体效应，并探讨了多体效应对导带结构和子带间跃迁吸收特性的影响。结果表明，在温度一定的情况下，静态多体效应会大幅提升子带间跃迁对应的峰值吸收系数，动态多体效应则使得吸收峰出现明显的蓝移。为分析β-(AlGa)2O3/Ga2O3子带间跃迁吸收特性提供了一定参考，为未来开发基于β-(AlGa)2O3/Ga2O3的长波红外子带间光电器件提供了理论基础和设计思路。   图1.基于β-(AlGa)2O3/Ga2O3量子级联结构的器件示意图   图2.多体效应对导带结构的影响   图3.多体效应对吸收特性的影响   会议简介： 《Journal of Applied Physics》是由美国物理学会（American Institute of Physic...

2025年4月26-27日，由中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会（简称专委会）主办，深圳平湖实验室、中山大学承办的“面向人工智能时代的GaN基功率半导体”专题研讨会在深圳成功举行。北京大学沈波教授、香港科技大学陈敬教授、西安电子科技大学张进成教授、广东省科学院半导体研究所陈志涛教授级高工、中山大学刘扬教授、深圳平湖实验室万玉喜主任、中国科学院苏州纳米技术与仿生研究所孙钱研究员、吉林大学张源涛教授、中科院微电子研究所黄森研究员、大连理工大学梁红伟教授等来自19家高校科研院所和20家主要企业的专家受邀参会研讨。 研讨会开幕式由万玉喜主任主持，刘扬教授介绍了会议筹备背景及组织情况，沈波教授代表专委会致辞指出，实践证明举办聚焦细分领域的专题研讨会是促进产、学、研深度交流与协同创新的一种有效方式，本次研讨会旨在通过围绕人工智能等领域对低压GaN功率器件的应用需求及亟需解决的技术难题进行研讨，以期进一步促进GaN基功率半导体技术进步和产业发展，更好满足我国AI智能计算、人形机器人、智能驾驶、无人机、激光...

4月23日2025九峰山论坛(JFSC)暨化合物半导体产业博览会(CSE)在光谷科技会展中心盛大开幕，两院院士、行业领袖、企业代表、专业观众聚首江城共赴年度之约。超两万平方展览面积近300家参展商亮相的沸腾现场证明化合物半导体的未来正在中国写下最炽热的注脚。 实力亮相科研机构展区，全景展示平台综合能力 本届展会六大主题展区覆盖从材料到设计、设备、制造及应用终端的化合物半导体全产业链，彰显化合物半导体产业热度与集群效应。除了行业头部FAB与化合物半导体设备厂商联袂亮相，展会首设科研机构展区，全景式展示尖端科研力量。 其中，国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台正式通线以来，第一次搭建特展展台并对外亮相，平台作为全国首个集科研和中试于一体的8吋功率半导体开放共享平台，本次博览会展台上全面展示科研平台、设计仿真平台、中试平台、分析检测中心能力，同时带来了8吋 SiC激光剥离衬底及复合衬底、1200V SiC外延及厚膜外延、650V GaN HEMT器件、1200V 80mΩ SiC MOSFET器件及1200V 20A SiC SBD器件...

为进一步加强一流大学科技园区建设，以高水平市校合作推动在深院校研究院高质量发展，2025年3月13日，深圳虚拟大学园春茗会在国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台成功举办。科创战略中心有关负责人、深圳虚拟大学园成员院校深圳研究院代表、国创中心深圳综合平台有关负责人共60余人参会。 会前，国创中心深圳综合平台邀请与会人员参观了全国首个集科研和中试于一体的8吋功率半导体工艺线及业内领先的产学研融合创新性析检测中心，平台相关负责人向大家详细介绍了平台的发展历程、核心业务、科研创新以及设备工艺等多方面的情况，让大家对平台的技术实力和合作潜力有了全面深入的认识。 会上，科创战略中心主要负责同志分享2024年深圳虚拟大学园的工作成效，并提出下一步工作计划。她提出，希望各成员院校深圳研究院充分发挥自身学科优势，深度融合深圳产业资源，共同推进国家大学科技园建设。 国创中心深圳综合平台主任万玉喜回顾了平台建设的各个重要节点，并表示将大力推动第三代半导体关键技术攻关及成果产业化，持续提升创新能力。万玉喜主任还诚邀各成员院校...

深圳平湖实验室GaN工艺及器件课题组刘轩博士在《Japanese Journal of Applied Physics》发表题为”Subthreshold and turn-on characteristics in Schottky-type p-GaN Gate HEMTs: impact of partially and fully depleted p-GaN layer”的研究论文，系统性揭示了p-GaN层激活状态对肖特基栅HEMT器件开态特性的关键调控机制，为新一代高效氮化镓功率器件设计提供了重要理论支撑。 该论文系统探究了p-GaN层Mg激活浓度对肖特基栅极HEMT器件亚阈区及开态特性的调控机制，重点对比了部分耗尽PDP-GaN（partially depleted p-GaN，激活浓度为1e19 cm-3 ~ 7e17 cm-3）与完全耗尽FDP-GaN（fully depleted p-GaN，激活浓度忽略不计）两种结构对器件性能的影响规律。实验表明：PDP-GaN器件保持稳定的亚阈值摆幅SS和阈值电压VTH，其跨导最大值Gm,max随Mg浓度提升呈线性增长；同时，与其他器件相比，具有 FDP-GaN 的器件显示出更高的SS、更低的VTH 和特定的Gm,max。结果表明，亚阈区特性（SS和VT...

       SiC是第三代半导体材料，在低功耗、小型化、高压、高频的应用场景有极大优势。但SiC由于莫氏硬度高达9.5，是很难加工的材料，传统加工流程如下： 衬底工艺流程：   上述流程中用到的多线切割工艺单片衬底材料损失和切割时间如下： ①6 inch SiC晶锭：切割时间约130h，单片材料损失约280～300 μm； ②8 inch SiC 晶锭：切割时间约180h，单片材料损失约280～300 μm； 由此计算，1颗SiC晶锭，厚度为20 mm，单片损失按照300μm，理论产出晶片30片，单片材料损耗率达到46%。 为降低材料损耗，深圳平湖实验室新技术研究部开发激光剥离工艺来替代传统的多线切割工艺，其工艺过程示意图如下所示：   激光剥离工艺与多线切割工对照： 有益效果：使用激光剥离工艺，得到6/8 inch SiC衬底500μm和350μm产品单片材料损耗≤120 μm，出片率提升40%，单片成本降低约22%。 激光剥离技术在提高生产效率、降低成本方面具有显著效果，该工艺的推广，对于快速促进8 inch SiC衬底产业化进程有着重要意义。不仅为SiC...