近日，深圳平湖实验室分析检测中心已成功构建“无损快速的Raman测量SiC微区载流子浓度”能力。该技术攻克LO声子-等离子体耦合（LOPC）精准利用、干扰排除等行业技术瓶颈，建立了完整的4H-SiC载流子浓度非破坏性测量体系。相关成果已在IFWS&SSL CHINA 2025会议上发表，为第三代半导体检测领域提供更高效的解决方案。 在第三代半导体产业加速发展的今天，4H-SiC作为核心材料，其载流子浓度的精准测量直接决定器件电学性能与可靠性。传统检测方法或需复杂制样、损伤样品，或测试范围受限、效率低下，难以满足高端器件研发与量产监控的核心需求。深圳平湖实验室针对这一痛点提供了基于Raman的无损、高效、低成本微区检测解决方案。 无损检测，全程守护高价值样品：无需裂片、制备电极或金属接触，完美适配前端工艺要求，避免样品损伤风险。对于高压、超压厚外延等高价值样品，检测后可继续用于后续工艺，大幅降低研发与生产成本。 超微尺度，精准捕捉微观差异：最小测试面积低至1μm2，空间分辨率可达0.6μm。能清晰分辨超结...

近日，深圳平湖实验室在低压（15V-40V）氮化镓（GaN）功率器件领域取得突破性进展，成功研制出高性能低压 GaN E-HEMT（增强型高电子迁移率晶体管）器件，关键性能达到国际先进水平，为高效、高功率密度计算芯片供电提供全新解决方案。 图1. 8英寸低压（15V-40V）GaN-on-Si E-HEMT晶圆照片 当前，随着人工智能的快速发展，计算芯片对供电系统在效率与功率密度方面提出了更高要求。传统硅基功率器件在性能提升上已逐渐接近物理极限，而作为宽禁带半导体代表之一的GaN器件，凭借其高电子迁移率、高速开关等特性，被视为下一代高效功率转换的核心。然而，在低压应用场景中，GaN器件的成本与性能优势尚未完全显现，成为制约其大规模应用的关键瓶颈。 面对这一挑战，深圳平湖实验室低压氮化镓研发团队依托实验室先进的8英寸硅基GaN科研中试平台，采用p-GaN增强型技术路径，先后攻克了一系列长期制约产业化的关键技术难题： 1） 高迁移率外延技术：引入AlN插入层并优化外延结构，实现二维电子气（2DEG）迁移率超2000 cm²/V·s；...

近日，深圳平湖实验室标志性竞争力项目“建立Quad-SIMS测量GaN外延中元素浓度的方法”顺利通过内部验收，攻克了第三代半导体材料表征关键技术难题，相关成果已实现对外技术交付，为GaN外延工艺优化与器件性能提升提供核心技术支撑。 氮化镓作为战略性半导体材料，其器件外延工艺的精准调控至关重要。外延层中碳、镁、铝等元素浓度直接决定器件耐压性能与阈值电压等关键参数。动态SIMS（包括磁质谱SIMS和四级杆SIMS）可以准确表征氮化镓外延材料里的掺杂和杂质，技术门槛相对较高，同时核心方法关联器件性能调控关键数据，行业多作保密处理，导致几乎没有对外公开技术案例。深圳平湖实验室分析检测中心SIMS技术攻关团队在无业界技术参考、无原厂商有效建议的条件下，以试错精神，经20点测试，针对工艺优化衍生的测试需求提出多种原创性解决方案，从无到有，建GaN 表征流程，实现标志性竞争力突破。 本次突破聚焦半导体工艺中的实际测试需求，基于四极杆 SIMS 开展针对性研究，包括降低GaN中C元素的检出限、采用铯（Cs）负...

近日，深圳平湖实验室第三代跃升课题组在碳化硅结型场效应晶体管（SiC JFET）技术研发上取得重要进展，成功研发出的750V平面型SiC JFET器件，技术指标达到了国际先进水平。  图一 SiC JFET器件元胞截面图   该SiC JFET平台基于深圳平湖实验室先进的8英寸SiC中试平台开发，同时兼容SiC功率JFET与JFET集成电路（IC）技术工艺，可以满足不同电阻规格的JFET与JFET IC技术开发需求。实现的SiC JFET器件击穿电压大于980V，比导通电阻低至1.3mΩ·cm2，栅极寄生电阻小于2Ω（@35mΩ规格器件），相关技术参数优于国际同类平面型SiC JFET产品。  图二 兼容SiC功率JFET与JFET IC的晶圆照片   SiC JFET作为性能优异的新型功率半导体器件，具有极低的导通损耗、出色的关断能力和高可靠性，是固态断路器、AI数据中心热插拔模块、电子熔断器等高效能系统的理想选择。  图三 器件168H可靠性测试结果   深圳平湖实验室的相关工作攻克了平面...

近期，半导体行业迎来密集交流期，深圳平湖实验室携多项技术成果与过硬的科研能力，接连亮相多个行业盛会，在功率半导体科研创新、衬底外延加工平台与技术、全流程一站式分析检测等领域深度发声，以多维对话搭建协作桥梁，彰显科研机构的行业引领能力。   一、第十一届全国新型半导体功率器件及应用技术研讨会暨第三代半导体产业融合创新发展(昆山)论坛 11月21日，第十一届全国新型半导体功率器件及应用技术研讨会暨第三代半导体产业融合创新发展(昆山)论坛开幕，行业专家学者与企业代表齐聚一堂，共探产业发展新路径。深圳平湖实验室主任万玉喜受邀出席开幕式，并在当日专场会议中发表特邀报告《功率半导体发展历程及宽禁带和超宽禁带功率半导体技术挑战》。报告系统梳理功率半导体技术演进脉络，聚焦宽禁带和超宽禁带半导体材料在功率器件应用中的核心技术，结合实验室研发实践及产业需求提出新思路、应对新挑战，为产业发展与技术提升提供了有益的参考。   二、2025集成电路发展论坛（成渝）暨第三十一届集成电路设计业展览会 11月20-21日，2025集成电路发...

第二十七届中国国际高新技术成果交易会(简称“高交会”)由深圳市人民政府主办，11月14-16日在深圳国际会展中心（宝安）盛大开幕。全球前沿科技集结深圳，“粤科技”馆由广东省领衔打造，整合深圳11个行政区及多地优势资源，构建起跨区域联动的科创展示矩阵。馆内集中呈现深圳“20+8”产业方阵核心成果，全面覆盖人工智能、新材料、低空经济、半导体、海洋科技等热门赛道，多元科创生态成绩斐然。 半导体作为热门赛道之一，其技术突破与产业应用备受关注，深圳平湖实验室受邀携多项科技成果登录深圳科创官方展厅。  展会期间，深圳平湖实验室质量与流程IT部部长赵鲁江做客深圳科创官方直播间，与线上观众展开深度互动。直播中，赵鲁江部长系统介绍了实验室的平台能力、技术突破与产业价值，科普了宽禁带功率半导体在绿色低碳和AI应用领域的重要意义，并向怀揣梦想的青年半导体人送上寄语，鼓励青年一代深耕科研、勇于探索，为我国半导体产业自主创新注入青春力量。 未来，深圳平湖实验室将持续聚焦先进功率半导体领域的核心技术...

近日，中国科学院院士、武汉大学工业科学研究院执行院长、微电子学院副院长、集成电路学院院长刘胜教授一行到访深圳平湖实验室，实验室主任万玉喜接待并陪同参观。 刘胜院士一行先后走进实验室展厅与洁净间参观通道，万玉喜主任系统介绍了实验室的建设进展、研发方向、现有成果及未来发展布局等。双方围绕宽禁带半导体技术创新、产学研协同发展等话题进行了深入交流。 ...

2025年11月12日，年度国际第三代半导体行业盛会——第十一届国际第三代半导体论坛&第二十二届中国国际半导体照明论坛（IFWS&SSLCHINA 2025）在厦门成功召开。在开幕式上第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长、国家新材料产业发展专家咨询委员会委员吴玲现场发布了2025年度中国第三代半导体技术十大进展，其中，深圳平湖实验室“8英寸SiC Trench MOSFET功率器件设计与工艺开发”成功入选。 组委会现场为十大进展颁发了入选证书，深圳平湖实验室伙伴发展部部长左正博士登台领奖。 在此次评选中，深圳平湖实验室还有三项成果强势跻身“2025年度中国第三代半导体技术进展TOP30”榜单，成为本届大会入选技术成果数量最多的科研机构。这一亮眼成绩充分体现了实验室在第三代半导体材料与器件等多个领域的全面布局与积累，以及推动产业技术创新的雄厚实力。  ...